【課題】 交流電源を用いたスパッタリングにより成膜する際に、迅速にアーク放電発生を検出して交流電源からの出力を遮断し、アーク放電発生時のエネルギーを小さくしてパーティクルやスプラッシュの発生などを効果的に防止できるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。その際、一対のターゲットへの出力電圧波形を検出し、この出力電圧波形の電圧降下時間が正常なグロー放電時よりも短時間であると判断した場合、交流電源からの出力を遮断する。 （もっと読む）

【課題】 交流電源を用いたスパッタリング装置を、その設置場所と交流電源の設置場所との間の距離に依存せず、精度の良く電力投入できるように構成する。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に、一対のターゲット４１ａ、４１ｂと、この一対のターゲットに対し所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加する交流電源Ｅとを設ける。交流電源Ｅを、電力の供給を可能とする電力供給部６と、この電力供給部からの電力ラインに接続された発振用スイッチ回路７２を有する発振部７とに分けて構成し、この発振部と各ターゲットとをブスバー８によって連結する （もっと読む）

【課題】 交流電源を用いたスパッタリングにより成膜するときに、容量結合した部分を通して発生したアーク放電を効果的に検出できるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。その際、前記各ターゲットとグランドレベルとの間の電圧をそれぞれ検出し、この検出した電圧が所定値を超えると、前記交流電源からの出力を遮断する。 （もっと読む）

【課題】特にスパッタなどのプロセスを用いて半導体や液晶基板などを製造する製造装置分野において、プロセスの過程で発生するアークを抑制し、発生したアークエネルギを最小限に抑えるのに適した交流型の電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法を提供する。
【解決手段】交流電源装置６２は、アース電流検出器６５、電力制御／発振部６３、発振制御手段６４および直流制御用電源３７を備える。交流電源装置６２のシャーシと負荷装置２４のシャーシ６６との間にアース線を接続し、かつ商用交流電源２２と交流電源装置６２のシャーシとの間にアース線を接続する。アース電流検出器６５はアース電流を検出し、発振制御手段６４は、アース検出器６５により検出されたアース電流に基づいてアークの発生を検出し、高周波電力変換器３０に負荷装置２４へのエネルギ供給を遮断させる。 （もっと読む）

【課題】アーク放電の発生を防止すると共に、負荷装置へ供給する高周波交流電力の遮断制御を高速にかつ連続的に実現可能な交流電源装置およびその装置におけるアーク防止方法を提供する。
【解決手段】電流レベル設定器３３は、直流電力指令値および放電電圧値から演算された値と、高周波トランス１０の巻線比とに基づいて電流レベル指令値を設定する。指令選択器３４は、定常モードの電流レベル指令値または起動・再起動モードの電流レベル指令値を設定する。第１の比較器４３は、電流レベル値と電流レベル指令値とを比較し、電流レベル値が電流レベル指令値と同等または上回ったときに、遮断信号発生器４４に制御遮断信号を出力させる。ゲート制御・遮断器５４は、スイッチング制御信号ＧのパルスをＯＦＦする。 （もっと読む）

【課題】アークを迅速かつ確実に識別することができる、アーク識別方法およびアーク識別装置を提供すること。
【解決手段】ａ．評価信号である出力信号または出力信号と関連する信号が、評価信号の半波が正の場合には基準値を超える時点、または、評価信号の半波が負の場合には基準値を下回る時点を突き止め、ｂ．当該時点に続く時点、すなわち、評価信号が同じ半波内で、評価信号の半波が正の場合には基準値を下回る時点、または評価信号の半波が負の場合には基準値を上回る時点を突き止め、c．当該時点のうちの少なくとも１つの時点を用いて、少なくとも１つの時間区間を突き止め、ｄ．出力信号の後続の半波に対して、ステップａ）〜ｃ）を繰り返し、ｅ．相応する時間区間を比較し、ｆ．相応する時間区間が所定の許容差を超えて相違している場合にアーク識別信号を生成する、プラズマ処理におけるアーク識別方法。 （もっと読む）

【課題】 同一または異なる真空チャンバ内に配置したターゲット相互間でその投入電力を迅速に切換えることができ、十分な耐久性を有し、その上、低コストなスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 複数の真空チャンバ４１ａ、４１ｂに配置した複数の一対のターゲット４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄと交流電源とを備え、この交流電源を、電力供給部６及び発振用スイッチ回路７２を有する複数の発振部７に分けて構成する。そして、各発振用スイッチ回路の作動を制御する制御手段と、前記複数の一対のターゲット相互間で交流電圧を印加されるものを切り換える切換信号を制御手段に入力する切換手段９とを設け、切換信号が入力されている制御手段によって、いずれかの一対のターゲットに所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 処理基板に対向して設けたターゲットの後方に、このターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく中央磁石と周辺磁石とを有する磁石組立体を複数個並設してマグネトロンスパッタ電極を構成し、これを用いて反応性スパッタリングにより成膜する際に、処理基板面内で比抵抗値などの膜質が略均一になるようにする。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲット３１の後方に磁石組立体４ａ〜４ｈを少なくとも４個並設する場合に、並設した磁石組立体のうち処理基板の中央領域に対向する磁石組立体相互の並設方向の間隔Ｄ３を、その両端における磁石組立体相互の間隔Ｄ１より大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】安価で且つ効率良く製作し得る、回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体、それを用いたスパッタリングカソード組立体、及び回転円筒型マグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体Ａは、６面以上の多面筒状支持体１の各外側面１aにバルク状の短冊形ターゲット材料片２をそれぞれ接合して、このターゲット材料片２の外周面を円筒状に加工して構成される。 （もっと読む）

本発明は、ドーピング元素を含むスパッタターゲットを用いるスパッタリングによって基板に被膜を堆積する方法であって、堆積された被膜がドーピング元素を実質的に含まない方法に関する。さらに、本発明は、スパッタ材料として、非導電性主成分及び半導電性又は導電性ドーピング元素を有するスパッタターゲットに関する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上できるＤＣマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】マグネットの２回目以降の揺動の際にターゲットに印加する電圧の３０％以下の電圧をマグネットの１回目の揺動の際にターゲットに印加する。マグネットの１回目の揺動時の放電電圧を抑制できる。マグネットの揺動を開始した時点に発生しやすい異常放電を抑制できる。異常放電の回数を抑制できる。ガラス基板の表面へのスプラッシュを防止できる。ガラス基板上に成膜されるメタル層での線欠陥や点欠陥を効率良く防止できる。薄膜トランジスタの歩留まりを向上できる。
（もっと読む）

【課題】 反応性スパッタリングにおける遷移状態を長時間安定に維持できる成膜方法を提供する。
【解決手段】 マグネトロンスパッタリング装置において、真空チャンバー内に不活性ガスと反応性ガスをそれぞれ所望の流量で供給し、放電電力、または放電アドミッタンスの時間変動を±１０％以内で行い、且つ該スパッタ電源の電圧を制御して遷移スパッタを行う。また、放電電力、または放電アドミッタンスを長時間安定化させるために、ターゲット表面の最大磁場強度を０．０３テスラ以上、０．１テスラ以下とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの生成効率が高いだけではなく、構造が簡単で製造コストが削減できるマイクロ波共鳴プラズマ発生装置、該装置を備えるプラズマ処理システム、及びプラズマ処理システムのマイクロ波共鳴プラズマの発生方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波共鳴プラズマの発生装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生部１０２と、マイクロ波発生部１０２にて発生されたマイクロ波エネルギーを用いて、高エネルギー電子及び光子を生成するプラズマ生成部１０５と、を含み、プラズマ生成部１０５は、マイクロ波発生部１０２と隣接して設置された内部電極１０７、マイクロ波発生部１０２と結合され、内部電極１０７より短い長さを有し、内部電極１０７の一部を同軸で取り囲む外部電極１１０、及び内部電極１０７と外部電極１１０との間に配置され、内部電極１０７と外部電極１１０との間を絶縁する誘電体管１０８を備える同軸ウェーブガイド１０６を含む。 （もっと読む）

【課題】アーク放電等異常放電を抑えてデブリを防ぎ、効率的で信頼性の高い膜を形成するためのスパッタリング用電源及びシステムを提供する。
【解決手段】真空チャンバ、基板を真空チャンバを通じて搬送するように構成された基板搬送システム、スパッタリングターゲットを支持するカソードであって、少なくとも部分的に真空チャンバ内にあるカソード、およびカソードに電力を供給するように構成された電源であって、変調電力信号を出力するように構成された電源を有するスパッタリングシステムを含む。態様に応じて、振幅変調電力信号、周波数変調電力信号、パルス幅電力信号、パルス位置電力信号、パルス振幅変調電力信号、あるいは他の種類の変調電力またはエネルギー信号を出力するように、この電源を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 プロセス全体に要するコストや時間を軽減させ、微粒子をナノオーダで選択的に堆積させつつ、高精度なパターニングを実現する。
【解決手段】 少なくとも微粒子を基板表面に堆積させて構成した薄膜の作製方法において、ナノメータサイズの核をいわゆる起点として照射される光により微粒子の堆積が誘起されることに着目し、ナノメータサイズの核が予め形成された基板表面へ微粒子を堆積させると共に光を照射させ、この照射する光の波長を制御することにより微粒子を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％でＧｅを２０．２〜２４．２％、Ｓｂを２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有しかつ六方晶構造のＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５相が質量％で９０％以上占めている組織を有するターゲットであって、このターゲットは前記組成を有するインゴットを熱処理したのち粉砕もしくは前記インゴットを粉砕して得られた合金粉末を熱処理したのち解砕した原料合金粉末を加圧焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット上に非侵食領域が残らず、かつ、反応性スパッタリングを行う場合には、均一な膜質の膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー２１内に所定の間隔を置いて並設した３枚以上のターゲット２４１と、各ターゲット２４１に対して負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加する交流電源Ｅ１〜Ｅ３とを備え、交流電源Ｅ１〜Ｅ３からの出力の少なくとも一つを分岐して２枚以上のターゲット２４１に接続し、この分岐した出力に接続された各ターゲット２４１の間で、交流電源から電位が印加されるターゲットを切替える切替手段としてのスイッチＳＷ１〜ＳＷ３を設けたことを特徴とするスパッタリング装置２。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングシステムにおいてイオン密度とスパッタ率を制御する方法を提供する。
【解決手段】一実施形態では、第１のパルス幅の電力信号がカソードに印加されて、それによってより高濃度のイオンを生成させる。次に、この第１のパルス幅の電力信号のパルス幅を減少させて、それによってスパッタ率を増加させ、かつカソード周辺でのイオン密度を減少させる。さらにこのプロセスを繰り返して変調信号を作成する。この変調信号を用いてスパッタリングシステムのイオン密度とイオンエネルギーを制御する。 （もっと読む）

ポンプ・モジュールまたはスパッタリング・モジュールなどのモジュールは、モジュール・コーティング・システムなどのコーティング・システムの、ポンプ区画またはスパッタリング区画などの区画に適合するまたは被覆するのに十分な蓋アセンブリを含む。スパッタリング・モジュールは、電源装置を含み、電気入力を受けるため、およびスパッタリング区画内でスパッタリングのために十分な電気出力を供給するために十分である。ポンプ・モジュールは、少なくとも１つのポンプを含み、ポンプを操作するのに十分な電気入力を受けるために十分である。モジュール、外部源、部品または装置と、区画との様々な接続は、自動的に、および／または手動でなされてもよい。制御接続は、外部コントローラまたは中心コントローラが、コーティング・システムの特有の区画に関連する特有のモジュールを認識することができてもよい。
（もっと読む）

【課題】長尺にスパッタリングで成膜を行うに際し、密着性および強度に優れ、かつ、ピンホール等のない表面性状が良好な薄膜を安定して成膜することができる成膜方法、および、これに最適な成膜装置を提供する。
【解決手段】パルス電力を印加できる複数の放電電源とターゲットを有するカソードを複数組み合わせて、前記基板を長手方向に搬送しつつ、少なくとも２以上のカソードを２つ以上のグループに分割し、各カソードのターゲットに対応させて所定の周波数のパルス電圧を印加して前記基板に薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）