【課題】スパッタ法によっても、低反射率の反射防止特性を有し、蒸着法に近い成膜時間で加工することが可能となる反射防止膜を提供する。
【解決手段】反射防止膜の基準波長をλ０としたとき、基板側から高屈折率膜で始まり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に１０層を積層した反射防止膜をつぎのように構成する。すなわち、前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚を、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚の５５％以下に構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な駆動機構によりターゲット表面上の磁力線分布を変え、ターゲットのワイドエロージョン化を図るようにした磁石構造体等を提供する。
【解決手段】磁石構造体１１０は、ターゲット表面２０Ａに至る主磁力線を形成するよう、ターゲット２０の裏面２０Ｂの側に配置された主磁石１０、１３と、主磁力線による磁束密度分布を変える補正磁力線を形成するよう、ターゲット２０の裏面２０Ｂの側に配置された補正磁石１１と、ターゲット２０の裏面２０Ｂの側に配置された前記補正磁力線の磁路２１Ａ、２１Ｂ、２４と、磁路２１Ａ、２１Ｂ、２４の内部を貫く補正磁力線の強度を変更可能な磁界補正手段１２、１４と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】 従来の硬質皮膜であるＴｉＮ皮膜やＴｉＡｌＮ皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】〔１〕 （Ｚｒ_1-a ，Ｈｆ_a ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜であって、０．０５≦ａ≦０．４、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜（但し、上記式において、ａはＨｆの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである）、〔２〕（Ｚｒ_1-a-b ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（ただし、ＭはＷ，Ｍｏの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜（但し、上記式において、ａはＨｆの原子比、ｂはＭの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである）等。 （もっと読む）

【課題】ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス用高純度Ｔａ材の製造方法は、高純度Ｔａインゴットに対して2軸以上の方向から鍛造を行う工程と、鍛造工程の途中で2回以上の真空熱処理を行う工程と、鍛造工程および真空熱処理工程を経たＴａ材に冷間圧延を施す工程と、冷間圧延工程を経たＴａ材に再結晶化熱処理を施す工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】皮膜の更なる高硬度化と耐摩耗性を向上させ、耐熱性を改善して温度上昇よる摩耗増大を抑制した硬質皮膜を提供することである。更に、該硬質皮膜を複数層被覆した多層皮膜被覆部材、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】基材表面に組成が異なる硬質皮膜を２層以上被覆した多層皮膜被覆部材であって、該硬質皮膜は少なくとも硬質皮膜Ａ及び硬質皮膜Ｂを有し、該硬質皮膜Ａは、Ｓｉ（Ｂ_ｕＣ_ｖＮ_ｗＯ_ｚ）で示され、但し、ｕ、ｖ、ｗ、ｚは各元素の原子％、ｕ＞０、ｖ＞０、ｗ＞０、ｚ≧０、ｕ＋ｖ＋ｗ＋ｚ＝１、を満足する硬質皮膜、該硬質皮膜Ｂは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｖ、Ｓｉから選択される２種以上とＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓから選択される１種以上を有する硬質皮膜であることを特徴とする多層皮膜被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材を提供する。
【解決手段】半導体デバイス用高純度Ｔａ材は、ビッカース硬さがHv70〜150の範囲であると共に、そのばらつきが20％以下とされている。半導体デバイス用高純度Ｔａ材は、スパッタリングターゲットの形成素材として用いられる。 （もっと読む）

【課題】波長４００ｎｍ以下において高い光透過率を有する透明導電膜、ならびにそれを含む透明導電性基材を提供する。
【解決手段】主としてガリウム、インジウム、酸素からなり、インジウムに対するガリウムの原子比率が０．９７以上１．８６未満であって、主にβ−Ｇａ₂Ｏ₃型構造の酸化ガリウムインジウム相（β−ＧａＩｎＯ₃相）とビックスバイト型構造の酸化インジウム相（Ｉｎ₂Ｏ₃相）から構成され、且つ、下記式で定義されるＸ線回折ピーク強度比が４５％以下、密度が５．８ｇ／ｃｍ³以上である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いて、直流スパッタリング法で得られる酸化物膜であり、主としてガリウム、インジウム、酸素からなり、インジウムに対するガリウムの原子比率が０．９７以上１．８６未満である非晶質膜であって、且つ、基板を除いた膜自体の透過率が５０％を示す最短波長が３５０ｎｍ以下であることを特徴とする。
Ｉｎ₂Ｏ₃相（４００）／β−ＧａＩｎＯ₃相（１１１）×１００ ［％］ （もっと読む）

【課題】パーティクル起因の欠陥を低減させたフォトマスクブランクを製造する方法を提供すること。
【解決手段】最も基本的な構造のサセプタ１１は、第１および第２の透明石英部１１ａとの間に不透明石英部１１ｂを挟み込んだ３層構造を有している。不透明石英部１１ｂは例えば「泡入り石英」などの素材が用いられる。また、閃光に対する不透明度は、基板１０上に設けられた薄膜の組成や膜厚ならびに閃光処理する際の照射光エネルギなどの諸条件との関係を考慮して、適当な範囲の値となるように不透明石英部１１ｂの材料選択や厚み設定により決定される。なお、この積層構造は、互いに不透明度が異なる不透明石英部を複数積層させることとしてもよく、光透過性材料からなる層をｎ層（ｎは２以上の自然数）積層させた構造とし、これらｎ層のうちの少なくとも１層をその不透明度が他の層とは異なる構造とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】ＴａＮ膜等を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にしたスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】高純度Ｔａからなるスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｔａインゴットに対して2軸以上の方向から鍛造を行う工程と、鍛造工程の途中で2回以上の真空熱処理を行う工程と、鍛造工程および真空熱処理工程を経たＴａ材に冷間圧延を施す工程と、冷間圧延工程を経たＴａ材に再結晶化熱処理を施す工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットとして用いた場合、高屈折率の酸化物膜を直流スパッタリング法によって安定かつ高速に成膜することが可能な酸化物焼結体及び酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体を提供する。
【解決手段】主としてインジウム、セリウム、スズの酸化物を含む酸化物焼結体であって、総金属元素に対するセリウム原子の比率が５〜５０原子％であり、総金属元素に対するスズ原子の比率が９〜２７原子％であり、残部がインジウム原子比率である。 （もっと読む）

【課題】インジウム含有量が少なく、金属又は合金との密着性に優れ、金属又は合金との選択エッチング可能な透明導電膜を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の非晶質酸化物からなり、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎに対するＳｎの原子比が０．２０以下のときは下記原子比１を満たし、０．２０を超えるときは下記原子比２を満たす透明導電膜１２。原子比１ ０．５０＜Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．７５ ０．１１＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）≦０．２０ ０．１１＜Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．３４原子比２ ０．３０＜Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．６０ ０．２０＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．２５ ０．１４＜Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．４６ （もっと読む）

ガラス状基材に減圧下で適用される薄層のスタックによって形成される、層（Ｂ）と基材との間に配置された少なくとも１つの層（Ａ）の少なくとも一方の表面部分の処理方法は、少なくとも１つの薄層（Ａ）を前記基材の表面部分に減圧堆積プロセスによって堆積し、少なくとも１つのリニアイオン源を用いて、イオン化された種のプラズマをガス又はガス混合物から発生させ、該プラズマに前記層（Ａ）の少なくとも一方の表面部分をさらして、前記イオン化された種により該層（Ａ）の表面状態を少なくとも部分的に改質するようにし、少なくとも１つの層（Ｂ）を該層（Ａ）の表面部分に減圧堆積プロセスによって堆積することにある。 （もっと読む）

【課題】熱ゆらぎ耐性及び記録分解能が高く、媒体ノイズの少ない垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】基板上に積層された、PtまたはCr、Co、及び酸素を含む第１の垂直磁気記録層、Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Tm, Ybから選択される希土類元素とCo, Cr, Ptを含む遷移金属とを含有する結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層を有する磁気記録層と、保護層、潤滑層、及び保護層／潤滑層の積層のうち１つとを具備し、垂直二層媒体として使用され得る垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

本発明は、相変化材料成分及び強磁性材料成分を含む、情報記録用媒体において使用される相変化磁性複合材材料に関連し、この場合、前記材料は磁気効果及び相変化効果の両方を示し、光学媒体、相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣＲＡＭ）デバイス、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）デバイス、固体メモリデバイス、センサーデバイス、論理デバイス、認知デバイス、人工ニューロンネットワーク、三レベルデバイス、制御デバイス、ＳＯＣ（システムオンチップ）デバイス及び半導体のために使用可能である。 （もっと読む）

モリブデンチタンスパッタターゲットが提供される。一態様において、該ターゲットは実質的にβ（Ｔｉ、Ｍｏ）合金相を含まない。もう一つの態様において、該ターゲットは実質的に単一の相β（Ｔｉ、Ｍｏ）合金からなる。両方の態様において、スパッタリング中の粒子放出が減少される。ターゲットを製造する方法、大面積スパッタターゲットを作製するためにターゲットをいっしょに結合する方法、および該ターゲットによって作製された膜も提供される。
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【課題】Ｔｉ及びＡｌを含有するほかに、Ｎを任意成分として含むことがあるアモルファス膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ及びＡｌを含むほかに任意成分としてＮを含むことがあるアモルファス膜であって、電気抵抗率が、６×１０^２Ω・ｃｍ以下の当該アモルファス膜を、スパッタリングターゲットとしてＴｉＡｌ合金を用い、下記のスパッタ条件で基板上に成膜する。（１）ＤＣパワーは、１ｋＷ以上かつ３ｋＷ以下である、（２）成膜室内の気圧は、６ｍＴｏｒｒ以上かつ１２ｍＴｏｒｒ以下である、（３）基板温度は、１００℃以上かつ３００℃以下である、及び（４）Ｎ_２ガスとＡｒガスとの混合スパッタガス中におけるＮ_２ガスの体積比率が０％以上かつ７０％以下である。 （もっと読む）

【課題】摺動時において非晶質炭素膜が被覆された摺動面と相手摺動部材との摺動面との馴染み性を向上させて、耐摩耗性を向上させ、低摩擦係数を維持することができる組合せ摺動部材を提供する。
【解決手段】基材表面に非晶質炭素膜を被覆して摺動面とした第一摺動部材と、該第一摺動部材の摺動面に摺動する面に鉄系材料を有した第二摺動部材と、を備えた組合せ摺動部材であって、該組合せ摺動部材は、第一摺動部材の基材の表面硬さが、第二摺動部材の摺動面の表面硬さよりも低いように構成される。 （もっと読む）

【課題】充放電容量が大きくサイクル特性にも優れた薄膜固体二次電池を提供する。
【解決手段】基板１０上に、正極集電体層２０、正極活物質層３０、固体電解質層４０、負極活物質層５０、負極集電体層２０を積層した薄膜固体二次電池１において、正極活物質層３０の負極活物質層５０に対する膜厚比Ｘが、正極活物質層３０の負極活物質層５０に対する単位体積あたりの最大充放電容量の逆数の比をＲとしたときに、０．２Ｒ≦Ｘ≦１０Ｒの条件式を満たすように正極活物質層３０と負極活物質層５０の膜厚を決定する。このとき、正極活物質層３０と負極活物質層５０のそれぞれの単位体積あたりの最大充放電容量として、実測により求めた値を使用する。 （もっと読む）

本発明は、ドーピング元素を含むスパッタターゲットを用いるスパッタリングによって基板に被膜を堆積する方法であって、堆積された被膜がドーピング元素を実質的に含まない方法に関する。さらに、本発明は、スパッタ材料として、非導電性主成分及び半導電性又は導電性ドーピング元素を有するスパッタターゲットに関する。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金からなる母材とダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）皮膜などの硬質皮膜との密着性が良好な硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チタンまたはチタン合金からなる母材２０の表面を処理して、母材２０の最大表面粗さを３μｍ以下にした後、処理装置１０の真空処理室１２内において、ターゲット２２としてクロムターゲットを使用してスパッタリングすることにより、母材２０上にクロム皮膜を介して窒素含有クロム皮膜を形成し、その後、表面の硬質皮膜としてＤＬＣ皮膜を形成する場合には、ターゲット２２としてカーボンターゲットを使用してスパッタリングすることにより、窒素含有クロム皮膜上にＤＬＣ皮膜を形成する。 （もっと読む）