【課題】 気相成膜の際に異常放電が起こり難く均一な組成を有するＲｕ合金ターゲットとその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のＲｕ合金ターゲットは、組成式Ｒｕ_１−ｘＡ_ｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表されることを特徴とする。また、このターゲットの製造方法は、混合体における組成比を組成式Ｒｕ_１−ｘＡ_ｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される金属元素を示す）で表した場合、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属粉末とＲｕ粉末とを上記金属粉末の組成比ｘが０．０５〜０．３０で残部がＲｕ粉末となるように混合し、かつこの混合体をホットプレス法により１５００℃以上１８００℃以下の条件で焼結した後、この焼結体を水素プラズマで熔解することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の技術によっては、直流スパッタリング法を用いたときにアーク放電が発生して、安定して成膜することが容易でなかった中間屈折率を有する酸化物膜を、直流スパッタリング法によって安定かつ高速に成膜することが可能な酸化物焼結体及びその製造方法、酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体を提供する。
【解決手段】酸化物焼結体は、主にインジウム、シリコンを含む酸化物からなり、インジウムに対するシリコンの原子比率が０．６５〜１．７５であり、かつスパッタリングターゲットとして用いた場合に直流スパッタリング法で成膜することが可能に構成されている。また、酸化物焼結体は、二酸化シリコンを含まず、さらに、トルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物の結晶相を主相として構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス配線の拡散防止膜およびシード膜を同時に製膜することができるパーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｍｎ：０．６〜３０質量％を含み、残部がＣｕおよび不純物からなる組成を有し、かつ前記不純物が金属系不純物：４０ｐｐｍ以下であり、かつ酸素が：１０ｐｐｍ以下、窒素：５ｐｐｍ以下、水素：５ｐｐｍ以下、炭素：１０ｐｐｍ以下に規制された銅合金からなるパーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

ウェーハをＲＦバイアスするステップを含むアルミニウムスパッタリングプロセスと、好ましくは２つの異なるプラズマスパッタ反応器（１６８、１７０）において２つの明確に異なる条件下のスパッタリングによって狭いビアホールにアルミニウムを充填するために使用される２段階アルミニウム充填プロセスおよびこのための装置。第１のステップ（１３０）は、例えば１５０℃未満に保持され、また該狭いホールおよび各オーバーハングにアルミニウム原子を引き付けるように比較的高度にバイアスされる比較的冷たいウェーハ上に高い割合のイオン化アルミニウム原子をスパッタリングするステップを含む。第２のステップ（１３２）は、例えば２５０℃より高く保持され、またより等方的かつ均一なアルミニウムフラックスを提供するために実質的に未バイアスの比較的温かいウェーハ上へのより中性的なスパッタリングを含む。該アルミニウムターゲットの背後で走査される該マグネトロンは（８０）該第１のステップにおいて比較的小型かつ非均衡であってもよく、また（６０）該第２のステップでは比較的大型かつ均衡がとれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】真空容器内において部材を設定温度近傍若しくは設定温度以下に制御することが可能となる真空容器内の温度制御装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気内で所定の処理を行う真空容器内の温度制御装置であって、前記真空容器を構成する部材８の内部に、該処理温度近傍に融点を持つ相変化材料１１が内包されている構成とする。その際、前記相変化材料を、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐｂのいずれかを主成分として、約１０℃以上３２７℃以下の融点を有する低融点合金で構成する。 （もっと読む）

酸化ケイ素および電気的に導電性があるドープされたケイ素材料を保護的な条件下において融合して、ＳｉＯ２の特性を示すがＳｉが存在するために電気的に導電性がある複合ＳｉＯ２：Ｓｉ材料を作製する。このような複合材料は、タッチスクリーンの用途など向けに導電性の酸化ケイ素薄膜を生産するためのＤＣおよび／またはＡＣスパッタリングプロセス用のターゲットとして用いられる。
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【課題】アーク放電等異常放電を抑えてデブリを防ぎ、効率的で信頼性の高い膜を形成するためのスパッタリング用電源及びシステムを提供する。
【解決手段】真空チャンバ、基板を真空チャンバを通じて搬送するように構成された基板搬送システム、スパッタリングターゲットを支持するカソードであって、少なくとも部分的に真空チャンバ内にあるカソード、およびカソードに電力を供給するように構成された電源であって、変調電力信号を出力するように構成された電源を有するスパッタリングシステムを含む。態様に応じて、振幅変調電力信号、周波数変調電力信号、パルス幅電力信号、パルス位置電力信号、パルス振幅変調電力信号、あるいは他の種類の変調電力またはエネルギー信号を出力するように、この電源を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】一様なプラズマ処理を行うこと。
【解決手段】半導体用プラズマ処理装置における非一様性を低減させるためのシステム（４０）であって、基板支持体（１４）を囲み得る寸法のものとされ、かつ、少なくとも３個という複数のセグメントから形成された、リング形状電極（５０）と；この電極の各セグメントに対して接続された電気エネルギー供給源と；この電気エネルギー供給源に対して接続されたコントローラ（６０）と；を具備し、コントローラが、電極の各セグメントを順次的に励起するようにして電気エネルギーを供給するようにプログラムされており、これにより、基板支持体の周縁回りにおける基板の非一様性の処理に影響を与え得るものとされている。 （もっと読む）

【課題】下層の薄膜にダメージを与えず、エロージョン領域を広くできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面を対向させ、裏面に第一、第二の磁石部材１５ａ、１５ｂを配置し、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂをマグネトロンスパッタしながら成膜対象物５を第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの側方を通過させ、少ないダメージで成膜した後、第三のターゲット２１ｃと正対する位置を通過させ、大きな堆積速度で薄膜を積層する。第一、第二の磁石部材１５ａ、１５ｂを第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの裏面で動かし、エロージョン領域を広くする。 （もっと読む）

【課題】
真空負荷に逆電圧を印加するための半導体スイッチ素子のオフに伴う電力損失を抑制し、温度上昇を制限すると共に、逆電圧電源の小容量化などを実現すること。
【解決手段】
半導体スイッチ素子５がオンするときに直流電源１とは逆極性の出力電圧を逆電圧電源４から真空負荷３に印加する真空装置において、直列接続されているダイオード８とコンデンサ７とを半導体スイッチ素子５に跨って並列に接続し、パルストランス１０の１次巻線の一端を、ダイオード８とコンデンサ７との間に接続すると共に、その他端を半導体スイッチ素子５と逆電圧電源４との間に接続し、直流電源１の出力端子間に、ダイオード１２を介してパルストランス１０の２次巻線を接続し、半導体スイッチ素子５のオフ時にコンデンサ７のエネルギーを半導体スイッチ素子５のオン時にパルストランス１０を介して直流電源１に帰還する真空装置。 （もっと読む）

【課題】 高精度に膜厚を管理することができるプレーナマグネトロンスパッタ装置の提供。
【解決手段】 ターゲット４には直流電源７により直流電圧が印加され、成膜中の印加電圧が一定に保持されるように定電圧モードで制御される。成膜中のターゲット電流値は電流計９により検出され、制御装置１０の電流積算部１０ｂによりターゲット電流値の積算値が積算される。そして、成膜開始からのターゲット電流積算値が所定値となったならば成膜を終了する。このように膜厚と比例関係にあるターゲット電流積算値により終点検知をすることにより、成膜中に成膜レートが変動しても高精度に膜厚を管理することができ、バッチ毎の膜厚バラツキを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。
【解決手段】 不図示の制御部は、二段階成膜の第一の工程では、静電吸着機構４９を動作させずに基板９と基板ホルダー４４との間の熱伝達効率が悪い状態とし、第二の工程では静電吸着機構４９を動作させて基板９と基板ホルダー４４との間の熱伝達効率を向上させ、ヒータにより効率良く基板９を加熱する。第一の工程でホール９０の内面に厚いベース薄膜９３が作成されるため、第二の工程で比較的低い温度でリフローさせても充分にホール９０内に金属材料が埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】 再生専用型光ディスクにおけるレーザーマーキングが容易にできる光情報記録媒体用Ag合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 (1) 光情報記録媒体に用いられるAg合金反射膜であって、Agを主成分とし、希土類元素の１種以上を合計で１〜10原子％含有すると共にIn，Sn，Al，Mgの１種以上を合計で１〜15原子％含有し、且つ、前記希土類元素の１種以上の含有量と前記In，Sn，Al，Mgの１種以上の含有量との合計含有量が５原子％以上であることを特徴とする光情報記録媒体用Ag合金反射膜、(2) 前記Ag合金反射膜においてBi，Sbの１種以上を0.01〜３原子％含有しているもの、(3) 前記(1) のAg合金反射膜と同様の組成を有するAg合金製のスパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

【課題】内燃機関の燃焼ガスに曝されるチタン部品の疲労強度および衝撃強度を向上する。
【解決手段】本発明による内燃機関用チタン部品は、表面に形成されたセラミックス層７を有している。セラミックス層７は、１０ｎｍを超え７５０ｎｍ以下の厚さを有し、かつ、シリコンまたはアルミニウムを含む。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録層形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 シリカ：２〜１５質量％、酸化クロム：０．０１〜０．５質量％、Ｃｒ：３〜２０質量％、Ｐｔ：１５〜４５質量％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成を有し、前記シリカおよび酸化クロムは粒界に均一分散している組織を有するＣｏ基焼結合金からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ダストを発生させずに基板を静電チャックプレートに静電吸着させる真空処理方法を提供する。
【解決手段】本発明では、潤滑ガスを処理室１内に導入した後、１００Ｐａ程度の圧力下で静電チャックプレート２表面に基板３を静電吸着させる。静電チャックプレート２と基板３との間に潤滑ガスが存在し、潤滑剤として作用するので、基板３が昇温し、熱膨張する際に、基板３裏面と静電チャックプレート２表面との間が摺動しても、ダストが発生しないようになっている。 （もっと読む）

【課題】技術を複雑化することなく、基板のスパッタ・エッチング時のプラズマ強度を高める装置および方法を提供する。
【解決手段】被覆対象である基板を収容した被覆反応器内、特にＰＶＤ被複システム内で、該基板と少なくとも１つの別の電極との間に直流または交流の電圧を印加して一次プラズマを発生させる際に、該プラズマの活性を向上させる装置において、
熱電子放出器、望ましくはフィラメントを備え、該フィラメントは１本の長いフィラメントであるか、または数本の短いフィラメントを直列または並列またはその組合せにより接続したフィラメントであって、直流または交流またはその組合せによって加熱されることを特徴とするプラズマ活性を向上させる装置。 （もっと読む）

【課題】 微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたハーフトーン型位相シフトマスクおよびこれを作製するためのマスクブランクを提供すること。
【解決手段】 フォトマスク基板としての石英などの透明基板１１の一方主面上に、露光光に対して所定の位相シフト量および透過率を有する半透明膜１５と、この半透明膜１５上に設けられた遮光性膜１２とが設けられている。遮光性膜１２は、いわゆる「遮光性膜」であることは勿論、反射防止膜をも兼ねる膜とすることができる。半透明膜１５はその吸収体材料が、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）の双方を含有するハーフトーン材料であるハーフトーン位相シフト層である。ハーフトーン型位相シフトマスクブランクをＡｒＦ露光用のマスク作製用とする場合には、遮光性膜１２の光学濃度ＯＤが、波長１９３ｎｍまたは２４８ｎｍの光に対して１．２〜２．３の範囲の値となるように膜厚と組成が選択される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】一般に、本発明の様々な側面はフラットパネルディスプレイ処理、半導体処理、太陽電池処理、又はその他あらゆる基板処理に使用できる。１の態様において、処理チャンバは、陽極の表面積を増やして、それを処理チャンバの処理領域全体により均一に分布させるために使う１又は複数の陽極アセンブリを含む。１の態様において、陽極アセンブリは、導電部材と導電部材支持部とを含む。１の態様において、処理チャンバは、処理チャンバから大型の要素を取り外さなくても、導電部材を処理チャンバから取り出せるようになされている。 （もっと読む）

【課題】 ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供すべく、最適な基板の凹凸寸法と保護膜層の厚さとの関係を明らかにする。
【解決手段】 段差ｈ（ｎｍ）の凹凸を有する非磁性基板の表面に磁性層と保護膜層を形成したものであって、該凹凸パターンの凸部におけるカーボン保護膜層厚さの最大値をａ、凹部におけるカーボン保護膜層厚さの最小値をｂとしたときに、これらａ，ｂ，ｈの関係が下記式
４．０≦ｂ−ａ≦１９．８・・・・・・・（１）
４．５≦ｂ≦２５・・・・・・・・・・・（２）
４．０≦ｈ≦２０．０・・・・・・・・・（３）
を満足する磁気記録媒体、及びこの磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置。 （もっと読む）