複合フィルムの製造方法、および電子または光電子デバイスの製造方法であって、前記方法は、（ｉ）ポリマー基板層を形成するステップと、（ｉｉ）少なくとも１つの方向に基板層を延伸するステップと、（ｉｉｉ）基板層のポリマーのガラス転移温度より高いが、その溶融温度より低い温度で、フィルム幅１ｍ当たり約１９から約７５ｋｇの範囲の張力において寸法制限下で熱硬化するステップと、（ｉｖ）基板層のポリマーのガラス転移温度より高いが、その溶融温度より低い温度で、フィルムを熱安定化するステップと、（ｖ）平坦化被覆組成物を適用するステップであって、前記被覆基板の表面が、０．６ｎｍ未満のＲａ値および／または０．８ｎｍ未満のＲｑ値を示すようにするステップと、（ｖｉ）高エネルギー気相蒸着によって厚さ２から１０００ｎｍの無機バリア層を提供するステップと、任意で（ｖｉｉ）前記電子または光電子デバイスにおける基板として、前記ポリマー基板層、前記平坦化被覆層、および前記無機バリア層を含む複合フィルムを提供するステップとを含む方法、ならびに前記複合フィルムおよび前記電子または光電子デバイス自体。 （もっと読む）

【課題】表面が平滑で高い光線透過率と導電性を有するＩＺＯ膜をスパッタ法で形成するためのターゲットを提供する。
【解決手段】 少なくとも酸化インジウムと酸化亜鉛を含有してなるスパッタリングターゲットにおいて、酸化インジウムがＩｎ_２Ｏ_３−ｘ（０＜ｘ≦０．２５）で表記され、酸化亜鉛がＺｎＯ_１−ｙ（０≦ｙ≦０．１）で表記されることを特徴とするスパッタリングターゲット、および、化学量論組成からなる酸化インジウムと金属インジウムとＺｎＯ_１−ｙ（０≦ｙ≦０．１）で表記される酸化亜鉛との混合物を焼結することを特徴とする上記スパッタリングターゲットの調製方法。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴａ窒化物から成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１７個／ｃｍ^３以下、Ｔａ以外の重金属元素の含有量が１×１０^１７個/ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が３×１０^１６個/ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔａ材である。 （もっと読む）

【課題】 高品質で光学特性の優れた多層構成の光学用薄膜をローコストで作成でき、スパッタリング成膜装置では、比較的安易には加工できない主に最終層で用いられるフッ化マグネシウム膜部分を真空蒸着装置で加工することができ、尚かつ連続成膜が可能な複合成膜装置の提供。
【解決手段】 レンズ等を含むガラスやプラスティック材、シリコンウエハーや結晶といった部材上にドライ行程にて薄膜を積層させて行く複合成膜装置であって、スパッタリング成膜装置と真空蒸着装置を連結させ、高真空下で成膜基板を搬送させることができ、尚かつ成膜構成の内、最終層のみ真空蒸着器内で蒸着し、それ以外の層の成膜加工はスパッタ成膜装置内でスパッタ蒸着させるプロセスをとることを特徴とした複合成膜装置。 （もっと読む）

【課題】露光時の電子線照射によって、反り調整層に電荷が蓄積され、電子線が偏向し転写精度が低下することのないステンシルマスクを製造するステンシルマスクブランクを提供する。ステンシルマスク、その製造方法、ステンシルマスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板の場合でも、必要な成膜速度を維持してボトムカバレッジ率を向上させることができるようにする。
【解決手段】 カソード２を構成する磁石機構４は、ターゲット５の表面のある場所から出てターゲット５の表面の他の場所に入る漏洩磁力線をターゲット５の表面上に周状に連ねて周状磁界を複数設定する、これによって磁石機構４の静止時には周状となるエロージョン領域５０が交差せずに複数形成される。エロージョン領域５０のうちのエロージョン最深部から最も大きな入射角でスパッタ粒子が基板３０に入射する箇所のその入射角は、一つのエロージョン領域の場合に比べて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 酸化化合物薄膜を形成するスパッタ成膜装置に於いて、マスキング等の物理的遮断機構を用いずに、大口径ターゲットを用いた成膜のスパッタ成膜レートを均一化する為の成膜手段の提供。
【解決手段】 ターゲットと成膜基板間であって、位置的にターゲットと成膜基板間ではあるが、高密度なプラズマの分布領域を避けたターゲットの脇、及び周辺位置に、各々が独立した２個以上の複数のガス導入、供給経路及びガス吹き出し口を持ち、各々から放電ガスや反応ガス、或いは放電及び反応ガスを混合したガスを供給できる機構（供給口）を具備し、そのガス吹き出し口位置とターゲット表面及び端部との距離をｍｍ単位で調整（変えることが）可能に成る機構を持つ構成、及び本発明の各々のガス導入、供給口は、導入ガスの流量をコントロールすることの出来るマスフローとそのマスフローコントローラーを具備し、各々のターゲット毎に決まった流量を決まったガス導入経路から導入、供給することが出来る機構を持つ構成。 （もっと読む）

【課題】非晶質状態が安定でかつ抵抗値が高いために非晶質化の際に流れる電流値が低い相変化記録膜およびその相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：２７〜４５％、Ｓｂ：５〜２０％を含有し、さらにＢ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉおよび希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．５〜８％を含有し、さらにＧａ：０．５〜８％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする相変化記録膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】加圧圧縮時には充填した原料粉末に対して実質的に１軸方向からのみ加圧し、加圧終了後の減圧時には成形体に対して等方的に圧力を開放することが可能な構造を有する成形型を用いることにより、成形時のスプリングバックを効率よく解消して、高い成形圧力での冷間静水圧プレスを可能とする。これにより、バインダー等の有機物を含まない原料粉末を用いて、直接、形状精度の良い成形体を作製することができ、大型で均質、かつ、炭素含有量の少ない焼結体を効率よく高い歩留まりで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 省スペース、小型コストダウンタイプのカソード構造を得るスパッタ用カソード及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 従来１個のターゲット材料に対して１個のカソードを用いるのが通常であったが、本発明は１個のカソードの両面にターゲットを設置することにより、小型、コストダウンを実現する。 （もっと読む）

【課題】例えば反射防止膜の高屈折率膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットにおいて、得られる金属酸化膜の屈折率をより一層高める。
【解決手段】酸化物系スパッタリングターゲットは、（Ｍ_1-aＦｅ_a）_100-xＯ_x（ＭはＴｉ、ＮｂおよびＴａから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、50≦ｘ≦80原子％）の式で実質的に表される組成を有する。金属系スパッタリングターゲットは、Ｍ_100-zＦｅ_z（ＭはＴｉ、ＮｂおよびＴａから選ばれる少なくとも1種の元素、10≦ｚ≦50原子％）の式で実質的に表される組成を有する。 （もっと読む）

【課題】光の透過性を維持しつつ、表面が平滑で、非晶質であり、かつ、成膜時に基板を加熱しなくても比抵抗が小さい透明導電性薄膜を提供する。
【解決手段】タングステン、亜鉛、マグネシウムを含有し、残部がインジウム、酸素および不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００４〜０．０３３、亜鉛がインジウムに対する原子数比で０．００５〜０．０３２、マグネシウムがインジウムに対する原子数比で０．００７〜０．０５６の割合で含有される酸化物焼結体を用いてスパッタリングターゲットを作製する。作製したスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを実施して、透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

金属板をクロック圧延して所望厚さの圧延板とする工程を含む金属の処理方法。スパッタリングターゲットおよびその他の金属部材も開示。
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【課題】シリコン過剰酸化物ＥＬデバイス形成に関するもので、高い発光効率と低費用で、かつドーパントも可能な製造方法を提供する。
【解決手段】ナノメートルサイズのシリコン粒子を内部に含んだ、シリコン過剰酸化物層を形成する方法であって、基板を用意する工程１２と、ターゲットを用意する工程１４と、基板およびターゲットをスパッタリングチャンバに配置する工程１６と、スパッタリングチャンバのパラメータを設定する工程１８と、材料をターゲットから基板上に堆積し、シリコン過剰酸化物層を形成する工程２０と、基板をアニーリングし、その中に、ナノメートルサイズのシリコン粒子を形成する工程２２と、を含む方法１０。 （もっと読む）

【課題】電界発光（ＥＬ）素子および、希土類元素がドープされたシリコン（Ｓｉ）／二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）格子構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板を被うＳｉ層のＤＣスパッタリングする工程１００４と、該Ｓｉ層へドープするための希土類元素のＤＣスパッタリングする工程１００６と、希土類元素がドープされたＳｉ層を被うＳｉＯ_２層のＤＣスパッタリングする工程１０１０と、格子構造を形成する工程１０１２と、希土類元素がドープされたＳｉ層においてナノ結晶を形成するためのアニール工程１０１４とを含む。一形態において、希土類元素およびＳｉは、同時ＤＣスパッタされる。格子構造において、ＳｉＯ_２層と希土類元素がドープされたＳｉ層が交互に複数積層されるように、ＳｉのＤＣスパッタリング、希土類元素のＤＣスパッタリング、およびＳｉＯ_２のＤＣスパッタリングする工程は５〜６０回繰り返される。 （もっと読む）

【課題】
高い可視光透過性をと高い遮熱性を有する低放射ガラスの作製を課題とする。【解決手段】
Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。ガラス基板上に酸化物膜と前記Ａｇ膜の成膜方法でなるＡｇ膜とが交互に２ｎ（ｎ≧１）層をなし、かつ最上層のＡｇ膜の上に酸化物膜が積層されてなる低放射ガラスである。 （もっと読む）

【課題】有機高分子成型物からなる基板上に、透明性および加湿熱信頼性にすぐれるとともに、比抵抗が低すぎることのない、完全結晶化してなる透明導電層を有する透明導電積層体を提供する。
【解決手段】有機高分子成型物からなる基板上に、Ｓｎ原子の量が、Ｉｎ原子とＳｎ原子とを加えた重さに対し、１〜６重量％であるＩｎ・Ｓｎ複合酸化物からなる、膜厚が１５〜５０ｎｍ、ホール移動度が３０〜４５cm² ／Ｖ・Ｓ、キャリア密度が（２〜６）×１０²⁰個／cm³ である、完全結晶化している透明導電層を有することを特徴とする透明導電積層体。 （もっと読む）

【課題】 異常放電、膜剥離若しくはそれらに起因して生じるターゲットノジュール成長の抑制又は発塵源の低減を図る成膜装置を提供することを目的とする。また、本発明は、カソード電極近傍の構造物に対する膜堆積速度を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 負電位を有するカソード電極の対向側に位置する基板に、放電現象により成膜を行うための成膜装置であって、前記カソード電極の外周側、且つ、前記基板側に、接地電位又は正電位を有するアノード電極として、回転自在に構成された少なくとも１本以上の柱状体を、前記カソード電極の外周方向に沿って軸支して配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】再生専用光ディスクにおけるレーザーマーキングが容易にできる光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供を提供する。
【解決手段】(1) Agを主成分とし、Nd，Sn，Gd，Inの少なくとも１種を合計で3.0 原子％超10原子％以下含有すると共にBiを0.03〜10原子％含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(2) Agを主成分とし、Nd，Sn，Gd，Inの少なくとも１種を合計で3.0 原子％超10原子％以下含有すると共にSbを0.01〜３原子％含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(3) 前記Ag合金スパッタリングターゲットにおいてMn，Cu，La，Znの少なくとも１種を20原子％以下含有するもの等。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板をコーティングするためのプラズマ励起装置を改善する。
【解決手段】プラズマ励起装置１にはＤＣ給電部２が配置され、ＤＣ給電部２は電源端子３に接続される。ＤＣ給電部２に対して、並列に第１のＭＦユニット４と第２のＭＦユニット８が設けられ、コーティングチャンバ７内に複数の電極５，６，９，１０が配属される。 （もっと読む）