【課題】
基板を傾斜、回転、冷却また加熱などすることのできる基板ステージにおいて、安定して逆スパッタリング処理を行うことができる逆スパッタリング方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】
スパッタ用ガス導入管１０６からスパッタ用ガスとしてＡｒガスが導入され、チャンバ１０１内の圧力は可変コンダクタンスバルブ１１４によって０．５〜１０Ｐａに調圧される。そしてパルスＤＣ電源１０９によって基板ステージ１０２にパルス電圧が印加される。基板１０８の表面が所定量逆スパッタされた後、パルスＤＣ電源１０８による電圧の印加を止める。 （もっと読む）

【課題】インピーダンス１.５ｋΩ以上のカソードを用いたＤＣスパッタリングにおいて、±２％以上の膜厚再現性を確保する。
【解決手段】成膜したい薄膜の一部または全部からなるターゲット２と、ターゲット２を支えるバッキングプレートとしての下部電極３と、ターゲット２の表面に磁場を発生させる内側磁石４，外側磁石５などからなるインピーダンス１.５ｋΩ以上のカソード部とを具備するＤＣスパッタリング法において、グロー放電中に前記カソード部に流れる電流を±５ｍＡの精度で一定に制御する。 （もっと読む）

セレン化銀のスパッタ堆積方法、及びスパッタ堆積されたセレン化銀膜の化学量論、ノジュール型欠陥の生成及び結晶構造の制御方法。該方法は、約0.3mTorr〜約10mTorrの圧力でのスパッタ堆積プロセスを用いて、セレン化銀を堆積させることを含む。本発明の一視点によれば、ＲＦスパッタ堆積プロセスを、好ましくは、約2mTorr〜約3mTorrの圧力で用いることができる。本発明のもう一つの視点によれば、パルスＤＣスパッタ堆積プロセスを、好ましくは、約4mTorr〜約5mTorrの圧力で用いることができる。本発明のもう一つの視点によれば、アルファセレン化銀とベータセレン化銀の両方を含むセレン化銀膜を、約10mTorrの圧力及び約250W未満のスパッタ電力の下でスパッタ堆積させることができる。
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【課題】 低ノイズ化と耐熱擾乱性の向上を両立させる磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 非磁性の基板と、その上に順次堆積された、ＣｒもしくはＣｒ基合金からなる少なくとも１層の下地層、Ｃｏ基合金からなる少なくとも１層の中間層及びＣｏＣｒ基合金からなる少なくとも１層の磁気記録層とを含んでなり、かつ前記下地層及び（又は）前記中間層が、それぞれ、クリプトンガス及び（又は）キセノンガスの存在においてスパッタリング法によって成膜された薄膜であるように構成する。 （もっと読む）

本発明は半導体ウエハのイオン化ＰＶＤプロセスに関し、単一プロセスチャンバ内の高い均一性の堆積−エッチングプロセスシーケンス及び高アスペクト比形状の被覆能力用状態を供する。プラズマは誘起結合プラズマ供給源で発生維持される。堆積プロセス段階は金属蒸気のＰＶＤ供給源のターゲットから発生中に行われる。ターゲット表面での位置やスパッタリング効率は磁場エンベロープの移動や掃引を生じて磁石の束の移動で増大する。ターゲットはＤＣ供給源から電圧を印加されてスパッタリングされた原子の効率的熱運動化用の有効圧力が堆積中チャンバ内で保持される。ウエハ上での一様な厚さは各磁石の掃引サイクルで形成される。全ターゲット表面に亘る環状の掃引運動を用いた磁場の局在化は、合理的堆積率、高ターゲット利用率、金属原子の高イオン化、一様平坦領域堆積及びエッチング用状態、ウエハ中心及び端でＨＡＲ形状の被覆率に略同一な状態を生じる。
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【課題】 正常時に経時変化するパラメータに対して異常変動が生じた場合に、異常を検知することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 まず、異常判断部は、受信部より所定時刻（第２時刻）の第２印加電圧値を入力する（Ｓ１０１）。そして、所定時刻の直前の時刻（第１時刻）に受信部から入力した正常な第１印加電圧値に基づいて、許容範囲を設定する（Ｓ１０２）。続いて、設定した許容範囲に第２印加電圧値が入っているかを判断する（Ｓ１０３）。そして、第２印加電圧値が設定した許容範囲から外れている場合、第２印加電圧値が異常値であると異常判断部は判断してアラームを送信部に出力する（Ｓ１０４）。一方、第２印加電圧値が設定した許容範囲に入っている場合、第２印加電圧値が正常値であると異常判断部は判断する（Ｓ１０５）。以下、上述した動作を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 合成樹脂成形物の表面に有機化合物が吸着されることを抑制する技術を開発すること。
【解決手段】 プラズマを用いた薄膜形成技術により、合成樹脂成形物の表面に金属、珪素またはそれらの酸化物の薄膜層を形成すれば、有機化合物の合成樹脂成形物への吸着を抑制することができる。 （もっと読む）

プラズマ処理システム(10)と方法は、金属流動シールド(42)が誘電体ウインドウを保護する時ほどでない制限的要件を持てる方法で、内部の高濃度プラズマ(30)を維持する真空チャンバ(12)の内部コイル(40)を提供する。シールドはコイルをプラズマ熱負荷からも保護する。コイルは積極的に冷却しなくてよい。若干の金属がシールドを通過できコイル上に蒸着できる。これは、外部コイル形態のシールドほど複雑でないスロット(43)を備えた薄いシールドをもたらす。シールドの良好なＲＦ透明性は、遥かに簡単なシールド形状の結果である。コイルはスパッタリングされず消耗品でない。コイルは小さな導電空間に囲まれ、インダクタンスを減らし、コイル電流と電圧を減少し、調整回路(22a)とＲＦコネクタの設計と構成を順に単純化する。スティフナ(45)はコイルを支持し、金属蒸着による導電性通路の形成を避けるよう作られる。
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【解決手段】 高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜、第２層として耐エッチング膜及び第３層として導電膜が順に積層されてなる防湿性透明導電性フィルム、及び高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜及び第２層として耐エッチング膜が順に積層されると共に、上記高分子フィルムの他面に導電膜が積層されてなる防湿性透明導電性フィルム。
【効果】 本発明の防湿性透明導電性フィルムは、導電膜のエッチングによるパターニングによって防湿性が損なわれることがなく、特に、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜を同一の成膜法にて成膜したものは、簡略化された成膜工程により防湿性に優れた透明導電性フィルムとして製造でき、また、簡易な層構成であることから、工程管理やコストの面で有利である。 （もっと読む）

窒化チタン基光学コーティングにおいて、窒化チタン層（１８）と基層（１２）との間に損傷遅延基層（１６）を施与することにより、コーティングの構造的安定性が向上される。光学コーティングがソーラー制御を与える場合には、窒化チタン層は主として所望の光学的特性を達成するために選択される。損傷遅延層の厚さは主として所望の光学的特性を達成するために選択される。損傷遅延層の厚さは主として所望の機械的特性を達成するために選択される。損傷遅延層は灰色金属から形成され、ニッケルクロムが好ましい金属である。灰色金属層は窒化チタン層が割れる可能性を低減する。そのような層が割れれたり虫跡を形成する傾向は、基層をプラズマプレグロー（８８）に露光するかおよび／または層が形成される基層の側に滑剤（１４）を用いることにより、さらに低減される。
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【課題】 電気抵抗が低く、かつ、耐凝集性に優れた金属薄膜（Ａｇ系薄膜）および透明導電体、及び、耐硫化性および耐凝集性に優れたＡｇ系反射膜を提供する。
【解決手段】 (1) 第１層としてＡｇ薄膜を有し、その上に第２層として貴金属元素であるＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔの１種以上を含有するＡｇ合金膜を有するＡｇ系２層膜であって、前記Ａｇ合金膜の膜厚をＹ（ｎｍ）、前記Ａｇ合金膜での貴金属元素の含有量をＸ（ａｔ％）、前記Ａｇ薄膜の膜厚をＺ（ｎｍ）としたときに、Ｙ≧８／Ｘであると共に、Ｙ＋Ｚ≧５であることを特徴とするＡｇ系２層膜、(2) 透明基体上に透明膜が形成され、その上に前記Ａｇ系２層膜が形成され、その上に透明膜が形成されていることを特徴とする透明導電体、(3) 前記Ａｇ系２層膜でのＸが２５ａｔ％以上、Ｙが８ｎｍ以上であり、且つ、Ａｇ薄膜及びＡｇ合金膜が希土類元素を０．０５〜３．０ａｔ％含有するもの等。 （もっと読む）

高アスペクト比形体内に金属又は他のコーティング材料のコンフォーマルな膜を蒸着するための蒸着システム１００及びその作動方法が開示される。蒸着システムはプラズマを形成し蒸着システム１００に金属蒸気を導入するためのプラズマ源１２０及び分散型金属源１３０を備える。蒸着システムは一つのプラズマ密度を有するプラズマを形成し、一つの金属密度を有する金属蒸気を生成するように設計されており、基板近傍での金属密度対プラズマ密度の比は一以下である。基板の直径の略２０％の長さである基板１１４の表面からの距離内において、このような比となっている。実質的に基板表面に亘りプラスマイナス２５パーセント内でこの比は一様である。１０^１２ｃｍ^−３を越えるプラズマ密度に対してと、膜の最大の厚さが例えば形体の幅の１０パーセントといった形体の幅の半分以下であるナノスケール形体を有する基板上の薄膜蒸着に対して、この比は特に有効である。
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スパッタチャンバ（７０）及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー（７２）はチャンバ内のＲＦコイル（４６）の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ（３２）上にスパッタするためにスパッタターゲット（３８）が給電されるスパッタ堆積モードとＲＦコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のＲＦコイルにおいては、コイルにＤＣバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。 （もっと読む）

スパッタリングターゲットは、タンタル粉末を一体化成形することにより生成するタンタル結晶粒とスパッタリング面を有するタンタル体を含む。スパッタリング面は、基板を被覆するために、タンタル原子をスパッタリング面から離して移送する原子移送方向を有する。タンタル結晶粒は、スパッタリングの均一性を増すように、スパッタリング面から離れる原子移送方向において、少なくとも４０パーセントの（２２２）方向の配向率と、１５パーセント未満の（１１０）方向の配向率を有し、タンタル体は後方散乱電子回折により検出できる（２００）−（２２２）方向バンドが無く、前記スパッタリングターゲットは、少なくとも９９．９９（％）パーセントの純度を有する。
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ｉＰＶＤのための容量性プラズマ源（２２）が強い局所的な磁界（３１）に埋設され、ｉＰＶＤの誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源とのドロップイン(drop−in)交換品とすることができる。この源（ソース）は、それの後方に、電極表面にわたって放射状に伸びる磁界を有する電極表面に一様に平行な表面磁石（３３−３５）を含んだ磁石パック（９０）を持つ環状の電極（２３）を含む。内側および外側の環状リング磁石（それぞれ３６および３２）のような磁石は、電極に最も近い極が表面磁石の隣接した極と同じ極性である状態で、電極と交差する極軸を持っている。強磁性のハックプレート（３７）またはバック磁石（３７ａ）は磁石（３２，３６）の後方の極を相互接続する。磁石パック（３０）後方の強磁性シールド（３７ｂ）はｉＰＶＤ材料源（２１）から離れる磁界（３１）を閉じ込める。
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【課題】 時間経過による良好な安定性と良好な再現性を持ちながら、なお電気アーク形成の危険を減らし、好ましくは高出力の電気放電を発生することを可能とするパルス型マグネトロンスパッタリングにより物質を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】 この課題は、マグネトロン陰極に付与される各主電圧パルスに先立ち、主電圧パルスの遮断後の電流パルスの減衰時間が５μｓ未満の電流パルスを発生するようにガスが予備イオン化されることにより達成された。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。
基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、基板上に光吸収性を有する酸化スズ膜を形成する工程、光吸収性を有する酸化スズ膜の一部をエッチング液で溶解してパターニングする工程、パターニングされた光吸収性を有する酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含むことを特徴とする透明電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好なＸ線コントラスト、生体適合性、および耐腐食性を付与する十分な厚みの放射線不透過性コーティングを有する医療装置を提供すること。
【解決手段】医療装置であって、剥離することなくこの医療装置の使用に固有の大きな歪みに耐えることができる放射線不透過性コーティングを備えている。ステントなどの医療装置の熱機械特性に悪影響を及ぼさないように、蒸着によりステントにＴａコーティングを施す。 （もっと読む）

安価に製造することができ、高密度のスパッタリングターゲットを得ることができ、ターゲットのライフを伸ばすことができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 Ｉｎ−Ｓｎ酸化物を主成分とする酸化インジウム−酸化錫
粉末であって、Ｘ線回折で間化合物Ｉｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２が検出されず、Ｉｎ_２Ｏ_３（２２２）積分回折強度及びＳｎＯ_２（１１０）積分回折強度の比から求められるＳｎＯ_２の析出量（質量％）から算出される、Ｉｎ_２Ｏ_３中のＳｎＯ_２固溶量が２．３質量％以上であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末にある。 （もっと読む）