【課題】 高品質であって、かつ生産効率が高い薄膜形成が可能なスパッタリング装置及
び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、スパッタリング用ターゲットを用いて薄膜形成させるスパッタ
リング装置であって、バッファー槽を備え、当該バッファー槽の周囲に、少なくともスパ
ッタリング用真空槽と、アッシング用真空槽と、を配置するとともに、バッファー槽を介
して、各真空槽へ基板を移送するための移送手段を備えたスパッタリング装置とし、それ
を用いて電気光学装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射膜および半透明反射膜並びにそれら反射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００５〜０．１質量％、Ｅｕ：０．００２〜０．１質量％を含有し、さらに必要に応じてＰｒ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの内から選ばれる１種または２種以上を合計で０．０５〜０．２質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ場を発生させるための陽電荷源としての役割も果たすガス供給装置を用いたマグネトロンスパッタリング装置を提供する。前記スパッタリング装置は、真空チャンバ、スパッタ可能な物質の陰極ターゲット、正および負の電荷を供給する電源、並びに、ガス供給装置を備えている。前記ガス供給装置は、シンプルな穴あきガス供給部材を備えていてもよいし、導電性陽極表面が付与された穴あきガス供給部材を備えていてもよい。前記ガス供給部材は、また、スパッタリングガスの流れを調節する役割を果たす、更に多くの穴のあいた内部導管を備えていてもよい。ガス流は、前記ガス供給装置の個別の部分の内部で調節してもよい。前記ガス供給装置の陽極表面は、プラズマおよびガス流の作用により清浄化され、より安定したプラズマを発生させ、メンテナンスの必要性を低減させる。
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【課題】成膜速度を上げ、かつ、膜厚分布の均一性を向上させることができるＤＣ又はＤＣパルススパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２０内には、カソード２１が設置されている。カソード２１上には、ターゲットＴが載置される。処理チャンバ２０の上面には、防着板２３が配置されている。防着板２３上には、基板ホルダ２４が設けられており、この基板ホルダ２４には、シリコン基板２５が保持されている。処理チャンバ２０の側面には、ガス源２６からガス導入管２７を通じてガスが導入される。防着板２３の電位と基板ホルダ２４の電位が等しく、かつ、フローティングである。 （もっと読む）

ＰＶＤ処理の使用により、切断刃には、単相の三元またはより複数の酸化物である被覆が設けられる。含まれる主部成分及び副部成分の含有量を原子百分率について適切に規定することにより、形成された酸化物の歪みは、特定の方法で、前記酸化物の特性に影響を及ぼすために、制御可能である。その代わりに、層は、非晶性地の相、並びにそこに埋め込まれた酸化物結晶子を有することが可能である。その酸化物結晶子は、二元、三元またはより複数であることが可能である。１以上の異なる型の結晶子は、互いに隣接して存在可能である。 （もっと読む）

【課題】複数の磁気記録媒体を生産性良く製造でき、磁気記録媒体の面内での電磁変換特性のバラツキが少なく、また製造歩留まりの高い磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】（１）基板上に、ターゲットを用いてスパッタリング法により、薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、スパッタリング中に円環状侵蝕領域が形成されるターゲットと複数枚の基板を載置した基板ホルダーとを中心軸を一致させて平行に対向配置する。そして円環状侵蝕領域の最深部のターゲット中心からの距離をＲ１、円環状侵蝕侵蝕領域の最内周のターゲット中心からの距離をＲ２、基板外径端の基板ホルダー中心からの最長距離をＲ３、最短距離をＲ４としたとき、Ｒ３／Ｒ１が１．１以下であり、かつＲ４がＲ２以上である位置に基板を基板ホルダーに配置して薄膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルムの少なくとも片面に、接着剤層を介することなく、金属層が形成された層構成を有し、樹脂フィルムと金属層との間の密着性に優れ、熱劣化試験後にも高い剥離強度を示す複合フィルムを提供する。
【解決手段】 樹脂フィルムを、酸素濃度０．０１％以下の不活性ガス気流中で１．０×１０^-1Ｐａ以下の真空度に保持して、脱ガス処理を行う工程１；樹脂フィルムの表面に対し、酸素濃度０．０１％以下の不活性ガス気流中で１．０×１０^-3Ｐａから１．０×１０^-2Ｐａまでの間の真空度を保持しながら、直流電界を印加すると同時に、０．２Ｗ／ｃｍ²以上の印加パワーで１０秒間以上真空放電処理を行う工程２；及び樹脂フィルムの表面に、酸素濃度０．０１％以下の不活性ガス気流中で、スパッタリング法により金属層を形成する工程３；を連続的に実施する複合フィルムの製造方法、並びに工程１及び２を含む樹脂フィルムの表面改質方法。 （もっと読む）

【課題】 優れた電気伝導性を示すと共に、大気中で繰り返し高温加熱処理が施された場合であっても、優れた耐凝集性を示すフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜を提供する。
【解決手段】 フラットパネルディスプレイ用の配線電極膜であって、Ｂｉを０．０１〜１．５ａｔ％含有し(Ｃｕ、Ａｕ及びＰｄよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１．５ａｔ％含んでいてもよい）、残部実質的にＡｇからなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜。 （もっと読む）

【課題】コストを低減すると共に、歩留まりを向上させる。
【解決手段】非滑面領域１８ｂ近傍で電離したアルゴンイオンは、ターゲット９表面の非滑面領域１８ｂに衝突し、ターゲット９からスパッタ粒子を放出させて非滑面領域１８ｂを削る。非滑面領域１８ｂから放出され、ガラス基板１３に向かずに中央部の滑面領域１８ａに向かい、滑面領域１８ａに衝突したスパッタ粒子は、滑面領域１８ａが、その表面粗さが、少なくともアンカー効果が無視できる所定値以下の値とされているために、滑面領域１８ａに再付着せずに、このまま落下する。したがって、滑面領域１８ａに堆積して突起部を形成して、ある程度の大きさに成長した後に落下したり、異常放電の原因となることもない。 （もっと読む）

【課題】基板上に薄膜を被着するための装置を提供する。
【解決手段】アノードがコンテナすなわち容器の形態であり、かつカソードと連絡する導電性表面がこのコンテナすなわち容器の内部表面であるようなスパッタリング・アノードを開示する。このアノードは、コーティング・チェンバの外部に装着することができ、このチェンバと連絡する開口部を有し、また別法ではこのチェンバの内部に装着することもできる。このアノードは、プラズマの形成に使用するための希ガスを受け入れるため、およびアノードを加圧するための流入ポートとすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスおよび高い生産レートで基板上に材料を堆積する技法に関し、堆積した膜は予想された厚み分布を有し、装置は、非常に長期間にわたって連続して、かつ、反復して動作することが可能である。
【解決手段】本発明は、サイクル時間を減らすことによって生産の増加を実現する。コーティング・レートの増加は、遊星駆動システムを大きな陰極と結合することによって達成される。陰極直径は、遊星の直径より大きく、かつ、遊星の直径の２倍未満である。アーク放電を抑制する、陰極における低い電力密度によって低い欠陥率が得られ、一方、マスクを使用することなく、遊星に対する陰極の幾何形状によってランオフが最小になる。 （もっと読む）

処理チャンバ内の基板に対面するスパッタ・ターゲットの表面上に仕事関数還元剤を導入し、酸素ガスとインサート・ガスとを処理チャンバ内に供給し、酸素ガスと不活性ガスとをイオン化することによって複数の電子を生成し、スパッタ・ターゲットから複数の陰荷電イオンを解離させ、イオン化された酸素ガスで反応した陰荷電イオンから酸化物薄膜を基板上に形成する、酸化物薄膜の形成方法。本発明は、広い範囲での応用に適しているが、特に、高充填密度、高屈折率、低応力性、低表面粗度に関して、望ましい特質を持った酸化物薄膜を形成するのに適している。 （もっと読む）

【解決手段】 非導電性材料を使用して又は低抵抗電流経路を設けて、電流がベアリングを通って流れることを実質的に防止することによって、又は、様々なベアリング構成要素間のアーク放電を防止するやり方で、電流がベアリングを通って流れることを許容することによって、ベアリングの滅損を低減する構造を有している回転マグネトロン組立体が開示されている。 （もっと読む）

高蒸着スパッタリングのための方法および装置が記載されている。スパッタリング源は、アノードと、アノードに隣接して配置されたカソードアセンブリとを備える。カソードアセンブリは、スパッタリングターゲットを備える。電離源は、アノードおよびカソードアセンブリの近傍に弱電離プラズマを発生させる。電源はアノードとカソードアセンブリとの間に電場を形成させ、電場は弱電離プラズマから強電離プラズマを創り出す。強電離プラズマは第一の複数のイオンを含み、第一の複数のイオンはスパッタリングターゲットに衝突してスパッタリングターゲット中に十分な熱エネルギーを発生させ、スパッタリングターゲットのスパッタ率をスパッタリングターゲットの温度に非線形に関連させる。
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【課題】 金属と炭素とを含む膜における金属と炭素との組成比率の制御性を高めた成膜方法及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】 回転体２の外周面２ａに保持され、導電性を有する板状または箔状の被成膜体１を、成膜室５ａ内の第１領域に移動させて、その第１領域に配置された少なくとも１種類の金属を含む第１ターゲット４ａから放出された金属原子を被成膜体１に付着させるステップと、被成膜体１を、成膜室５ａ内の第２領域に移動させて、その第２領域に配置された炭素を含む第２ターゲット４ｂから放出された炭素原子を被成膜体１に付着させるステップと、を交互に行うことにより金属と炭素とを含む膜を被成膜体１に形成する。 （もっと読む）

【課題】トップエミッション型有機ＥＬ発光素子の上面側の電極に適する低抵抗性の透明導電膜を室温で製膜する。
【解決手段】基板１の上に第１の電極２を形成し、その上に発光層３を形成し、その後、ガリウム添加酸化亜鉛を主成分とするターゲット材１１を用い、酸素ガスを含有しない雰囲気とし、スパッタ装置内空間１０にＡｒガスのフローのみを流入し、かつ基板１に対して加熱することなく、通常レベルの磁場１２を備えるスパッタ法によりガリウム添加酸化亜鉛膜をマスク１５越しに基板１の上に製膜する製造方法を提供する。 （もっと読む）

導電性スパッタリング材を用いて、スパッタリング法により、金属酸化物膜と酸化ケイ素膜との多層膜を基板の上に高速成膜して、膜の応力が緩和された多層膜付き基板とそのような低応力の多層膜付き基板を製造する方法の提供。基板上に、少なくとも金属酸化物膜と酸化ケイ素膜とを１回以上繰返し積層してなる多層膜付き基板であって、該金属酸化物膜の少なくとも１層が化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物ＭＯ_Ｘをターゲット材に用いてスパッタリングを行うことにより成膜されてなる酸素不足が解消された金属酸化物膜であり、かつ該多層膜の応力が−１００ＭＰａ〜＋１００ＭＰａであることを特徴とする多層膜付き基板。
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【課題】 トライボロジカルな性質が改善されたアルミニウム合金を提供すること。
【解決手段】 少なくとも軟質相と硬質相とを埋め込んだアルミニウムマトリックス（20）を有する、トライボロジカルに負荷される表面を被覆するためのアルミニウム合金において、アルミニウムマトリックス（20）中の軟質相および／または硬質相がほぼ微細に分布していて、軟質相もしくは軟質相粒子（18）の少なくとも80％が最大３μmの平均直径を有しているように、構成する。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】Ｔｉ原料からＡｌを除去してＡｌ濃度が３ｐｐｍ以下であるマグネトロンスパッタリング装置用Ｔｉ材を調製し、このＴｉ材を用いてＡｌ含有量が原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下であり結晶質または非晶質であるコンタクトバリアー又はゲート電極層をスパッタリング法により形成することを特徴とするソース−ドレイン領域の接合深さが０．３μｍ以下である半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。
【解決手段】カルコゲン化合物ターゲット及び基板にマイナスの値とプラスの値の間をスイッチングするパルス直流バイアスを提供する。マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。プラスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲット表面に局所的に蓄積された不活性ガスイオンがカルコゲン化合物ターゲットから離脱される。不活性ガスの蓄積による放電がなく、不純物ドーピング濃度が増加したカルコゲン化合物薄膜を形成することができ、カルコゲン化合物薄膜の比抵抗を増加できる。 （もっと読む）