【課題】 ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供すべく、最適な基板の凹凸寸法と保護膜層の厚さとの関係を明らかにする。
【解決手段】 段差ｈ（ｎｍ）の凹凸を有する非磁性基板の表面に磁性層と保護膜層を形成したものであって、該凹凸パターンの凸部におけるカーボン保護膜層厚さの最大値をａ、凹部におけるカーボン保護膜層厚さの最小値をｂとしたときに、これらａ，ｂ，ｈの関係が下記式
４．０≦ｂ−ａ≦１９．８・・・・・・・（１）
４．５≦ｂ≦２５・・・・・・・・・・・（２）
４．０≦ｈ≦２０．０・・・・・・・・・（３）
を満足する磁気記録媒体、及びこの磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金半透明反射膜およびこの半透明反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ：０．１〜０．５質量％未満、Ｃａ：０．０１〜０．１質量％を含有し、さらにＰｒ，Ｅｕ，Ｓｍの内から選ばれる１種または２種以上を合計で０．０１〜０．３質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体の半透明反射膜およびこの光記録媒体の半透明反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施例は一般的に材料のスパッタリングに関する。特に、本発明はアーク発生を防ぐために大面積基板の物理気相蒸着処理の間に使用されるスパッタリング電圧に関する。
【解決手段】発明の一実施例は、４００ボルトより低い電圧で四角形基板上で材料をスパッタリングするための装置を記述し、この装置は、四角形基板上で材料をスパッタリングする間に４００ボルトより低い電圧でバイアスされるスパッタリングターゲットと、スパッタリングターゲットを囲む接地シールドを備え、接地シールドとスパッタリングターゲットの間の最短距離がプラズマ暗部の厚さより小さく、スパッタリングターゲットの背面のマグネトロンを備え、マグネトロンの端部は接地シールドに重なり合わなず、スパッタリングターゲットと基板との間に配置され、スパッタリング処理の間に接地されたアンテナ構造体を備えている。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体における信号対雑音比の改善及びデータ記録容量の増大を図る。
【解決手段】スパッタターゲットは、コバルト(Ｃｏ)、０より多く２４原子％以下のクロム(Ｃｒ)、０より多く２０原子％以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子％以下のホウ素(Ｂ)及び０より多く１０原子％以下の金(Ａｕ)を含む。このスパッタターゲットは、更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン(Ｗ)，イットリウム(Ｙ)，マンガン(Ｍｎ)及びモリブデン(Ｍｏ)からなるグループから選択される。このスパッタターゲットは、更に０〜７原子％までのＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、チタン(Ｔｉ)，バナジウム(Ｖ)，ジルコニウム(Ｚｒ)，ニオブ(Ｎｂ)，ルテニウム(Ｒｕ)，ロジウム(Ｒｈ)，パラジウム(Ｐｄ)，ハフニウム(Ｈｆ)，タンタル(Ｔａ)及びイリジウム(Ｉｒ)からなるグループから選択された１つの元素である。磁気記録媒体３００は、このスパッタターゲットでスパッタリング形成したデータ記録薄膜層３０６を有する。 （もっと読む）

【課題】 非導電性のディスク基体を用いた磁気記録媒体を高い量産性で製造する。
【解決手段】 ハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体の製造方法であって、非導電性のディスク基体１２を準備する準備工程と、回転可能な台部２０２と、台部２０２に設けられた保持部２０４と、バイアス印加用端子２０６とを備える基板アダプタ１０２を用いて、バイアス印加用端子２０６をディスク基体１２に接触させない状態で、保持部２０４にディスク基体１２を保持させる保持工程と、ディスク基体１２上に導電性膜を成膜する第１成膜工程と、台部２０２を回転させることにより、ディスク基体１２にバイアス印加用端子２０６を接触させる接触工程と、バイアス印加用端子２０６を介してバイアス電圧を印加しつつ、次の層を成膜する第２成膜工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】静電チャックより基板を離脱させる際の残留吸着力を低減させる技術、及び、離脱の際の状態を判断できる技術を提供する。
【解決手段】残留電荷量はウエハ１の搬送状態に影響を与えるので、静電チャックプレート３上からウエハ１を離脱させる際に、流れる電流値を検出し、静電チャックの残留電荷を算出し、残留電荷量を求めることにより、ウエハ１の搬送状態を知る。また、更に、残留電荷量に応じ静電吸着とは逆極性の逆バイアスを印加するようにし、残留電荷を消滅させる。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットのライフを伸ばすことができ、また、高密度なスパッタリングターゲットを得ることができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末を含む混合粉末からなる原料粉末を焼成してスパッタリングターゲットを製造する際に、少なくとも酸化インジウムを１１００℃〜１３００℃で仮焼して原料の混合粉末とし、この混合粉末を前記仮焼した温度から１５０℃以上高い温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】 被処理対象物に与えるダメージを抑え、かつ成膜速度の高い成膜方法、および格子欠陥の発生を抑制した半導体レーザ素子の電極形成方法を提供する。
【解決手段】 エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子１のオーミックメタル層１１の積層方向Ｚの一方側の表面６６上に、高周波スパッタリングを用いてＲＦバリアメタル層１３を形成する。次にＲＦバリアメタル層１３の積層方向Ｚの一方側の表面６７上に、直流スパッタリングを用いてＤＣバリアメタル層１４を形成し、ＲＦバリアメタル層１３およびＤＣバリアメタル層１４から成るバリアメタル層を形成する。次にＤＣバリアメタル層１４の積層方向Ｚの一方側の表面７１上に、直流スパッタリングを用いてボンディングメタル層を形成し、バリアメタル層およびボンディングメタル層１５から成る第２電極１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を保持しながら耐熱性に優れた薄膜を形成できる薄膜形成用材料。
【解決手段】０．０１〜３５ａｔ％（原子％）のＣを含有するＡｇを基とした組成で構成されている薄膜形成用材料であり、更に、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅの群、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕの群、並びにＢ，Ｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｍｇ,Ｔｅ，Ｂｉの群から選ばれた少なくとも一種を０．０１〜１０ａｔ％を含有してもよい薄膜形成用材料。 （もっと読む）

【課題】ターゲットと基板支持部を有する物理気相蒸着チャンバで用いられる電力供給源を提供する。
【解決手段】基板支持部に対しスパッタリング電圧でターゲットをバイアスし、物理気相蒸着チャンバ内でアーク放電が検出された後、約１秒間に約１０回又はそれ以上、逆方向電圧でターゲットをバイアスするように構成された電源を備えている。 （もっと読む）

【課題】 アーカイバル特性と高速でのオーバーライト特性とを両立することができるようにする。
【解決手段】 第１の基板１１上に、記録再生光の入射方向から順に、上層誘電体層１２、界面層１３、記録層１４、下層誘電体層１５、反射層１６が順次積層されて、その上に保護層１７を介して第２の基板１８が設けられる。記録層１４がＳｎ_xＩｎ_yＧａ_zＳｂ_w（但し、３≦ｘ≦７、０≦ｙ≦７、６．８≦ｗ／ｚ≦８．８）により構成される。ｘ、ｙが３≦ｘ≦７、０≦ｙ≦７の範囲から外れると、高速で情報信号の記録を繰り返した場合にオーバーライト特性が低下してしまう。ｗ／ｚが６．８未満であると、高速で情報信号の記録を繰り返した場合にオーバーライト特性が低下してしまう。反対にｗ／ｚが８．８を越えると記録マークの形成が困難になる。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜などの金属膜における開口部の内周縁部の凸凹を抑制して、この開口部を通した画素部間の受光感度ばらつき低減や、受光感度特性およびスミア特性の向上を図る。
【解決手段】 タングステンを含む母材を用いて、窒素ガス流量の全ガス流量に対する比の値を０．７〜１．０未満としてスパッタリングを行うことにより、受光部（画素部）１０１上の遮光膜１０５を選択的に除去して開口部１０５Ｃを形成する際に、遮光膜１０５の内周縁部の凸凹部１０５ａを２０ｎｍ以下に抑制して、遮光膜１０５のグレインサイズを１００ｎｍ以下に抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴｉ−Ｗから成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下、Ａｌ，Ｔｉ，Ｗ以外の重金属元素の含有量が５×１０^１６個／ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が５×１０^１６個／ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ−Ｗ材である。 （もっと読む）

【課題】酸素又は窒素が化学量論比よりも少なく、かつ組成が正確に制御された金属酸化物又は金属窒化物よりなる導電性化合物薄膜及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】フィードバック制御を行いながら成膜を行い、図４の通り、酸素流量の測定値を横軸、酸素の発光強度の測定値を縦軸にとってプロットする。酸素流量の極大値Ａ及び極大値Ｂから、Ｃ＝Ａ−α（Ａ−Ｂ）を計算し（但し、αは０より大きく０．５以下の所定値。）、Ｓ字カーブ上における酸素流量値がＣであるときの発光強度値Ｐ、Ｑ（但し、Ｐ＜Ｘ＜Ｑ＜Ｙ。）をグラフから求める。発光強度がＰ以上Ｑ以下の範囲となるようにフィードバック制御を行いながら、成膜を行う。 （もっと読む）

マグネトロンスパッタリングシステムで、ピーク電力密度が１ｋＷ／ｃｍ^２超で、ピーク電力を０．１ＭＷ〜数ＭＷまで供給できる能力を有するパルスＤＣ電源を備えたシステムが提供される。高度イオン化状態のスパッタリングプラズマが、最初にアーク放電状態となることなく、生成する。電源には、パルス回路を含み、そのパルス回路は、エネルギー蓄積キャパシターと、プラズマからパルス回路を遮断するためのスイッチ手段を有するインダクターと直列に接続しており、その手段はまた、アーク条件を検出し、インダクターエネルギーをエネルギー蓄積キャパシターへとリサイクルする。そのエネルギー蓄積キャパシターと、直列に接続したインダクターは、プラズマに見合ったインピーダンスを供給し、電流の立ち上がり速度と、アーク時のピークの大きさを制限し、プラズマへの電圧パルスを整形する。
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【課題】 薄膜を緻密な構造にせしめる事による薄膜堆積速度の低下を最小限に抑え、かつ光学特性の経時変化を最小に抑える方法を提供することによって生産性を向上させることを目的とするものである。
【解決手段】 減圧雰囲気中の基板にターゲットのスパッタリング粒子を被着させて酸化物薄膜を成膜する工程を有し、前記減圧雰囲気中にアルゴンガスおよび酸素ガスを導入した条件で成膜した後、放電を停止あるいは条件を変更することなく、アルゴンガスと酸素ガスの他にさらに水分を添加して成膜を続行した後に完了する。 （もっと読む）

【課題】 装置本体のチャンバー部大きくなるか又は、２室以上の真空槽必要となる為、装置が大型化したり、装置費用が高額になるというコストの問題が発生していた。
【解決手段】 円筒状のターゲットユニットにおいて２種以上の膜形成を行なう為に、円筒状のターゲットを連なって配置し、円筒状のカソード電極及び、アノード電極を共にスムースさせてプラズマを発生させる事により、従来１元ごとに構成していたターゲットユニットを簡略化することで、装置コストを大幅に削減する事が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ２種類以上の物質から安定した光学性能を有する混合膜を得ることができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法並びにこの薄膜形成方法によって成膜された光学薄膜を提供すること。
【解決手段】 成膜される第一基板３に成膜物質を提供する第一スパッタリングターゲット５及び第二スパッタリングターゲット６と、第一基板３が配される第一ヤトイ１２及び第二基板１３が配される第二ヤトイ１５が配される回転保持具１６と、回転保持具１６を回転移動して第一位置１８と第二位置２０との間で第一ヤトイ１２及び第二ヤトイ１５を通過させる回転モータ２２と、回転保持具１６と第一スパッタリングターゲット５との間に配されて可変する第一開口部を有する第一可変機構２５と、回転保持具１６と第二スパッタリングターゲット６との間に配されて可変する第二開口部を有する第二可変機構２７と、第二基板１３の成膜状態を検出する測定器とを備えている。 （もっと読む）

【課題】現行の厳しい光学特性（位相差、透過率）のばらつきのスペックに対し、光学特性（位相差、透過率）のばらつきを更に低減できる位相シフトマスクブランク等を提供する。
【解決手段】 透明基板上に、露光波長に対し所定の透過率を有する光半透過膜を形成した位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
前記透明基板４０上に、金属、シリコン、窒素及び／または酸素を主たる構成要素とする光半透過膜４１を形成し、該光半透過膜４１の熱処理を例えば加熱プレート３０等によって行った後、該熱処理を行った直後の光半透過膜４１を、面内均一冷却速度で冷却しうる冷却手段であって、かつ強制的に冷却しうる冷却手段（例えば冷却プレート３１等）によって冷却処理することを特徴とする。 （もっと読む）

ポンプ・モジュールまたはスパッタリング・モジュールなどのモジュールは、モジュール・コーティング・システムなどのコーティング・システムの、ポンプ区画またはスパッタリング区画などの区画に適合するまたは被覆するのに十分な蓋アセンブリを含む。スパッタリング・モジュールは、電源装置を含み、電気入力を受けるため、およびスパッタリング区画内でスパッタリングのために十分な電気出力を供給するために十分である。ポンプ・モジュールは、少なくとも１つのポンプを含み、ポンプを操作するのに十分な電気入力を受けるために十分である。モジュール、外部源、部品または装置と、区画との様々な接続は、自動的に、および／または手動でなされてもよい。制御接続は、外部コントローラまたは中心コントローラが、コーティング・システムの特有の区画に関連する特有のモジュールを認識することができてもよい。
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