【課題】シリコン基板上のＭＯＳＦＥＴにおいて、非常に薄い厚みを有し、膜質の高い均一性を有し、より高い誘電率を有する誘電体膜を堆積する装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング装置であって、ウエハー２２が配置されるウエハーホルダ１１と、ウエハーホルダ１１の回転軸から外れた上方に傾斜して設けられたターゲット１２と、ウエハーホルダ１１の下方に該ウエハーホルダ１１を挟んでそれぞれ設けられたガス導入部１７と排気ポート１６とを設ける。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】シャッタ板１５は、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間にターゲット１８を遮蔽するための遮蔽面１５Ｕを有し、また、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間に基板Ｓ側に向かって凹設された凹部１５Ｂとを有する。そして、シャッタ板１５は、ターゲット１８のプレスパッタを実行するとき、その凹部１５Ｂとターゲット１８とを対向させ、ターゲット１８の本スパッタを実行するとき、その開口１５Ａとターゲット１８とを対向させる。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材および該磁性材とは異種材料のターゲット２１，２１をそれぞれ保持するためのカソード２，２を、前記ターゲット２１，２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１，２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構、前記カソード２，２の背後に位置するマグネット２２，２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための回転駆動手段を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２に対して傾斜した複数のカソード１１ａ、１１ｂを有し、該カソード１１ａ、１１ｂに該カソード１１ａ、１１ｂの中央軸で回転する複数のマグネット１８を設け、反応容器内を５Ｐａより高い圧力に制御し、プラズマがカソード１１ａ、１１ｂに印加されたｒｆ電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード１１ａ、１１ｂの上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード１１ａ、１１ｂから放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速する。 （もっと読む）

【課題】デュアルマグネトロンスパッタリングの動作および性能を改善すること
【解決手段】管状ターゲット（２）の近傍に磁界（１０３）を形成するように配置された磁気アレイを備え、前記管状ターゲットは、前記磁気アレイを少なくとも部分的に囲み、カソード（２ａ）として作動し、更にアノード（２ｂ）を備え、前記磁気アレイは、基板（３）に対する直角入射角に対して非対称のプラズマ分布を形成するように配置されており、前記カソード（２ａ）から前記アノード（２ｂ）に流れる電子に対する比較的低いインピーダンスパスを生じさせるよう、磁界強化手段（１ｂ）を更に備える、マグネトロンスパッタリング装置（１００）。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するためのカソード２を、該ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと該ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構３３及び前記カソード２の背後に位置するカソードマグネット２２を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２に対して傾斜した複数のカソード１１を有し、該カソード１１に該カソード１１の中央軸とずれた軸で回転する複数のマグネット１８を設け、反応容器内を５Ｐａより高い圧力に制御し、プラズマがカソード１１に印加されたｒｆ電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード１１の上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード１１から放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速するように為したスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状ターゲット１３を有し、前記円筒状ターゲット１３の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材１４を有するスパッタ蒸発源２の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源２のそれぞれの円筒状ターゲット１３を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源３を備える。前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板にカーボン保護膜を成膜する際に、基板を保持するキャリアに堆積するカーボン膜を効果的に低減し、堆積膜の剥離に伴うパーティクルの発生を抑制し、かつ、キャリア表面のカーボン堆積膜を発生源とするアウトガスの放出を抑制する。
【解決手段】成膜用基板をキャリアに装着して、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、前記チャンバ内で、前記成膜用基板上に、少なくとも磁性膜とカーボン保護膜とを成膜することによって、磁気記録媒体を製造する方法において、前記キャリアから成膜後の磁気記録媒体を取り外す工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。また、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を、回転磁界によるアシストを用いたマグネトロン放電によるスパッタ法で行う。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】本願は効率的にターゲットを消費することでターゲットの消費量を抑えることのできるマグネトロンスパッタリング装置及び薄膜形成物製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】プラズマによりターゲット１０をスパッタするマグネトロンスパッタリング装置は、プラズマを閉じこめるための磁場を形成する複数の磁石２０と、複数の磁石２０Ａ，２０Ｂを回転中心Ｐを中心にして回転させる回転機構２２とを有する。複数の磁石２０Ａ，２０Ｂはターゲット１０の表面近傍において閉じた曲線をまたぐように延在する磁場を形成するよう配列される。回転中心Ｐは閉じた曲線により囲まれた領域内にある。閉じた曲線は複数の凸部と複数の凹部を有し、凸部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なり、かつ凹部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なる （もっと読む）

【課題】基材の凹状成膜面に対して成膜面の曲率が異なっても均一な膜厚の皮膜を容易に形成することができ、しかも量産性に優れた成膜装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状のホルダ本体６を有し、前記ホルダ本体６の保持凹部７に凹状成膜面Ｓを外側に向けて基材Ｗを保持する基材ホルダ２を備える。また、ホルダ本体６の中心軸と平行に設けられた中心軸回りに回転自在とされた円筒状ターゲット１１を備え、前記円筒状ターゲット１１の軸方向にレーストラック状磁場を発生させる磁場発生手段１２が設けられ、成膜時に円筒状ターゲット１１の表面に前記レーストラック状磁場に沿って成膜粒子が蒸発するエロージョン領域が形成される円筒状蒸発源３を備える。前記磁場発生手段１２は円筒状ターゲット１１の周方向に移動可能に設けることができる。 （もっと読む）

【課題】磁界形成部からの磁界を外周側に広げ、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺にまで形成することが可能な、ターゲット利用効率の高いマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置によれば、磁界形成部を、第２磁石と第１磁石とで構成し、更に第１磁石が形成する磁界の強度を第２磁石の形成する磁界の強度よりも強く、またターゲット面から第２磁石の磁極面までの距離を第１磁石の磁極面よりも離すことで、磁界形成部により生じる磁界をターゲットの外周側に向かって広げることができる。これにより、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺を含むほぼ全面に亘って生じさせるもしくは移動させることが可能となり、ターゲットの利用効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】高いスパッタ電力が投入された場合であっても、ターゲットの冷却を効果的に行うことができ、最も高温になるターゲット中央部の温度上昇を飛躍的に抑えることができると共に、ターゲットの被スパッタ面全体の温度分布がより均一になるようにターゲットを冷却できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットの背面側にターゲットを冷却する手段が備えられており、当該ターゲットを冷却する手段は、冷媒流入口と冷媒流出口とを備え、冷媒流入口から冷媒流出口に向かって冷媒が流動する冷媒通路であって、断面積が冷媒流入口から冷媒流出口までの間でほぼ同一である冷媒通路によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外周部のスルーホールやトレンチ内における被覆性を向上できるマグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ３に接続された高周波電源８と、スパッタ室２の外側であって、ターゲットの中心軸Ｃ１と同軸のプレート９と、中心軸を中心Ｃにプレートを回転させる回転移動手段と、プレートの一面においてＳ極端をターゲットに向けたＳ極マグネット１０Ｓと、プレートの一面においてＮ極端をターゲットに向けた第１及び第２のＮ極マグネット１０Ｎと、を備え、第１のＮ極マグネットと第２のＮ極マグネットとの磁束密度がＳ極マグネットの磁束密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】コーティングの個々の層が費用効果的な標準材料である、焼戻し可能であり且つガラスにスパッタプロセスによって適用され得るガラス用低Ｅ銀コーティングを提供する。
【解決手段】ガラス基板と、約１５ｎｍの厚さのその上に配置されたＳｉ_３Ｎ_４層と、Ｓｉ_３Ｎ_４層上の１５ｎｍの厚さのＴｉＯ_２層と、ＴｉＯ_２層上の１２.５ｎｍ厚Ａｇ層と、Ａｇ層上の約５ｎｍ厚さのＮｉＣｒＯ_ｘ層と、終端の４５ｎｍ厚Ｓｉ_３Ｎ_４層とから構成される。 （もっと読む）

【課題】成膜時のウエハの周辺部での非対称性の発生を抑制する。
【解決手段】処理室３を形成するチャンバー２の上部にバッキングプレート６が配置されその下面側にターゲットプレート８が取り付けられ、上部側にマグネトロン磁石９が配設される。処理室３の下部にはウエハを載置するサセプタ４が配設される。サセプタ４は高周波電源５から高周波電圧が印加される。バッキングプレート６は直流電源７から負電圧が印加される。チャンバー２外側の周囲に多数の磁石１０ａを放射状に配置して円弧状に配列して構成した回転磁石１０が配置される。回転磁石１０は、マグネトロン磁石９と同期して回転し、上下動も可能に構成され、処理室３内にカスプ磁場を形成し、ターゲットプレート８からチャンバー２の側壁に飛散する粒子の軌道をウエハ側に曲げるので、ウエハの周辺部での成膜の非対称性を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの中心部に再堆積された材料物質が、該ターゲットから剥がれて、集積回路に欠陥をもたらさない、再堆積物質を洗浄する装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング用デュアルマグネトロンにおいて、該マグネトロンの位置は、スパッタ堆積とターゲット洗浄の間で、相補的半径方向に動かすことができる。該マグネトロンは、異なる特徴のサイズ、強度及び不平衡を有する。該ソースマグネトロンは、より小さく、より強く、かつアンバランスのソースマグネトロン６２であり、スパッタ堆積及びエッチングにおいて、ウェーハのエッジ近くに位置している。該補助マグネトロン６４は、より大きく、弱く、かつより平衡しており、該ターゲットの中心を洗浄し、スパッタ堆積において、スパッタイオンを該ソースマグネトロンからガイドするのに使用される。 （もっと読む）

【課題】安価でかつ簡易な構造の磁界形成部を用いたマグネトロンスパッタリング装置及びそれを用いた成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置によれば、磁界形成部３０が１つの磁石によって構成されるため、材料コストの削減を図ることができる。また、磁界形成部３０は複雑な構造を有していないため、冷却部の冷却能力を損なうことが無い。更に、磁界形成部３０と冷却部とを分離することが可能となり、冷却部の防水措置及び構造の大幅な簡素化、磁界形成部３０及びその駆動系の動作信頼性の向上、メンテナンス作業の軽減等を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ドナー不純物の添加量によって導電性を制御することができ、しかも、スパッタ法によって効率よくＩＩＩ族窒化物半導体を形成できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。 （もっと読む）