【課題】 スパッタリング成膜においてプラズマダメージを低減させて、ターゲット材の利用効率良くする。
【解決手段】 円筒状のカソード電極（ターゲットを含む）を用い、又、円板状のアノード電極及び、リング状マグネットをスムージングさせる。更には電場・磁場の形成を自由に形成可能にする。 （もっと読む）

本発明は、回転可能な基板ペデスタル及び少なくとも１つの移動可能な傾斜ターゲットを有する物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに関する。本発明の実施形態によれば、均一性の高い薄膜を堆積させることができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用の回転ターゲットの冷却システムにおいて、回転軸、マグネットの冷却を効果的に行い、また同時にターゲットの不均一冷却に起因する熱膨張破損を防止する。
【解決手段】ターゲットバッキングチューブ205と、ターゲットバッキングチューブの外面と接触しておりかつ電気伝導性であり非熱伝導性であるバッキング層210と、バッキング層と接触している複数の非接着式ターゲット円筒体215と、を含むターゲットアセンブリ200。 （もっと読む）

スパッタ動作中にスパッタ率分布をスパッタ面（３_Ｓ）に沿ってマグネトロン源で調節するために、ターゲット裏面（３_Ｒ）にある磁石構造（７_ａ，７_ｂ）の１つの部分（７_ａ１，７_ｂ１）からターゲット裏面までの間隔が変更される。
（もっと読む）

【課題】 円筒部材（正確には複数の扇型に湾曲された湾曲部材からなる略円筒の部材）の一部をターゲットとして使用した上で、この円筒部材を用いてプラズマ重合の機能を付加することを意図した真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１００は、内部空間を有する導電性の真空槽１３と、前記内部空間１０に複数の扇型に湾曲された湾曲部材３１、３２を並べて配置することにより、略円筒形をなすように構成された枠体１５と、前記枠体１５に囲まれた内部に配置され、前記枠体１５の周方向に沿うように磁界を形成する磁界形成手段３３と、を備え、前記湾曲部材１５、１６のうちの少なくとも一つはスパッタリングに使用するターゲットであり、かつ前記ターゲットを除いた前記枠体の領域が、プラズマ重合に使用される装置である。 （もっと読む）

【課題】水平磁束密度の制御幅が広く、被処理基板への成膜における膜厚分布を向上させること。
【解決手段】処理チャンバ１１の底面には、カソード１２が配置されている。カソード１２のターゲット載置部には、ターゲット１３が載置されている。ターゲット１３の下方には、永久磁石１４が配置されている。永久磁石１４の下側には、永久磁石１４の両磁極と接触するように第１ヨーク１５が配置されている。永久磁石１４及び第１ヨーク１５により、第１の磁気回路を構成している。処理チャンバ１１の外側には、外部磁場手段であるソレノイドコイル１６が配置されている。カソード１２内であって第１ヨークよりも下側には、第２ヨーク１７が埋設されている。ソレノイドコイル１６及び第２ヨーク１７により、第２の磁気回路を構成している。 （もっと読む）

円筒状マグネトロンは、高電流レベルおよび高電圧レベルで動作することができ、中央部においてだけでなく端部においても自浄式のターゲット管を有している。ターゲット管の端部をスパッタすることによって、実質的に、端部での凝縮物およびこれにともなうアーク放電の集積が取り除かれ、修理の必要性が少なく信頼性が高いマグネトロンおよびより高い一貫性を備えた被覆物を生成するマグネトロンがもたらされる。低スパッタ率の鍔は、ターンアラウンド領域でターゲット管に取り付けられている。
（もっと読む）

【課題】
特に少なくとも１つの真空チャンバを備え、複合膜を基板上に成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置のシステムコストを削減する。
【解決手段】
真空成膜システムにおいて、長手方向軸線を中心として回転可能に取り付けられた円筒陰極１が設けられるとともに、円筒陰極１の内側に配置された磁気システムが更に設けられる。円筒陰極１は、異なるターゲット材を有する少なくとも２つの部分２、３、４、５を含む。そしてマグネトロン同時スパッタリングによって複合膜を基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、スパッタターゲット材が円錐台側面形状をなし、前記円錐台側面形状に沿った磁力線を得るように配されたマグネット機構を有するスパッタ電極構造において、簡易な構造でマグネット機構によって生じる磁界を変化させて、膜厚分布を向上させると共にスパッタターゲットのエロージョンを均一化させることにある。
【解決手段】 この発明のスパッタ電極構造は、電圧が印加されて、真空容器内に配された基板に対し、スパッタ粒子を飛び出させるスパッタ電極において、前記基板に対して傾斜して配される円錐台側面形状をなすスパッタターゲット材と、該スパッタターゲット材の背後に設けられ、前記スパッタターゲット材の表面に沿った磁力線を生じさせるマグネット機構と、該マグネット機構によって生じる磁界を変動させる磁界変動手段とを少なくとも具備することにある。 （もっと読む）

【課題】永久磁石を回転させる機構を備えても、カソードを冷却する冷却水漏れのないマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、真空チャンバ２内にあって、表面にはターゲット３及び側部にターゲット３をスパッタリングした際に発生する熱を冷やすための冷却水用の給排水口８、９を有し、更に中空内部には回転又は往復運動する支持台１１上に固定された永久磁石１２を有するカソード４と、カソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板を保持するアノード６と、からなるマグネトロンスパッタリング装置１において、支持台１１の永久磁石１２が固定された以外の部分に給水口８から導入されて排水口９側に排水される冷却水の水圧によって支持台１１を永久磁石１２と共に回転又は往復運動させる冷却水受け部１３を備えている。 （もっと読む）

スパッタ面（７）に沿ってマグネトロン磁界パターン（９）が周期的（Ｍ_y）に移動され、かつ基板（１１）がスパッタ面（７）を通過するマグトロンスパッタ成膜において基板に付着する材料量分布を最適化するために、磁界パターン（９）の周期的移動（Ｍ_y）と位相同期して、スパッタ速度が変調配列（３）によって変調される。
（もっと読む）

いくつかの実施例においては、本発明は、略円筒形のターゲットと、スパッタリング工程において、ターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべくターゲット内に保持されている細長い磁石と、ターゲット内において回転に抗して磁石を支持するフレーム構造と、磁石を同期することなしにターゲット内においてその軸方向に振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するパワートレインと、を有する基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用される円筒形の陰極ターゲットアセンブリと、その使用法と、を含んでいる。いくつかの実施例においては、磁石は、ターゲットの回転に応答して振動している。
（もっと読む）

スパッタチャンバ（７０）及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー（７２）はチャンバ内のＲＦコイル（４６）の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ（３２）上にスパッタするためにスパッタターゲット（３８）が給電されるスパッタ堆積モードとＲＦコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のＲＦコイルにおいては、コイルにＤＣバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。 （もっと読む）

特にバリア材料のターゲットのエッジをウェーハ（１８）上にスパッタし、またこのターゲットの中心に再堆積された材料を洗浄するためのスパッタリングターゲット（１６）の背後で中心軸（６０）の周りに回転させられるデュアルポジション型マグネトロン（５０）。ターゲット洗浄時には、ウェーハバイアスは減らされる。一実施形態ではアーク型マグネトロン（１３０）は、回転シャフト（６２）に固定されたブラケット（８２）の端部上で旋回する旋回アーム（９０）上に支持される。スプリング（９６）は、マグネトロンがターゲット中心に向けて押しやられ、ターゲット中心の上に重なるように旋回アームをバイアスする。増加した回転速度における遠心力は、スプリングのバイアスに打ち勝って、ターゲットエッジに整列した長いマグネトロン寸法を持って外側位置にマグネトロンをシフトさせる。機械的留め具（１００、１０２）は、いずれの方向にも過剰な動きを防止する。他の機構は、直線状スライド（１８０）とアクチュエータ（２０８）とを含む。 （もっと読む）

プラズマスパッタリアクタ(30)におけるマグネトロン(70)のための及びその対応的使用のためのリフトメカニズム(124)。ターゲット軸(76)の周りで回転するマグネトロンは、スパッタ浸食を補償するためにターゲット(34)の後部から離すように制御可能に持ち上げられる。装置は、駆動源(84)、ハウジング(94)、タンク(118)、水槽(116)、固定ギア(92)、駆動プレート(96)、キャリア(81)、磁気ヨーク(80)、アイソレータ(38)、アダプタ(36)、シールド(52)、真空ポンプシステム(44)、ＲＦ電源(58)、容量性結合回路(60)、ガス源(46)、質量流量コントローラ(48)、リアクタ壁(32)、磁石リング(114)、ＤＣ電源(54)、ペデスタル電極(40)、ウェハ(42)、クランプリング(50)、内側磁極(74)、外側磁極(78)、ホロワシャフト(102)、ホロワギア(100)、アイドラーギア(98)、及び遊星スキャニングメカニズム(90)を備えている。 （もっと読む）

本発明の１つの態様は、プラズマスパッタリアクタのチャンバー壁の外側に位置された補助的磁石リングであって、特に、スパッタ堆積されている基板をスパッタエッチングするためにプラズマを誘導的に発生するのに使用されるＲＦコイルの半径方向外方に少なくとも一部分配置された補助的磁石リングを包含する。従って、磁気バリアが、プラズマがコイルへと外方に漏れるのを防止し、スパッタエッチングの均一性を改善する。また、この磁界は、コイルが、一次ターゲットと同じ材料で作られているときに、二次ターゲットとして使用されるときには、マグネトロンとしても働く。本発明の別の態様は、ターゲットからペデスタルへと延び、滑らかな内面をもち、且つシールド中央部が環状フランジで支持された一部片の内部シールドを包含する。このシールドは、ＲＦコイルを支持するのに使用されてもよい。 （もっと読む）