【課題】配線基板の製造においてスパッタプロセスを採用しつつ、スループットの向上及びランニングコストの低減が可能な配線基板の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を表面に有する被処理基板１０２上に、導電体メッキ層を形成する場合、導電体メッキ層の下地となるシード層をスパッタのみによって形成した場合、密着性及びスループットの向上ができない。同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】キャリアとベアリングとの耐摩耗性を向上させることによって、生産性の更なる向上を可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア４に保持された基板Ｗを複数のチャンバの間で順次搬送させながら成膜処理を行うインライン式成膜装置であって、キャリア４を非接触状態で駆動する駆動機構２０と、駆動機構２０により駆動されるキャリア４をガイドするガイド機構２１とを備え、ガイド機構２１は、キャリア４に設けられたガイドレール２９に係合された状態で、駆動機構２０により駆動されるキャリア４を鉛直方向にガイドする主ベアリング２８と、キャリア４を挟み込んだ状態で、駆動機構２０により駆動されるキャリア４を水平方向にガイドする副ベアリング３０とを有して、これらベアリング２８，３０とキャリア４との何れかの接触面に、コルモノイ系合金による耐摩耗処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】 基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 容量結合型の機構を備えた上部電極１、上部電極に取り付けられた非磁性物質で作られたターゲット部材２、ターゲット部材の上部表面の上に配列された複数のマグネットで、そのうち２つの間に等しい距離を持ちかつ交互に替わる磁極極性持つ複数のマグネット６、上部電極に平行に配置された下部電極３、下部電極の上に搭載されたウェハ１７、１０〜３００ＭＨｚの範囲の周波数で動作し、整合回路１５を介して上部電極に接続された高周波電源１６、を備えるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏ、Ｓｉの多層膜を含む多層膜反射鏡を製造するにあたり、製品ごとの反射率のバラつきを低減する。
【解決手段】ＭｏとＳｉのターゲット１１、１２を交互にスパッタして反射多層膜を成膜する工程において、Ｍｏ層の内部応力は、真空チャンバー１内の雰囲気ガスの水分圧値に応じて変化し、製品ごとの反射率のバラつきを招く。そこで、Ｍｏ層の成膜工程において、真空チャンバー１に導入される高純度アルゴン２２と水を０，１％添加したアルゴン２３の混合比を調整することで真空チャンバー１内の雰囲気ガスの水分圧値を一定に制御し、ロットごとに多層膜の反射率が変化するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、ターゲットＴの被処理基板Ｗと対向する面とは反対側に、磁気発生手段１１が配置されると共に、この磁気発生手段１１の外側に冷却手段４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いホール内に、被覆性の良好な、コンタクト抵抗の低いバリア層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）再スパッタリング及びコイルスパッタリングを１つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ１５０を使う。ロングスローＳＩＰスパッタリングは、ホール被覆を促進する。ＩＣＰ再スパッタリングは、ホール底部のライナー膜の厚さを低減して、第１のメタル層との接触抵抗を低減する。ＩＣＰコイルスパッタリングは、ＩＣＰ再スパッタリングの間、再スパッタリングによる薄膜化は好ましくないホール開口部に隣接しているような領域上に、保護層を堆積する。 （もっと読む）

【課題】被加工体の中央部から周辺部までの全域に渡って均一にスパッタリングを行うことができ、エロージョンの発生を減少することができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置１において、カソード電極５と、被加工体１０上に磁界を形成する磁界形成部７と、アノード電極１３とを備える。磁界形成部７は、回転軸８Ｃからずれた位置に第１の磁極面７３Ｓを有する第１の磁石７３と、回転軸８Ｃ及び第１の磁石７３の周囲に沿って磁極が異なる第２の磁極面７２Ｓを有する第２の磁石７２と、第２の磁極面７２上の第１の磁石７３の周囲に沿った一部に第１の磁極面７３Ｓよりも低く第２の磁極面７２Ｓよりも高い範囲内において第２の磁極面７２Ｓと磁極が同一の第３の磁極面７４Ｓを有する第３の磁石７４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気回路１１は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第１のマグネット４０と、第１のマグネット４０の内側に同心円状に配置されて、第１のマグネット４０とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第２のマグネット４１とを有し、且つ、これら第１及び第２のマグネット４０，４１の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第１のマグネット４０と第２のマグネット４１との間で発生する磁場Ｍの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Ｂｚが０［Ｔ］となる点を結ぶＢｚ＝０ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、ハート形の曲線Ｌを描くようにする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場を発生させる磁気回路１１は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第１のマグネット４０と、第１のマグネット４０の内側に同心円状に配置されて、第１のマグネット４０とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第２のマグネット４１とを有し、且つ、これら第１及び第２のマグネット４０，４１の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第１のマグネット４０と第２のマグネット４１との間で発生する磁場Ｍの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Ｂｚが０［Ｔ］となる点を結ぶＢｚ＝０ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、複数の変曲点Ｃ１，Ｃ２を有する曲線Ｌ１を描くようにする。 （もっと読む）

【課題】被スパッタリング面が平面状に形成されたターゲットを用いる場合に比べて、ターゲットの有効利用率を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置１は、成膜対象となる基板３を支持するステージ４と、一方の面を被スパッタリング面５ａとし、ステージ４に支持される基板３に被スパッタリング面５ａを対向させた状態で設けられたターゲット５とを備え、ターゲット５の被スパッタリング面５ａがすり鉢状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲット部材の片減りを防止しつつ、簡易な構造で、基板に平行で基板中心に向く磁界を基板上に形成し、膜厚分布を向上させることのできるマグネトロンカソードを提供する。
【解決手段】基板に対向して配される環状のターゲット６と、ターゲット背面にターゲットに対して移動可能且つ回転可能に配置され、不均一な磁界を発生させるマグネット組立１５によって構成されるマグネトロンカソードにおいて、ターゲットの中心開口部周縁に中央シールド部が設けられ、中央シールド部は複数の磁性体部品による積層構造を有する中央カバー１０が設けられるとともに、ターゲット外周側保持リング１１は、複数の磁性体部品からなる積層構造を有し、これら磁性体部品の少なくとも一つが、マグネット組立によって生じる磁界に対応して基板上に磁気異方性を構築する。 （もっと読む）

【課題】堆積させる薄膜の特性の制御が可能な物理的気相成長方法を提供する。
【解決手段】第１の位相を持つ第１の高周波信号を物理的気相成長装置内の、スパッタリングターゲットを含むカソードに印加するステップと、第２の位相を持つ第２の高周波信号を前記物理的気相成長装置内のチャックに印加するステップと、スパッタリングターゲットからの物質を基板上に堆積させるステップと、を備え、前記チャックは、基板を保持し、前記第１の位相と前記第２の位相の位相差は、前記基板上に正の自己バイアス直流電圧を引き起こす物理的気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比の微細ホールに対して高いボトムカバレッジ率で、かつ、膜厚分布の面内均一性よく成膜できる高い生産性の成膜方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内で基板Ｗを保持し、チャンバ内が、１０〜３０Ｐａの高圧力領域に保持されるようにスパッタガスを導入し、基板に対向近接配置されたターゲット２に直流電圧を印加すると共に、基板に高周波バイアス電圧を印加し、ターゲット側の直流プラズマと基板側の高周波バイアスプラズマとが重畳されたプラズマをターゲット及び基板間に発生させてターゲットをスパッタして成膜する。ターゲットの下方に磁場を局所的に形成する磁石ユニット６をターゲット中央から径方向外方にオフセット配置し、成膜中、少なくともターゲットの中央部を除くその外周が侵食されるように磁石ユニットを回転移動する。 （もっと読む）

【課題】材料損失を少なく抑えた大面積の基板への均等コーティング可能なコーター及び陰極アセンブリを提供する。
【解決手段】大面積の基板を陰極スパッタによってコーティングするためのコーターであって、コーティングチャンバを有し、その内部に、スパッタされる材料がコーティングプロセス中に回転するとともに湾曲面を有するターゲット４上に配置されている陰極アセンブリ２を備える。スパッタされる材料は、回転可能な湾曲したターゲットを持つ陰極アセンブリを少なくとも３つ以上、凝集コーティング領域のための単一のコーティングチャンバ内に並行して配置する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内を排気するのに要する時間を短縮することができ、なお且つ高減圧条件下で処理を行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器２と、被処理基板Ｗを処理する処理ユニット１Ａと、反応容器２内を減圧排気する真空ポンプ１５とを備え、反応容器２の被処理基板Ｗと対向する少なくとも一方側又は両側の側壁６ａ，６ｂには、処理ユニット１Ａが被処理基板Ｗと対向して配置されると共に、この処理ユニット１Ａを挟んで真空ポンプ１５が配置されている。これにより、反応容器２内の被処理基板Ｗの周囲に形成される反応空間Ｒの真空度を効率良く高めることが可能である。また、この反応容器２内を減圧排気するのに要する時間を短縮し、高真空度での処理を行うことが可能である。 （もっと読む）

付着チャンバをｉｎ−ｓｉｔｕプラズマ洗浄する方法および装置が提供される。一実施形態では、真空を中絶させることなく付着チャンバをプラズマ洗浄する方法が提供される。この方法は、付着チャンバ内に配置されたサセプタであり、電気的浮動状態にある付着リングによって周囲を取り囲まれたサセプタ上に基板を配置すること、付着チャンバ内の基板上および付着リング上に金属膜を付着させること、付着リング上に付着した金属膜を、真空を中絶させることなく接地すること、ならびに付着チャンバ内に形成されたプラズマによって、付着リング上の接地された金属膜を再スパッタすることなく、かつ真空を中絶させることなしに、付着チャンバから汚染物質を除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】機械の運転時における材料経費が低減されるコーティング機及びコーティング機の動作方法を提供すること。
【解決手段】スパッタリングによって基板をコーティングするためのコーティング機はプロセスチャンバを備えており、プロセスチャンバ内では、基板をコーティングするために、ターゲット３，３’からターゲット材料を基板の方向にスパッタ可能である。コーティング機は、ターゲットをプレスパッタするためにスパッタ方向Ｓから離れるように向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるとともに、ターゲットから材料をスパッタすることによって基板をコーティングするために基板に向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるための手段を特徴としている。アライメントの変化は、例えば、フラットカソード２，２’の長軸を中心に９０°又は１８０°の角度にわたってカソードを回転させることにより行なわれてもよい。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

真空チャンバーを含むスパッタリング装置では，少なくとも，第１の電極は真空チャンバー内に配置された第１の表面を有しており，対向電極は真空チャンバー及び高周波発生器に配置された表面を有している。高周波発生器は，第１の電極と対向電極の間にプラズマを発生させるために，少なくとも第１の電極間と対向電極の間に高周波電場を印加するように構成されている。対向電極は，真空チャンバーと連結する少なくとも２つのキャビティを含んでおり，そのキャビティは各々，キャビティ内でプラズマが作られるような特徴を持っている。 （もっと読む）

【課題】磁気異方性の方向のバラツキを低減した磁性膜を形成可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード８０２と、回転可能なステージ８０１と、回転可能な遮蔽板８０５とを備える。上記スパッタリング装置は、スパッタリング中において、ターゲット８０３ａから発生したスパッタ粒子のうち、基板８０４の法線との成す角度が０°以上５０°以下の角度で入射するスパッタ粒子を基板８０４に入射させるように、カソード８０２、ステージ８０１、および遮蔽板８０５の少なくとも１つの回転を制御する。 （もっと読む）