【課題】成膜時のカバレッジの非対称性の抑制効果と、基板上の素子へのダメージ抑制とを両立させたマグネトロン型スパッタリング装置を提供する
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に互いに対向して配置されたターゲットおよび基板ホルダと、基板ホルダと反対の前記ターゲット側に配置されるマグネトロンと、前記マグネトロンを前記ターゲット面に対して垂直な軸で回転させるための回転機構とを備え、前記マグネトロンは、互いに極性が異なり、等しい幅を持つ大小２つの扇枠状磁石を内外に２重に配置した構造を有すると共に、内側扇枠状磁石と外側扇枠状磁石の基部の間に回転中心を有し、前記内外の扇枠状磁石の円弧部で互いに対向するギャップは、基板ホルダと対向するターゲット面で発生する水平磁場が５００ガウス以上になる最小の距離に設定され、かつ前記内外の扇枠状磁石の直線部で互いに対向するギャップは、円弧部で互いに対向するギャップ以上の距離に設定されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 小型で、ターゲット交換周期が長く、かつ容易に基板上に積層膜を形成することができるターゲット基台、ターゲット装置およびスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置に用いられるターゲット基台１のターゲット保持部２は多面体であり、保持面２ａおよび２ｂにターゲットを保持することが可能であるので、ターゲット基台の小型化が達成される。またターゲット基台１は回転軸を有し、回転可能であるので、基板に対向するターゲットを回転によって切替えて連続的にスパッタリング処理することが可能である。保持面２ａおよび２ｂに同種の材料からなるターゲットを保持させる場合、ターゲット交換周期が長くなる。また異種の材料からなるターゲットを保持させる場合、１台のスパッタリング装置で２層からなる積層膜を基板上に容易に形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】均一性の良い結晶膜を短時間で得ることができる技術である、スパッタ法と、良好な結晶性の膜を制御性良く形成することができるＭＯＣＶＤ法を併用することにより、安定して良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を得る。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる多層膜構造を成膜させる方法において、該多層膜構造は少なくとも基板側から下地層および発光層を含み、該下地層をスパッタ法で成膜し、かつ、該発光層を有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）で成膜する工程を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、基板１１とスパッタターゲットとの間隔を２０〜１００ｍｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にスパッタリングターゲット部のクラック不良や割れ不良およびスパッタリングターゲット部の膨張によって回転時にスパッタリングターゲット部が空転する現象を防ぐことができる回転式ターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】中空状の回転ローラと、回転ローラの外周に形成されたスパッタリングターゲット部と、回転ローラとスパッタリングターゲット部との間に介在され、熱伝導率がスパッタリングターゲット部より大きい冷却挿入部材とを備える回転式ターゲットアセンブリ。 （もっと読む）

【課題】軟Ｘ線用の多層膜反射鏡の膜応力を低減する。
【解決手段】Ｍｏ薄膜１２とＳｉ薄膜１３の交互多層膜からなる多層膜反射鏡において、Ｍｏ薄膜１２に重元素を添加することによって非晶質状態で成膜し、その非晶質薄膜にイオンビームを照射することで、Ｍｏ薄膜１２の引張応力を強化する。その上にＳｉ薄膜１３を積層した膜構成により、Ｓｉ薄膜１３の膜応力（圧縮応力）をＭｏ薄膜１２の膜応力（引張応力）によって相殺し、交互多層膜全体の膜応力を低減する。 （もっと読む）

【課題】ワーク表面の平坦部とエッジ部とにおける金属酸化膜の膜厚を、より近い膜厚に形成し、したがってエッジ部の膜厚をより厚く形成することが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属材ＴとワークＷとが対向配置されたスパッタ室２ａ中に、スパッタガスおよび酸素を導入するステップと、金属材Ｔに直流電圧を印加するとともにワークＷに高周波負電圧を印加することで、金属材Ｔを酸化させてワークＷの表面にスパッタ成膜するステップとを含む。 （もっと読む）

マグネトロンスパッタリング設備の取付基部（３１４）とエンドブロック（３１０）との間に導入されるインサート部品（３４０）が記載されている。このようなインサート部品は、その一端部においてエンドブロック取付面（３２２）の複製（３２２’）を有し、その他端部において取付け基部取付面（３２０）の複製（３２０’）を有している。インサートの内側には、冷媒、電流、および動力を取付け基部（３１４）とエンドブロック（３１０）との間に送るために、伝達ロッド（３４２）および管（４４４，４４４’）が設けられている。インサート部品（３４０）は、ターゲットと基板との間の距離を調整することに有効である。インサート部品の有利な実施形態では、ターゲット管の熱膨張または弛みによって生じるエンドブロックのわずかな変位を吸収するために、弾性手段をエンドブロック内に組み込んでいる。他の有利な実施形態では、インサートは、基板の面を横切って延在する長さとなっている。これによって、設備を過度に改修することなく、ターゲットを、基板の正常な被覆側と反対側を被覆するように、適宜取り付け可能となっている。
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【課題】ターゲットのエロージョンの均一化を図ったマグネトロンカソード及びそのスパッタ装置の提供。
【解決手段】円形の内ターゲット５と、その外側に内ターゲット５と同心状の外ターゲット４を具備するマグネトロンカソード１において、外ターゲット４の背面側に位置して外ターゲット４を保持する外ターゲット用裏板部６２に対して不動であり、外ターゲット用マグネット群及びマグネット群が固定される外ヨーク１０からなる外マグネットユニット９と、内ターゲット５の背面側に位置して内ターゲット５を保持する内ターゲット用裏板部７２に回転可能及び移動可能とし、内ターゲット用マグネット群８１及びマグネット群が固定される内ヨーク１１からなる内マグネットユニット８と、内マグネットユニット８を内ターゲット５に対して移動させる移動制御手段と、内マグネットユニット８を内ターゲット５に対して回転させる回転制御手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数本の回転マグネット同士での互いの吸引力と反発力による回転軸の歪を防止する。
【解決手段】チャンバー４１とカソードプレート４７は絶縁板４８で結合されて、真空を維持するスパッタ処理容器を形成している。このスパッタ処理容器の外側に回転マグネット１３を配置する。この回転マグネット１３は、ドライベアリング３１で保持され、ドライベアリング３１は軸受けブロック３２で基台（ベースプレート）４９に固定されている。また、回転軸（シャフト）２２もベアリング２３で保持され、ベアリング２３は軸受けブロック３２で基台（ベースプレート）４９に固定されている。 （もっと読む）

【課題】エロージョンの進行したターゲットによりスパッタリングしても良好な結晶性を有する強誘電体膜を形成し、歩留まりを向上させる技術を提供する。
【解決手段】減圧成膜室１１と、被処理基板１４の温度を調整可能な静電チャック手段１２と、被処理基板１４に高周波マグネトロンスパッタするためのターゲットと１５と、減圧成膜室１１に放電ガスを供給するガス供給手段１１ａと、被処理基板１４とターゲット１５との間に放電電圧を印加し、かつターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量Ｌ１（ｋＷｈ）を計測する電源手段１７と、静電チャック手段１２と電源手段１７とを制御する制御手段１８とを備え、ターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量に基づいてスパッタリングに最適な被処理基板１４の温度を算出し、被処理基板１４を所定の温度に調整した後にスパッタリングする。 （もっと読む）

基板をバッチ被覆するコーティング装置（１００）が提供される。このバッチ式コーターでは、物理蒸着、化学蒸着、またはこれらのプロセスの組合せによって、積層を堆積することができる。従来の装置と比較して、混合モードプロセスが特に安定である。これは、従来技術による平面マグネトロンではなく、回転可能マグネトロン（１１２）を用いることによって、達成される。該装置は、プロセスステップを同時にまたは交互に行うことを可能にする回転可能シャッタをさらに備えている。
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【課題】良好な配向性の強誘電体膜を長期にわたり形成することができるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】プラズマの発生の前後から、冷却・調温ユニットにより温度制御を行いながら、配管２ａ〜２ｆを介して冷却部１内の流水路６ａ〜６ｆに冷却水を流す。このとき、冷却を行わなかった場合にターゲットの厚さの減少が大きくなる箇所ほど、そこを流れる冷却水の温度を下げることとする。例えば、ターゲットの外周部及び中心部に位置する流水路６ａ及び６ｆを流れる冷却水の温度を低めにし、流水路６ａよりも内側に位置する流水路６ｂを流れる冷却水の温度を高めにする。ターゲットの温度を中心からの距離に応じて制御することができるため、エロージョンの程度も中心からの距離に応じて調節することができる。このため、強誘電体膜を形成する場合であっても、良好な配向性のものを長期にわたり安定して形成することができる。 （もっと読む）

物理蒸着処理、化学蒸着処理、またはこれらの組合せによって、基板を被膜するように設計された被膜用の装置が提供される。前記被膜用の装置は、軸方向に移動可能なシャッタ（１８）によって被膜可能な回転可能なマグネトロン（１４）を用いる点に特徴がある。このような構成によって、後続する被膜のためのステップ間または後続する被膜のためのステップ中に、マグネトロンターゲットを清浄に保持するかまたはターゲットを清浄化することができる。シャッタは、ターゲットの近傍に制御可能なガスの雰囲気をさらにもたらす。マグネトロンが中心に配置されてもよく、従って、基板は、マグネトロンを中心として回動する遊星状の回転体（２４）に吊り下げることによって、あらゆる角度からスパッタリング源に晒されることとなる。
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【課題】軟磁性層を起因とするノイズの低減と、高い量産性とを両立する。
【解決手段】ハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体の製造方法であって、マグネトロンスパッタリング法による成膜を行う成膜装置を用いて軟磁性層を成膜する軟磁性層成膜工程を備え、成膜装置は、複数の基板１２を並べて保持する基板アダプタと、ターゲット１０４と、複数の基板対応磁場発生部３０２と、補助磁場発生部３０４とを備え、基板対応磁場発生部３０２は、対応する基板１２に形成される軟磁性層の磁化容易軸を当該基板１２の半径方向に揃えると共にマグネトロン放電を発生させるための磁場を発生し、補助磁場発生部３０４は、マグネトロン放電を発生させるための磁場を発生する。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜をスパッタエッチングしても、配線の信頼性を低下させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の上に、絶縁材料からなる層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜に、その底面まで達するビアホールを形成する。ビアホール内の下側の一部に、埋め込み部材を充填する。層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達し、平面視においてビアホールに連続する配線溝を形成する。このとき、層間絶縁膜のエッチングレートが埋め込み部材のエッチングレートよりも速い条件で、ビアホール内に残っている埋め込み部材の上面と、配線溝の底面との高さの差が、ビアホールの平面形状の最大寸法の１／２以下になるように配線溝を形成する。ビアホール内の埋め込み部材を除去する。ビアホール及び配線溝内に導電部材を充填する。 （もっと読む）

【課題】装置変更を要せず、既存のスパッタリング装置を用いるも、表面を効率良く消費してターゲット寿命を延ばし、ＰＴ歩留まり、ＰＴレシオ、及びデータリテンションを大幅に向上させるスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット２は、エロージョンの発生分布を打ち消す断面厚み分布となるように、厚みが中央部から周縁部へかけて異なる形状であり、その表面は、エロージョンの発生分布を打ち消す断面形状の凹凸面とされ、裏面が平面とされている。当該スパッタリング装置に対応して、断面形状が逆Ｍ字形状とされている。 （もっと読む）

【課題】簡易な駆動機構によりターゲット表面上の磁力線分布を変え、ターゲットのワイドエロージョン化を図るようにした磁石構造体等を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置用の磁石構造体１１０は、互いに同種の磁極がターゲットの裏面に向くよう、ターゲット２０の裏面側に配置された第１および第２の固定磁石１０、１３と、第１および第２の固定磁石１０、１３の間のターゲット２０の裏面側に配置され、ターゲット２０の厚み方向と幅方向とに沿った平面内において磁気モーメントの向きを変更可能な磁界補正手段１１、１２と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】化合物薄膜を高い効率で形成する。
【解決手段】真空槽３内の成膜ステージには、ＰＥＴフィルム４上に金属薄膜を形成するスパッタリング装置１０と、酸素イオンを放出するイオン銃１１とが配されている。スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。ＰＥＴフィルム４が連続的に搬送されている間に、スパッタリング装置１０で金属薄膜の形成が行われ、その直後にイオン源１１にからの酸素イオンで金属薄膜が酸化される。 （もっと読む）