長手方向端領域におけるスパッタターゲットの利用改善のための装置および方法が提供される。端領域の腐食の集中は広げられ、これによりターゲットの有用寿命が延びる。これは、より広い中央領域においてより大きな比率のターゲット材料が取り入れられ、ターゲットはより長期間利用されるので、効率の改善をもたらし、無駄を低減する。
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【課題】安価で且つ効率良く製作し得る、回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体、それを用いたスパッタリングカソード組立体、及び回転円筒型マグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体Ａは、６面以上の多面筒状支持体１の各外側面１aにバルク状の短冊形ターゲット材料片２をそれぞれ接合して、このターゲット材料片２の外周面を円筒状に加工して構成される。 （もっと読む）

固定されるか又は中心軸回りに回転可能である中空円筒状スパッタターゲット、並びに前記スパッタターゲット内で軸回転される内部磁石アセンブリを有する、スパッタリングカソード装置。 （もっと読む）

【課題】機械の運転時における材料経費が低減されるコーティング機及びコーティング機の動作方法を提供すること。
【解決手段】スパッタリングによって基板をコーティングするためのコーティング機はプロセスチャンバを備えており、プロセスチャンバ内では、基板をコーティングするために、ターゲット３，３’からターゲット材料を基板の方向にスパッタ可能である。コーティング機は、ターゲットをプレスパッタするためにスパッタ方向Ｓから離れるように向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるとともに、ターゲットから材料をスパッタすることによって基板をコーティングするために基板に向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるための手段を特徴としている。アライメントの変化は、例えば、フラットカソード２，２’の長軸を中心に９０°又は１８０°の角度にわたってカソードを回転させることにより行なわれてもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハにおける配線層間の接続抵抗を低減する。
【解決手段】 表面に凸部４ａが形成されたターゲット４を用い、このターゲット４の凸部４ａにプラズマイオン７を衝突させて金属原子８をはじき出して半導体ウェハ上のスルーホールの内壁に金属膜を堆積することにより、ターゲット４の凸部４ａ付近から飛び出してくる金属原子８の飛び出しの方向を狭めることなく金属原子８をはじき出すことが可能になる。これにより、配線層間の前記スルーホール内に形成される金属膜のステップカバレージを向上させることができ、その結果、配線層間の接続抵抗を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 成膜を繰り返すことによって放電が消滅し易くなるという従来のスパッタ成膜装置の問題点を解決する。
【解決手段】 同一チャンバー内に複数のターゲットを有し、且つそのうちの少なくとも一つが遷移元素ターゲットであり、且つ、該複数のターゲットのうち少なくとも一つが、低吸収なフッ化物薄膜を生成するために水素添加を必要とするような金属ターゲットである反応性スパッタ成膜装置において、該水素添加を必要とする金属ターゲットで放電を行う際に、該遷移元素ターゲット、及びその周辺の電極部を該遷移元素とは異なる材料で被覆しておくことにより、該遷移元素ターゲットの放電安定性を維持する。 （もっと読む）

ウェーハをＲＦバイアスするステップを含むアルミニウムスパッタリングプロセスと、好ましくは２つの異なるプラズマスパッタ反応器（１６８、１７０）において２つの明確に異なる条件下のスパッタリングによって狭いビアホールにアルミニウムを充填するために使用される２段階アルミニウム充填プロセスおよびこのための装置。第１のステップ（１３０）は、例えば１５０℃未満に保持され、また該狭いホールおよび各オーバーハングにアルミニウム原子を引き付けるように比較的高度にバイアスされる比較的冷たいウェーハ上に高い割合のイオン化アルミニウム原子をスパッタリングするステップを含む。第２のステップ（１３２）は、例えば２５０℃より高く保持され、またより等方的かつ均一なアルミニウムフラックスを提供するために実質的に未バイアスの比較的温かいウェーハ上へのより中性的なスパッタリングを含む。該アルミニウムターゲットの背後で走査される該マグネトロンは（８０）該第１のステップにおいて比較的小型かつ非均衡であってもよく、また（６０）該第２のステップでは比較的大型かつ均衡がとれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット3と基板4との間に、移動自在なグリッド電極9が設けられている。グリッド電極9がターゲット3と基板4との間にある状態で、一定時間薄膜を形成した後、ターゲット3と基板4との間にグリッド電極9を介在させない状態で、さらに薄膜形成を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】一般に、本発明の様々な側面はフラットパネルディスプレイ処理、半導体処理、太陽電池処理、又はその他あらゆる基板処理に使用できる。１の態様において、処理チャンバは、陽極の表面積を増やして、それを処理チャンバの処理領域全体により均一に分布させるために使う１又は複数の陽極アセンブリを含む。１の態様において、陽極アセンブリは、導電部材と導電部材支持部とを含む。１の態様において、処理チャンバは、処理チャンバから大型の要素を取り外さなくても、導電部材を処理チャンバから取り出せるようになされている。 （もっと読む）

【課題】 Pb量の面内分布が変動するのを防止することが可能な成膜方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チャンバ１０１と、チャンバ１０１の内部に設けられた鉛を含むスパッタターゲット１０４と、チャンバ１０１の外側に回転可能な状態で設けられてスパッタターゲット１０４の表面１０４ａの磁場を時間的に変動させる磁石ユニット１０６とを有するマグネトロンスパッタ装置を用い、マグネトロンスパッタ法による鉛を含んだ膜の成膜が所定枚数のシリコン基板１０に対して終了するたびに、スパッタターゲット１０４と磁石ユニット１０６のそれぞれの表面同士の距離Dを最適距離に戻す成膜方法による。 （もっと読む）

本発明は、平板状ターゲット（２０）と平板状磁石システム（１）とを有するマグネトロンに関する。平板状磁石システムは、端部が拡大された棒状の第１の磁極（２６）と枠状の第２の磁極（２）とを有し、ターゲットが定置された場合は、可動磁石システムの各点が円軌道上を移動する。磁石システムが定置された場合は、ターゲットの各点が同様の円軌道上を移動する。磁石システムとターゲットは互いに相対運動をする間、平行な面上にある。この場合、円軌道の直径（Ｄ）は、スパッタリングプロセスで第１の磁極と第２の磁極との間に形成されるプラズマチューブの２本の平行な腕の平均間隔に相当する。プラズマチューブの曲線領域で極線が円弧又は円形面を形成するように、磁石が同領域に配置されていることにより、ターゲット内に孔の生じることが回避される。

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【課題】 マグネトロン・スパッタ・カソードに関し、特に１つの管カソードまたはアレイを形成しているいくつかの管カソードの操作方法を提供すること。
【解決手段】 このようなカソードにおいては、ターゲットは磁界を貫通し、それにより誘導電流がターゲット内を流れ、磁界を歪ませる。これにより、基板のコーティングが不均一になる。磁界とターゲット間の相対運動の方向を交互に逆にすることにより、磁界歪みの影響を補償することができる。これにより、コーティングされる基板のコーティングがより均一になる。 （もっと読む）

ライナーを含むスパッタリングチャンバを提供する。ライナーは、チャンバの内部表面からスパッタコーティング（オーバーコート）が剥落することを低減することに適している。ライナーは、チャンバの選択された内部表面に隣接して搭載することができる。ライナーは取り外し可能であることが好ましい。また、本発明のライナーを用いたスパッタリング方法を提供する。 （もっと読む）

スプリットマグネットリング（７０）は、タンタル、タングステン又は他のバリヤ金属をビアへスパッタ堆積し、また、ビアの底部から堆積物質をビア側壁部上へと再スパッタエッチングさせるためのマグネトロンプラズマリアクタ（１０）において特に有用である。このマグネットリングは、同じ軸方向極性からなる２つの環状マグネットリング（７２、７４）を含み、これら２つの環状マグネットリングは、少なくとも１つのマグネット及び関連ポール面の軸方向長さを有する非磁性スペーシング（７６）によって分離されている。小型の非平衡マグネトロン（３６）がターゲット（１６）の周りに回転され、この小型の非平衡マグネトロンは、リングマグネット（７２、７４）と同じ極性の外側ポール（４２）を有し、この外側ポールは、反対極性のより弱い内側ポール（４０）を取り囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】 プレスパッタ時の飛散物質が被成膜基板に付着しないようにする。
【解決手段】 ターゲットホルダ１５に固定されたターゲット２１に成膜用イオンガン１２からイオンビーム３１を照射してスパッタリングし、そのスパッタ粒子によって基板２２上に成膜を行うイオンビームスパッタ装置において、ターゲット表面の向きを成膜時の状態から反転させることを可能とすべく、ターゲットホルダ１５に設けられた回動機構と、その回動機構の回動軸４３に対し、成膜用イオンガン１２の照射軸と対称な方位に照射軸が位置するように配置されたプレスパッタ用イオンガン４１と、反転されたターゲット表面を囲繞し、その反転状態のターゲット表面にプレスパッタ用イオンガン４１からイオンビーム５１が照射されてスパッタリングされた粒子の飛散を阻止する遮蔽板４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、簡易な構造で、現在要求される膜厚分布及びカバレージ分布を達成することのできるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 この発明は、基板を保持して自転する基板ホルダと、前記基板に薄膜を形成するためのターゲットが搭載されるスパッタカソード部と、該スパッタカソード部を前記基板に対して円弧状に移動させる駆動アームとを具備し、前記スパッタカソード部が、前記ターゲットに囲設され、前記基板側に開口部を有するノズル部を具備するスパッタ装置において、前記ノズル部の開口部に、前記スパッタカソード部の移動方向の両端から前記開口部の中央方向に延出して、前記スパッタカソード部の移動方向前後におけるスパッタ粒子を制限する延出部を形成することにある。 （もっと読む）

基材上に薄いコーティングをスパッタリングするための改良されたスパッタリングチャンバである。あるスパッタリングチャンバは、チャンバ内部の方向、および、スパッタリングターゲットの方向に内向きかつ上向きに配置されている剥離片シールドを含み、該剥離片シールドは、さもなければ被コーティング基材上に落下する可能性のあるオーバーコーティングされたスパッタリング材料の保持に役立ち得る。別のスパッタリングチャンバは、鉛直線に対して内側に、かつ、互いの方向に向けられているマグネットを有するターゲットを含む。マグネットを内側に回転することにより、より多くの材料をチャンバの開放された底部中心の方向へ、より少ない材料をチャンバの側壁の方向へ蒸着することができる。さらに別のスパッタリングチャンバは、下側の２つのターゲットの間およびそこから上向きに配置されている第３ターゲットを含み、これにより、スパッタリングチャンバ内部の一部を第１および第２ターゲットからスパッタリングされた材料から保護する。いくつかのチャンバは、三角形、例えば、二等辺三角形または正三角形を形成する３つのターゲットを有している。スパッタリングターゲットのそのような三角形構成を有するあるチャンバにおいて、第１および第２ターゲットは、二等辺三角形の底辺を形成し、かつ、鉛直線に対して内向きで互いの方向に向かって設置されているマグネットを有する。提供されるスパッタリングチャンバは、チャンバの内部に堆積するオーバーコーティングスパッタリング材料の量の低減、および／または、さもなければ被コーティング基材上に落下するであろうオーバーコーティングスパッタリング材料の保持に役立ち得る。
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本発明は、円筒形ターゲットと、円筒形ターゲットを揺動させるよう適合されたモータアセンブリと、シールドと、マグネットアセンブリとを含む円筒形揺動シールドターゲットアセンブリに関する。本発明の実施形態はまた、外面が複数の分割された区分を含む円筒形ターゲットを含み、該区分は、ターゲットの周囲に長手方向に配置されて、ターゲットの長手方向にわたって延びる帯状部を形成する。各区分は、ガラスのような基材上に別のコーティングとして施されるよう意図された、銀、チタンまたはニオブのような単一のスパッタリング材料を含む。
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【課題】基材にさらされる面を有するスパッタターゲットと、当該ターゲットの面に対して移動する磁界を与えるマグネトロンとを有する、基材上に層を堆積させるためのスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を提供する。
【解決手段】本発明においては、場の移動速度は、基材上の堆積の均一性が向上するように制御される。とりわけ、本方法は、均一性対速度を監視する工程；好ましい均一性を与える速度を選択する工程；及び選択された速度に場を制御する工程を含む。選択された速度はターゲットの寿命にわたって変化させることができ、ターゲットが薄くなるにつれて速度を高くすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング成膜においてプラズマダメージを低減させて、ターゲット材の利用効率良くする。
【解決手段】 円筒状のカソード電極（ターゲットを含む）を用い、又、円板状のアノード電極及び、リング状マグネットをスムージングさせる。更には電場・磁場の形成を自由に形成可能にする。 （もっと読む）