【課題】遮蔽体を利用して容易に膜厚分布の制御が可能なマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタ装置は、基板保持部１１と、基板保持部１１に対向して設けられる板状のターゲット１２の被スパッタ面１２ａの反対面に対向しつつ回転可能に設けられ、その回転中心Ｃ１に対して偏心した位置に中心Ｃ２を有する電子の周回軌道２０を被スパッタ面１２ａの近傍に生じさせるマグネット１３と、ターゲット１２と基板１０との間に設けられ、基板１０側からターゲット１２を見た平面視で電子の周回軌道２０の一部を遮蔽しつつ電子の周回軌道２０との相対位置は変えずに、マグネット１３と同期して回転する遮蔽体１４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバを大気に曝すことなく、また、ターゲット冷却用の冷却水を飛散させることなく、短時間で磁石の交換、調整が可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット２の冷却機構を内蔵したバッキングプレート４の一面側に取り付けベース１８と側壁２５からなる磁石収納容器を配置し、他面側に真空チャンバ２を配置し、側壁２５とバッキングプレート４とを着脱可能に真空チャンバ２に固定し、さらに、取り付けベース１８は側壁２５に着脱可能に固定し、取り付けベース１８に開閉機構５を取り付ける。 （もっと読む）

【課題】シャドーリングのような、基板の周縁に接近させて配置された部材がある場合に発生する異常放電であるアーキングを効果的に防止する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内で、基板ホルダー３に保持された基板９に対しスパッタリングによるタングステン膜９２の作成が行われる。吸着電源３３が吸着電極３２に印加する電圧により基板９が誘電体プレート３１に静電吸着され、基板９の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド６２が防止する。誘電体プレート３１の表面の一部を覆う導電膜７１は、基板９の裏面に接触し、アースから絶縁されているとともに短絡用配線７６によりシャドーシールド６２に短絡されている。導電膜７１の電位が電圧計７２により計測され、アーキングの発生を、電圧計７２の測定値の急激な変動から判断手段７４が判断する。 （もっと読む）

【課題】短冊形ターゲットを用いるマグネトロンスパッタ法においてスパッタ処理効率ないし生産効率の向上を実現する。
【解決手段】このマグネトロンスパッタ装置１０は、被処理基板Ｐ_L，Ｐ_Rを垂直に立てて移動（通過）させながらスパッタ成膜処理を行う縦型通過式のスパッタ装置であって、単一または共通の磁界発生機構４２と、左右対称の双子ターゲット１２Ｌ，１２Ｒとを備える二枚同時処理型のスパッタ装置として構成されている。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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天井にスパッタターゲットを有するＰＶＤリアクタにおいて、回転磁石組立体を取り囲む導電性ハウジングは、回転磁石の軸用の中央ポートを有する。ハウジングの導電性中空シリンダは、スピンドルの外側部分を囲む。ＲＦ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる半径方向のＲＦ接続ロッドに結合され、ＤＣ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる他の半径方向のＤＣ接続ロッドに結合される。
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【課題】処理基板Ｓと処理基板Ｓに対向するターゲット６とを配置した真空チャンバー１内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Ｓが大径化しても、処理基板Ｓの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】ターゲット６にガス導入孔１２を形成し、ガス導入孔１２から処理基板Ｓに向けて反応ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 安価な方法で高密度かつ均一な組織の円筒型の酸化物焼結ターゲット材を得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物粉末を含むスラリーを円筒形状の吸水型に注入した後、前記吸水型の円筒内壁にスラリーを沈降させながら吸水型の中心線を回転軸心として回転速度３０ｒｐｍ以下で回転させことにより円筒形状の酸化物成形体を得、次いで前記酸化物成形体を焼結して円筒型酸化物焼結体を得る円筒型酸化物焼結ターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】カソードを収容するカソードケースの周囲にガス噴出管を配置し、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして膜厚分布を改善したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】３個のマグネトロンカソードのうち、両側のカソード５４ａ、５４ｃは角度調整可能に真空容器３２に取付けられている。真空容器３２を１×１０＾４Ｐａまで排気した後、カソードケース５０に付属するガス噴出管８２からプロセスガス（アルゴンと酸素の混合ガス）８８を導入する。合計でアルゴンガスの流量を１２０ＳＣＣＭ、酸素ガスの流量を９０ＳＣＣＭとし、真空容器内の圧力を０．７Ｐａに設定する。其々の直流電源７２からカソード５４ａ、５４ｂ、５４ｃに１ｋＷの直流電力を供給して、クロム製のターゲット７８をスパッタリングし、基板１０上に酸化クロム薄膜を形成する。２００ｎｍの膜厚を得た時に膜厚分布は±４％となった。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な膜を手軽に成膜する。
【解決手段】ロータリーマグネトロンスパッタ装置３００において、ターゲット３３０と、そのターゲット３３０のディスク基板２０１側に対する裏側に配置され磁界を発生させる、その磁界は頂点がターゲット３３０のディスク基板２０１側に達するアーチ状の磁界であり、その磁界をターゲット３３０に沿って周回移動させるロータリーマグネトロンカソード３４０との間に挿入され、上記磁界の周回移動経路上の一部でその磁界のターゲット３３０への到達を減らす軟磁性板３６０を備えた。 （もっと読む）

【課題】時間の経過に伴なってターゲット部材の一定のスパッタ速度を提供し、かつ変動しないプロセス条件を作ることのできるプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上部電極２、下部電極３、ガス導入口、真空排気口を有する反応容器１と、ターゲット２ａと、複数のマグネット４と、マグネット支持金属シート９と、金属シートを上部電極の中心軸に沿う方向に移動させる移動機構（１３，１４，２２）と、ｒｆ電源（１５）と、移動機構の移動条件を決める電気回路（２５）とを備える。電気回路は、上部電極の自己バイアス電圧をモニタし、複数のマグネットを、スパッタプロセスによる時間の経過に伴ってエロージョンを受けるターゲット部材の表面上で一定磁界を維持するようターゲット平面に垂直に移動させる。 （もっと読む）

プラズマ促進物理蒸着反応器において、ワークピース全体にわたる堆積速度の半径方向分布の均一性を、ＲＦおよびＤＣ電力の両方をターゲットに印加し、ＲＦおよびＤＣ電力の電力レベルを別個に調整することによって向上させる。さらなる最適化は、ターゲットの上の磁石の高さを調整すること、ターゲットの上の磁石の軌道運動の半径を調整すること、および角度をつけたターゲットのエッジ面を設けることによって得られる。
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【課題】 スパッタソースのターゲット有効期間に亘っての分布変化を補整可能にする、絶縁材料の被覆方法を実現することである。
【解決手段】
被覆さるべき基板上において、さらにスパッタさるべきターゲット（９）の全有効期間に亘り再現可能な方法で優れた分布が達成さるべき絶縁層を製造するための、真空スパッタ方法に関し、この発明では、高周波でスパッタされる絶縁ターゲット（９）の厚さにならい削りが施され、しかも浸食率が高い領域でのターゲット厚さはより厚く、かつ／または浸食率の低い領域ではターゲット厚さがより薄く選択されるように、ならい削りが選択されるよう、提案される。 （もっと読む）

【課題】テクスチャを設けることなしに磁気記録層に磁気異方性を付与することができる新規な構成を提供する。
【解決手段】 基板９上に形成された磁気記録層９１より成る磁気記録ディスクは、基板９と磁気記録層９１の間に磁気記録層９１に磁気異方性を付与する異方性付与層９２を有する。異方性付与層９２は、タンタル、ニオブ合金又はタンタル合金であって窒化されたもの又は窒素を含む薄膜であり、表面が大気ガス、窒素ガス又は酸素ガスに晒されて変性されている。異方性付与層９２は、例えばクロムニオブ合金製ターゲットを窒素を含むプロセスガスによってスパッタして作成した薄膜であり、成膜後に０．５〜１０Ｐａ程度の圧力の酸素ガスに晒す。ターゲットからのスパッタ粒子のうち、付与すべき異方性の方向に方向成分を持って飛行するスパッタ粒子を相対的多く基板９に入射させる方向制御が行われる。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法において短冊形ターゲットを使用して半導体ウエハにスパッタ成膜を効率的かつ均一に行えるようにする。
【解決手段】被成膜体の半導体ウエハをウエハ配置面Ｐ上の円形基準領域Ａにぴったり重ねて配置する。そして、円形基準領域Ａの中心Ａ_Oを通る法線を回転中心軸として半導体ウエハを所定の回転数で同軸回転させる。そうすると、半導体ウエハ表面の各部は、一回転毎に、半径Ｒ／２よりも内側のウエハ中心部は短冊形堆積領域Ｂ₁のみを通過する間に短冊形ターゲット１０(1)からのスパッタ粒子を浴び、半径Ｒ／２よりも外側のウエハ周辺部では両短冊形堆積領域Ｂ₁，Ｂ₂を通過する間に両短冊形ターゲット１０(1)，１０(2)からのスパッタ粒子を浴びるという形態のスパッタ成膜処理を受ける。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット面近傍のプラズマ状態の更なる安定化を図ること。
【解決手段】 磁場発生装置は、永久磁石と、前記永久磁石の外周側面を囲むように配置されている磁性体よりなる分離されているヨークと、前記ヨークの間に位置する非磁性体と、を有する磁石組立が、少なくとも３個以上一直線に沿って配置されることにより構成される磁石組立群を備える。 （もっと読む）

【課題】良好でかつ要求された特性を維持することができ、膜堆積の間停止状態にある温度制御性の良好なウェハーホルダを有するプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ支援スパッタ成膜装置は次の構成からなる。プラズマの生成のため使用されるプロセスガスが導入される反応容器１と、プラズマによってスパッタされる物質で作られるドーナツ型電極であって、その下面はウェハーの表面に対し傾斜されているドーナツ型電極２と、ドーナツ型電極の上方の円の上を移動しながらその中心軸で回転する回転プレートであって、その下面に取付けられかつドーナツ型電極の表面に平行なマグネット配列４を含む回転プレート３と、ドーナツ型電極に接続された電力源１０と、そして膜堆積のためウェハー９を配置するためのウェハーホルダ５であって、膜堆積の間停止状態にあるウェハーホルダとから構成される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、基板上のアスペクト比の高い特徴部の底部及び側壁上に材料を均一にスパッタ蒸着させるための装置及び方法に関する。１つの実施形態では、スパッタ蒸着システムが、開口部を有するコリメータを含み、この開口部のアスペクト比が、コリメータの中心領域からコリメータの周辺領域にかけて減少する。１つの実施形態では、内部にねじ山のある留め具と外部にねじ山のある留め具との組み合わせを含むブラケット部材を介して、コリメータが接地されたシールドに結合される。別の実施形態では、コリメータが、接地されたシールドに一体的に取り付けられる。１つの実施形態では、材料をスパッタ蒸着させる方法が、基板支持部上のバイアスを高い値と低い値の間でパルスするステップを含む。 （もっと読む）

コア材料および表面材料を含むフィールド増加型スパッタリングターゲットを開示し、コア材料または表面材料のうちの少なくとも1つがフィールド増加設計プロファイルを有し、スパッタリングターゲットは実質的に均一の浸食プロファイルを有する。フィールド増加型スパッタリングターゲットおよび陽極シールドを含むターゲットアセンブリ・システムをまた開示する。加えて、スパッタリングターゲット上で実質的に均一の浸食を生成する方法を記載し、それは陽極シールドを提供し、陰極のフィールド増加型ターゲットを提供し、プラズマ点火アークを始めることを含み、アークは陽極シールドおよび陰極フィールド増加型ターゲットとの間で最少の抵抗のポイントに配置される。
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【課題】スパッタリング方法及び装置において、ターゲットへの再付着膜の堆積量を減少可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板に所望の膜を成膜するスパッタリング方法において、ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御することで、前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する。 （もっと読む）