【課題】成膜速度の大きく低ダメージで、かつ、安定した放電が可能なスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明は、平板状のターゲット３０を用い、真空中で基板２０に対してスパッタリングによって成膜を行うスパッタリング方法であって、ターゲット３０の縁部３０ａが基板２０の成膜面２０ａに対して対向する第１の成膜位置にターゲット３０を配置して成膜を行う第１のスパッタリング工程と、ターゲット３０の正面部３０ｂが基板２０の成膜面２０ａに対して対向する第２の成膜位置にターゲット３０を配置して成膜を行う第２のスパッタリング工程とを有する。 （もっと読む）

回転可能なターゲット内に挿入可能なスパッタリングマグネトロン（３００）が記載されている。このマグネトロンは、全長に亘って延在する複数の区画（３１６，３１６’，３１８，３１８’）を有する内部多壁構造の単体チューブ（１０２，２０２）に基づいて設計されている。このような多壁構造のチューブは、先行技術のマグネトロンと比較して、著しく高い剛性を有するマグネトロン支持構造をもたらす。その結果、磁場発生器を区画の内側に取り付け可能であり、磁石とターゲット表面との間の距離は、チューブが発生器よりも高い剛性を有することで、容易に調整可能である。加えて、チューブ内側の外壁近くに冷媒通路を形成でき、これにより、冷媒を磁場発生器の近傍に供給できる。マグネトロンの増大した剛性によって、ターゲット管は、ターゲットの耐用期間の少なくとも一部においてマグネトロンによって支持され（これと逆の関係ではない）、それにより、薄肉のターゲットキャリア管を利用可能となる。このキャリア管はマグネトロンを支持する必要がないからである。その結果、ターゲットの長期使用がもたらされる。
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【課題】ターゲットから発生する高周波ノイズの影響を抑えた高周波スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 被スパッタ面が処理チャンバー１内に露出したターゲット３は、高周波電源４によって高周波電圧が印加されてスパッタされる。ターゲット３の背後には絶縁部材３０を介してベース板３３が設けられ、ターゲット３とベース板３３の間の空間に冷却機構８によって純水が供給されて冷却される。ベース板３３は、１０オーム以下の容量性インピーダンスとなるよう軸対称に配置された複数のコンデンサ３６を介して接地されている。ターゲット３とベース板３３の間に設けられた磁石ユニット５を回転させる回転機構７に対しては、ベース板３３がシールドとなり、ターゲット３からの高周波ノイズが遮断される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】形成する磁場を簡単な操作で変更・調整することができるマグネトロンスパッタ装置用磁石ユニットを提供することを課題とする。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット２０Ａは、ベース板３０と、ベース板３０に固定された内側磁石３４と、ベース板３０に固定され、内側磁石３４を包囲するように配置された外側磁石３２とを有する。内側磁石３４の一部３４ａ及び外側磁石３２の一部３２ａの少なくとも一方は、ベース板３０上で変位可能である。 （もっと読む）

ワークピース上への材料のプラズマ支援物理的気相堆積において、金属ターゲットは、ワークピースの直径未満の、ターゲットからワークピースまでの間隔を横断してワークピースに面する。キャリアガスは、チャンバー内に導入され、チャンバー内のガス圧力は、平均自由行程が前記間隔の５％未満である閾値圧力以上に維持される。ＶＨＦ発生器からのＲＦプラズマ源電力は、ターゲットに容量結合プラズマを発生させるためにターゲットに印加され、そのＶＨＦ発生器は、３０ＭＨｚを越える周波数を有する。プラズマは、ワークピースを通ってＶＨＦ発生器の周波数での第１のＶＨＦ大地帰還経路を提供することによってワークピースまで前記間隔を横断して広げられる。
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【課題】ターゲット汚染を低減する、カルーセル式マグネトロンカソード及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】本発明のカルーセル式マグネトロンカソードは、所定の真空状態に保たれたチャンバ１０内にて、固定位置に設けられたデバイス１１の成膜面に、所定の薄膜を成膜するために、当該デバイスを多層に成膜するために、スパッタ粒子を放出可能なターゲットを各々が有する複数のカソード１３ａ，１３ｂ，１３ｃと、複数のカソード１３ａ，１３ｂ，１３ｃを、所定の半径を有する円の円周上にそれぞれ配置するとともに、複数のカソードの各々を保持するカソード保持機構２０と、カソード保持機構２０によって保持された複数のカソード１３ａ，１３ｂ，１３ｃを、順にスパッタ粒子を放出するのに適した、当該円の中心を回転軸として回転する回転機構２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率や生産性を向上させることができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲットが保持される保持面１１ａを有するカソード電極１１と、ターゲット上に磁界を形成すると共に保持面１１ａに直交する回転軸Ｚ８１で回転する磁界形成部８０とを備える。磁界形成部８０は、重心Ｏ８２が回転軸以外の位置となるように配置されてカソード電極１１と対向する第１の磁極面８２ａを有する柱状の第１の磁石８２と、重心Ｏ８３が回転軸上又はその近傍に位置するように配置されて第１の磁石８２を囲う筒状の第２の磁石８３とを備えている。第１の磁極面８２ａは、保持面１１ａとの距離が、第１の磁石８２と第２の磁石８３との距離が最も短い位置Ａ８２で最も長く、最も長い位置Ｂ８２で最も短い傾斜面である。 （もっと読む）

【課題】基板への被覆層が、長い時間期間に亘って良好な安定性を有し、その上、その層の特性、例えば、シート抵抗及びシート均一性が改善された装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２には、ｎ個のカソード７−１０と、各々カソード７−１０に隣接したｎ＋１個のアノード２８−３２と、が配置される。上記ｎ個のカソード７−１０の各々及び上記アノードのうちの、ｎ個の割り当てられたアノード２９−３２は、電力供給源１１−１４に接続される。上記アノードのうちの、カソード７−１０に割り当てられていない１つのアノード２８は、上記アノード２８−３２の各々を接続している電気ライン６３に接続される。プルダウン抵抗器３４の一端が上記ライン６３に接続され、そのプルダウン抵抗器３４の他端が接地３３に接続される。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が向上し、プラズマのエネルギよるダメージがないカソード電極の製造方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法により、コバルト酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、このターゲットに高周波電力及びＤＣ電力を重畳印加させながら、希ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、薄膜固体リチウムイオン２次電池用の負極活物質層として機能するコバルト酸リチウム薄膜からなるカソード電極を形成する。このカソード電極を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中のエネルギによる表面のダメージがない薄膜電解質を製造できるマグネトロンスパッタ装置、この装置を用いて固体電解質薄膜を製造する方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する方法を提供する。
【解決手段】ステージ１６の側面からグランド電位の防着板１９の側面までの最短距離をΔＤとし、ステージ１６の上面の延長面から防着板１９の底面までの最短距離をΔＨとし、ターゲット１５の直径とステージ１６の直径との差の１／２をΔｄとする場合、Δｄ＜ΔＤ及びΔＤ＜ΔＨの関係を満足するように、防着板１９及びステージ１６を配置、構成すること。この装置を用いて、スパッタリング法により、希ガス及び窒素ガスを供給して、固体電解質薄膜を製造し、得られた固体電解質薄膜を有する薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】回転式マグネトロンによって得られるコーティング品質に匹敵するコーティング品質と効率とを有する平面のターゲットを使用するためのスパッタコーティング装置を提供する。
【解決手段】壁を備えた少なくとも１つのコーティングチャンバ３と、前記コーティングチャンバ３内側に配置された少なくとも第１ターゲットユニット９とを備え、前記ターゲットユニット９は、少なくとも１つの実質的に平面であるスパッタターゲット６を備え、前記ターゲットユニット９は、前記ターゲットユニット９の内部空間１０´を規定する筐体１０を備え、前記ターゲットユニット９は、基板２のコーティング面に面する、コーティングチャンバ３の壁３ｃから距離を置いて配置されているため、筐体１０の背後には、筐体１０とコーティングチャンバ３の壁との間に若干の自由空間があることを特徴するスパッタコーティング装置１。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を向上させる成膜源、スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット２１には孔２６が形成され、磁石装置２０は磁石移動装置４により、ターゲット２１の孔２６の周囲を移動する。従って、磁石装置２０により形成されるエロージョン領域は、孔２６の周囲に形成され、非エロージョン領域になるべき部分にはターゲット２１が存在しないから、ターゲット２１の使用効率が高い。孔２６の底面上には接地電極２５が配置されているから、孔２６の内部に露出する部材がスパッタリングされない。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置するとともに、反応ガス供給手段５０によってチャンバ４１内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ４１内の圧力を圧力モニタ５１によって検知し、該圧力モニタ５１の検知信号Ａに基づき、反応ガス供給手段５０からチャンバ４１内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段５２によって制御する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が向上し、プラズマのエネルギによるダメージがない固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法により、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、固体電解質薄膜としての窒素置換リン酸リチウム薄膜を製造する。この固体電解質薄膜の製造方法を実施するための、特定の防着板を備えた平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及びこの装置を用いて得られた固体電解質薄膜を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

マグネトロン（７２）をターゲット（３８）の裏面の近傍で、半径方向成分を有する複雑な選択経路（１５０）で走査する場合、ターゲットエロージョン分布は、選択される複数の経路によって変わる形状を有する。所定のマグネトロンに対応する半径方向エロージョン速度分布（１６０）を測定する。走査中、定期的に、エロージョン分布（１６８）を、測定エロージョン速度分布（１６０）及び当該測定エロージョン速度分布から得られる分布（１６２，１６４，１６６）、マグネトロンが異なる半径方向位置で消費した時間、及びターゲット電力に基づいて計算する。計算エロージョン分布を使用することにより、エロージョン量がいずれかの位置で過剰になった時点を通知してターゲット交換を催促することができ、またターゲット上方のマグネトロンの高さを繰り返し走査に対応して調整することができる。本発明の別の態様によれば、マグネトロンの高さを、走査中に動的に調整する（２０６）ことによりエロージョン特性を補正する。当該補正は、計算エロージョン分布に基づいて行なうことができ、または定電力ターゲット電源（１１０）のターゲット電圧（１２４）の現在値をフィードバック制御することにより行なうことができる。
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【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内の基板８に、マグネトロンスパッタリングにより磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するカソード２を、前記ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係とすると共に、前記基板８を回転するための第１回転機構、前記カソード２の背後に位置するマグネット２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための第２回転駆動手段を有し、前記第１回転機構による前記基板８の回転の下及び第２回転機構による前記磁界発生装置７の回転の下で、前記基板８の上に磁性膜を成膜するように構成したマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの成膜効率の向上を図る。
【解決手段】円筒形の支持筒の外周のターゲット層を形成してあり、中空部内に磁石ユニット２４を配してある。磁石ユニット２４は、各磁石２４ｂのＮ極で構成される第１磁極面がジグザグ状に配してあり、その周囲を各磁石２４ｃのＳ極で構成される第２磁極面が囲むようになっており、ターゲット層の表面近傍に現れる磁界の向きをその母線方向と傾斜したものとし、ターゲット層２７の母線方向の長さに対する磁力線を多くし、ターゲット層の表面近傍での磁界の分布を広げる。 （もっと読む）

【課題】種々の形状のワークに対して成膜を行う。
【解決手段】第１ターゲット装置１１は、円筒状のターゲットユニットその軸心をカルーセル４の回転軸４ａと平行となる姿勢で、また第２ターゲット装置１２は、ツツミ状のターゲットユニットがその軸心をカルーセル４の回転軸４ａと直交する姿勢とされて真空槽３内に配置されている。第２ターゲット装置１２のターゲット層の表面がワーク７の上面や下面に対向するため、それら第１ターゲット装置１１ではほとんど成膜されない部分にもスパッタ原子が堆積して成膜が行われる。 （もっと読む）