【課題】導電性が良く、光透過率の高い透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜を微粒子に被覆した透明導電性微粒子及びその製造方法、電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器１を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器１内の微粒子３を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子３の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板表面にダメージを与えずに高速成膜できると共に、異常放電が発生しにくいスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 スパッタ装置１０は、チャンバ内に離間して設置された第１、第２の円筒状スパッタターゲットと、第１、第２の円筒状スパッタターゲットにそれぞれ電圧を印加する電圧印加手段と、チャンバ内にスパッタガスを導入するガス導入系７０と、第１の円筒状スパッタターゲットの内部に設けられ、第２の円筒状スパッタターゲットに対向する磁石を有する第１の磁石装置６０Ａと、第２の円筒状スパッタターゲットの内部に設けられ、第１の磁石装置の磁石に対向する磁石を有し、第１の磁石装置との間に磁場を形成する第２の磁石装置６０Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲット上の浸食を容易に均一に進めることができるマグネットユニットを提供する。
【解決手段】ターゲットを支持するカソード電極の背面側に、強磁性板材からなるヨーク４１２と、該ヨーク上に配置された環状の外部磁石ユニット４０２と、前記ヨーク上の前記外部磁石ユニットの内部に配置され、前記外部磁石ユニットと極性が異なる内部磁石ユニット４０１と、前記ヨークを該ヨークの回転中心４１１１を中心として回転させる回転機構と、を備え、前記内部磁石ユニットは、前記ヨークの回転中心から少なくともｎ（ｎは３以上の正の整数）の方向に放射状に伸びるｎ本の内部磁石で構成され、前記外部磁石ユニットは、前記ｎ本の内部磁石を取り囲むように配置された３ｎ−１角形以上の形状を有する３ｎ−１本以上の外部磁石で構成されていることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置の磁石ユニット。 （もっと読む）

【課題】簡易な手法を用いて短時間でチャンバ内を真空排気してから基板へのスパッタリングを行なうことができるスパッタリング方法、スパッタターゲット、スパッタリング装置およびターゲット作製方法を提供する。
【解決手段】スパッタターゲットのスパッタ面上にゲッタリング材料1Xを配置し、スパッタリング初期にゲッタリング材料1Xを放出させて、真空度を上げ、その後、スパッタリング対象部をスパッタリングすることにより、スパッタ粒子を基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 効率的に高い接合強度で長尺の一体型のターゲットを実現可能な円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｍｏ粉末とＭｏ以外の高融点金属粉末とからなる複数の円筒型成形体を端面で接合する円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法であって、一方の円筒型成形体の接合端面を５〜８５度のテーパー状に形成し、他方の円筒型成形体の接合端面を前記テーパー状の端面に対して補角となるすり鉢状に形成し、前記円筒型成形体を、前記接合端面同士が当接するように中空の円筒型充填空間を有する金属カプセルに挿入した後、減圧封止し、その後、熱間静水圧プレスを施し、一体型の焼結体を得る円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ_６膜の結晶性を更に改善でき、剥離も少ないスパッタ形成方法を提供する。
【解決手段】タングステン又はモリブデンと、希土類元素の酸化物を含む材料からなる基体にスパッタリングによってＬａＢ_６膜を成膜する際、アルゴンに窒素ガスを０．０１〜５体積％添加した雰囲気でＬａＢ_６ターゲットのスパッタリングを行うことにより、結晶性の優れたＬａＢ_６膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】所望の実効仕事関数（例えば、高い実効仕事関数）を実現し、かつ、ＥＯＴが変化しない、またはＥＯＴの変化を低減した金属窒化膜、金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る金属窒化膜は、ＴｉとＡｌとＮを含有し、該金属窒化膜のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．５３以上であり、かつ、上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．３２以下であり、かつ上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．１５以下である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットから垂直方向に叩き出されるターゲット原子の個数を増大させる。
【解決手段】薄膜形成に用いられるターゲット原子Ｐから構成されたターゲット５において、ターゲット５から斜め方向に叩き出されたターゲット原子Ｐを側壁に衝突させることでターゲット原子Ｐがターゲット５から放出されるのを遮る凹部５ａを表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】金属膜を埋め込む工程を有する電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のマグネットが多角形格子の格子点の位置にかつ隣接するマグネットが異極性となるように配置された磁石ユニットによりターゲット表面に磁場を形成させながら、ＰＣＭスパッタリング法により、凹部が形成された被処理体に窒化チタンを含むバリア層を成膜する第１の工程と、前記バリア層上に直接低融点金属層を、前記低融点金属層が流動可能な温度条件下で充填する第２の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】大幅なコスト増につながるターゲットアセンブリの損傷に起因する交換とパフォーマンスの低下に関して改良されたターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】スパッタリング用の回転ターゲットは、外面を有するターゲットバッキングチューブ２０５と、ターゲットバッキングチューブ２０５の外面と接触しており、かつ電気伝導性であり非熱伝導性であるバッキング層と、ターゲットバッキングチューブ２０５の周囲に位置しており、かつバッキング層と接触している複数のターゲット円筒体と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】水素原子や炭素原子等の不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、該不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、該不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする
【解決手段】Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物や炭素原子を含む化合物、もしくは水素原子や炭素原子等の不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜装置を提供できる。また、該不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜方法を提供できる。また、該不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、冷却手段４０は、冷却液Ｌが流れる冷却路４６を有し、この冷却路４６がバッキングプレート４１と押え具４２との少なくとも一方におけるマグネット４３，４４と対向する位置よりも外側に位置して設けられ、更に、マグネット４３，４４と一体に回転駆動される空冷ファン４０Ａを配置する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット長や幅を増大させることなく、基板上に成膜される薄膜の膜厚分布を容易に調整できる磁石ユニットを提供する。
【解決手段】カソード電極の短辺方向に設けられた第１のヨーク板上に、第１磁石と該第１磁石と極性が異なる第２磁石と、からなる第１のマグネットエレメントを固着し、前記カソード電極の長手方向両側に設けられた第２のヨーク板上に第３の磁石と第４の磁石と第５の磁石とをそれぞれ配置し、前記第４の磁石の内側から前記第２のヨーク板の長辺方向の内側に向けてｎ−１本（ｎは２以上の正の整数）の突出磁石を延出して配置し、前記突出磁石の両側に第４の磁石の磁石と所定の間隔をもってｎ本の延出磁石を配置し、前記突出磁石と前記延出磁石とにより、ターゲット上に、長手方向の両端部に２ｎ−１の数の折り返し形状部を有する磁気トラックを形成したことを特徴とする磁石ユニット。 （もっと読む）

２つの直線部、および前記直線部を接続する、少なくとも１つの末端転回部を有するレーストラック型プラズマ源を含む、基材にコーティングする装置が提供される。コーティングの構成要素を形成する、ターゲット材料で形成されたチューブ状ターゲットは、終端部を有する。ターゲットは、ターゲット材料のスパッタリングのためにプラズマ源の近位にある。ターゲットはチューブ状の裏当てカソードに固定され、両者は中心軸を中心として回転可能である。ターゲットがコーティングを基材上に堆積するために利用されるのにともない、磁石の組が、カソードの内側に、ターゲットの終端部に向かう末端転回に整列された侵食ゾーンを移動するために配設される。ターゲットの初期重量の最高８７重量％の、ターゲットの利用が達成される。
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【課題】チャンバー壁をスパッタ堆積から保護するもので、蓄積した堆積材料が剥げ落ちて粒子を形成しないように固定数の堆積サイクル後に交換される、誘導結合プラズマスパッタリアクタと共に使用可能なシールドシステム提供する。
【解決手段】内部シールド１６２は、ターゲットバッキングプレート１３０付近の上端からＲＦコイル１６０より下の下端まで延び、通常、処理位置にあるペデスタル１４６の上面のすぐ下まで延びる。プラズマスパッタリアクタに使用するよう適応され、軸の周りで略円形対称であるシールド１６２において、前記軸に沿って延びる上端と、前記軸に沿って延びる下端と、前記上端と下端との間で前記軸から半径方向外方に延びるフランジ１６８と、を備え、前記軸に面したシールド内面は、前記軸からの傾斜が１０°以下で、それ以外は滑らかであるようにしたシールド。 （もっと読む）

回転ターゲット（２０）を有するカソード組立体（１０）を用いて、基板（１００）をコーティングするための方法が提供される。回転ターゲットは、その中に配置される、少なくとも１つの磁石組立体（２５）を有する。方法は、所定の第１の時間間隔の間、磁石組立体が基板（１００）から回転ターゲットの軸（２１）に垂直に延びる平面（２２）に対して非対称に位置合わせされるように、磁石組立体を第１の位置に位置決めすることと、所定の第２の時間間隔の間、前記平面（２２）に対して非対称に位置合わせされる第２の位置に磁石組立体を位置決めすることと、コーティング期間、経時的に変えられる電圧を回転ターゲットに供給することとを含む。さらに、回転湾曲ターゲットを有するカソード組立体と、回転湾曲ターゲット内に配置される２つの磁石組立体とを含み、２つの磁石組立体間の距離が変えられ得るコータが提供される。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減するとともに、高精度にマスクの位置を決めるマスク位置合わせ機構及びこのようなマスク位置合わせ機構を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】マスク位置合わせ機構は、基板搬送の際に上下動可能、且つ４つのテーパピンが形成された基板ホルダ７と、それぞれのテーパピンを挿入可能な溝３７が形成されたマスク３１を有して構成されており、テーパピンは、基板を挟んで対峙して配設された長いテーパピン３５ａと短いテーパピン３５ｂの一対ずつからなり、長いテーパピンと短いテーパピンにそれぞれ形成されているテーパ面は異なる高さに位置している。 （もっと読む）