本発明は、基板の真空コーティング用の設備に関し、当該設備は、真空室と、少なくとも１つの基板を保持する装置と、基板をコーティング領域に搬送する搬送装置とを備えており、真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域に、少なくとも１つのプラズマインパルス化学蒸着用の装置が設けてあり、真空室の少なくとも１つの第２のコーティング領域に、少なくとも１つのスパッタコーティング用の装置が設けてある。
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本発明は、クリーン・ルーム対応の、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法用のコーティング・システムに関する。前記システムは、ガラス様の層、ガラス・セラミック層および／またはセラミック層が堆積される、少なくとも１つの真空コーティング・チャンバを備える。真空コーティング・チャンバの第１の開口部が、真空排気可能な別個の真空ロック・チャンバ（ロード・ロック）を介してクリーン・ルームに接続される。この真空ロック・チャンバは、基板を真空コーティング・チャンバ内に供給し、基板を真空コーティング・チャンバから取り出すために使用される輸送手段を備える。真空コーティング・チャンバの第２の開口部が、真空コーティング・チャンバをクリーン・ルームから切り離されたグレイ・ルーム領域に接続する。
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【課題】 基板への膜の形成直後に即座に検査することにより、膜の不良を早期に検出できるとともに、長期間、安定して正確な検出精度を得ることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 受渡ホルダ６０によって、基板２が成膜処理室側に受け渡され、スパッタリングによる成膜処理が施された後、再びロードロック室３０側に戻される。支持部材５１を上昇させることにより、受渡ホルダ６０上の基板２を、支持部材５１と搬送ホルダ４２との間に挟持し、機械的チャック４２ａによって基板２の中心孔を係止する。光学式透過率センサの発光部７１から出射したレーザ光を、窓部４２ｂ，５１ａ，１ｂを介して受光部７２が受光することによって、基板２上の膜の透過率が検出され、その結果に応じて、不良品として廃棄されるか、その後のディスク製造工程に進むかが判定される。 （もっと読む）

【課題】安価で加工が容易な材料を用いて作成された蒸着用容器を用いて、蒸着材料の蒸着を行っても詰まりを生じさせず、安定して蒸着を行うことが可能な蒸着用容器および蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着用容器のフタの側面に蛇腹構造を設ける。または、蒸着用容器のフタを蒸着源の開口部分より大きくして、加熱部に直接接するようにする。このような構成によれば、フタの開口部付近が冷えにくい構造となり、容器の胴部とフタとで温度差が生じにくくなる。従って、開口部で蒸発した材料が詰まることがなく、長時間に渡って安定して蒸着を行うことが可能となり、蒸着レートの安定化、生産性の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、極力材料の無駄が発生しない蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 蒸着装置１０ａは、各基板１４間を移動し、材料を加熱蒸発させ、各基板１４に対して蒸発物を堆積させるための蒸発源１２を備える。基板１４を真空チャンバーＡ，Ｃに出入したりアライメントしたりする間に他の基板１４を蒸着する。材料の無駄が非常に少なく、製造されるＯＬＥＤの製造コストを下げることができる。 （もっと読む）

処理チャンバに配置された材料をアニールしてケイ化物層を形成するための方法及び装置が提供される。１つの態様において、シリコン材料が配置された基板を、チャンバ内の基板支持体上に配置するステップと、少なくともシリコン材料上に金属層を形成するステップと、上記基板をその場でアニールして、金属ケイ化物層を生成するステップとを備えた基板面を処理する方法が提供される。別の態様において、この方法は、ロードロックチャンバと、該ロードロックチャンバに結合された中間基板移送領域であって、第１基板移送チャンバ及び第２基板移送チャンバで構成される中間基板移送領域と、上記第１基板移送チャンバに配置された物理的気相堆積処理チャンバと、上記第２基板移送チャンバに配置されたアニールチャンバとを備えた装置において実行される。
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本発明は乾燥したナノ粒子（１８ｂ）のための移送システムを提供する。このシステムでは、移送するためにナノ粒子（１８ｂ）を磁化又は帯電させ、移送通路内に場発生器（２０ａ、２０ｂ）によって磁界又は電場を発生させ、その中でナノ粒子（１８ｂ）を移送通路（１２）を経て移動させる。ナノ粒子を、例えば放出開口部（１３）を通して放出することで配量が可能である。ナノ粒子（１８ｂ）の凝集又は内壁（２６）への堆積を回避するために、壁のコーティング（２７）をピエゾ駆動機構（２８）によって振動させ、その振動をナノ粒子（１８ｂ）へ伝達する。この移送システムによって、乾燥したナノ粒子の取扱いが効果的に可能になるので、ナノ粒子を懸濁液として処理する必要がない。
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【解決手段】 物品を真空支援処理するための方法と装置が開示されており、ここでは、システムの効率と製品の品質を高めるために、段取り室（１５）と処理室（１１）を実質的に等しい低圧に維持しながら物品は両室間で移動させ、且つ、処理の前及び後に物品を移送するために磁気連結式駆動機構（４３）が使用されている。 （もっと読む）

【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー５を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板１２を固定保持した基板固定治具１３をアームでドラム型基板ホルダー５の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー５の外周面の角部５ａに設けた固定装置１４で基板固定治具１３の端部１３ｂを固定することができる。 （もっと読む）

この発明は、真空成膜設備を通して搬送方向に移動可能な基板に成膜するための真空成膜設備用ゲートシステム（１）であって、入力側と出力側に、それぞれ一次真空ゲートチェンバー（２）と成膜チェンバー（４）に隣接した搬送チェンバー（３）とを備えており、その場合に、搬送方向に対して入力側の搬送チェンバーの前と、搬送方向に対して出力側の搬送チェンバーの後で精密真空に設定可能であるゲートシステムに関する。一次真空ゲートチェンバー（２）が、搬送チェンバー（３）に直接隣接しており、一次真空ゲートチェンバー（２）内で精密真空に設定可能である。
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本発明に係る半導体製造用対向ターゲットスパッタリング装置は、不活性ガスが出入りすることができる気密チャンバと、互いに対向してそれら間にプラズマ区域を形成するように気密チャンバの対向端部に各々置かれる一対のターゲットプレート１２０、１１０と、プラズマ区域１３０に亘って相異する極性の磁極が互いに対向することによりターゲットプレート１２０、１１０の間のプラズマ区域１３０に磁場を樹立するようにターゲットプレート１２０、１１０の付近に各々配置される一対の磁石１０２、１０４、１０６、１０８と、プラズマ区域１３０の付近に配置され、合金薄膜が上部に蒸着される基板２２２を維持するに適合するように形成される基板ホルダー２２４と、基板ホルダー２２４にカップリングされた逆バイアス電源２３６と、を含む。
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窒化タンタル／タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはＰＶＤで堆積される。窒化タンタル／タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 （もっと読む）