【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムであって、処理システムの移送空間から真空アイソレーションされた処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から真空アイソレートが維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造するのに用いられるプロセスチャンバーの内部などの、表面から表面沈着物を除去するための改良された遠隔プラズマクリーニング方法に関する。本改良は、酸素源およびフッ化硫黄を含む供給ガス混合物への窒素源の添加を含む。
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【課題】スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 排気可能になされた処理容器１４内の載置台２０上に被処理体Ｗを載置し、該被処理体を加熱手段４６により所定の設定温度まで昇温すると共に、前記処理容器内に所定のガスを流して所定の熱処理を施すようにした熱処理方法において、前記被処理体に対して前記所定の熱処理を施す直前に、前記被処理体が前記所定の温度に維持されている時に前記加熱手段に印加される電力よりも大きな電力を前記加熱手段に短時間だけ印加する短時間大電力供給工程を少なくとも１回行うようにする。これにより、スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持する。 （もっと読む）

【課題】装置自体を大型化することなく各ブロック体間の熱移動を極力抑制して各ブロック体を個別に温度制御ができると共に、エネルギー効率も向上させることができる処理装置を提供する。
【解決手段】排気が可能になされた金属製の筒体状の処理容器３４と、被処理体Ｗを載置するために前記処理容器内に設けられた載置台３６と、前記被処理体を加熱するための加熱手段４０と、前記処理容器内に所定のガスを導入するガス導入手段４２とを有し、前記被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理装置において、前記処理容器を複数のブロック体８０、８２、８４に分割し、前記ブロック体間に真空断熱層８６、８８を設ける。これにより、装置自体を大型化することなく各ブロック体間の熱移動を極力抑制して各ブロック体を個別に温度制御ができ、エネルギー効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 水分の存在下でも劣化しない高温酸化耐性を示すＢＮ／Ｓｉ₃Ｎ₄多層コーティングの形成方法およびその装置を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素繊維が織り込まれた織物の複数の層から形成されたプリフォームなどの基材１７が反応室１５内に配置され、窒素雰囲気中で加熱される。窒素はチューブ１０２を経て反応室１５に入り、続いてハロゲン化ホウ素前駆体が通流される。その後ハロゲン化ホウ素前駆体の流れが停止され、アンモニアおよび窒素がチューブ１０２，１０６を経て供給される。所定の時間が経過した後、ハロゲン化ケイ素前駆体が反応室１５へと通流されて基材１７上に所望の厚さのＢＮ／Ｓｉ₃Ｎ₄コーティングが形成される。この工程を複数回繰り返すことにより、基材１７上に改良された機械的特性や化学的特性をもつＢＮ／Ｓｉ₃Ｎ₄の多層コーティングが形成される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、プロセスガスがプロセス室内に導入され且つ真空加工システムの排気路を通して排出される、真空加工システムに関する。排気ガスによって形成される堆積物は、堆積物の影響を受ける装置の上流にて反応性気体を導入することにより減少し又は解消する。影響を受けた装置の上流及び下流にて排出された気体成分の気相濃度を測定し、また、これらの測定値から、影響を受けた装置上の堆積物にて成分が消費されているかどうかを決定することにより導入された反応性気体の量が制御される。 （もっと読む）

ガス貯蔵コンテナーの内部にコーティングする方法であって、上記方法は化学蒸着のための前駆物質を上記貯蔵コンテナーに供給する工程、および金属コーティングを上記コンテナーの内部表面上に形成する工程を含み、上記コーティングは化学蒸着のための前駆物質より形成される、方法。また、内部表面を有するガス貯蔵容器を含むガス貯蔵コンテナーであって、上記貯蔵容器の上記内部表面上に形成されたライナーを有する、ガス貯蔵コンテナー。上記ライナーは約９９重量％またはそれ以上の純度のタングステン金属を含み得る。さらに、化学蒸着前駆物質発生器および上記前駆物質をガス貯蔵コンテナー中に輸送するための前駆物質注入アセンブリを含み得る金属ライニングされたガス貯蔵コンテナーを作製するためのシステム。上記システムは、上記ガス貯蔵容器からガス状の蒸着生成物を除くための排気出口も含み得る。
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処理空間に気体状の薄膜前駆体を導入し、処理空間の容積を第１の大きさから第２の大きさまで拡大して拡大処理空間を形成し、拡大処理空間に還元ガスを導入し、且つ還元ガスから還元プラズマを形成する、基板上での気相堆積のための方法、コンピュータ読み取り可能媒体、及びシステムが開示される。気相堆積用システムは処理チャンバーを含んでおり、処理チャンバーは、第１の容積を有する第１の処理空間を含み、更に、第１の処理空間を含み且つ第１の容積より大きい第２の容積を有する第２の処理空間を含む。第１の処理空間は原子層堆積用に構成され、第２の処理空間は第１の処理空間で堆積された層のプラズマ還元用に構成される。
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【課題】 産業廃棄物が大幅に低減され、環境負荷低減につながる除害装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 除害装置１００は、主に加熱反応部１０１、冷却部１０２、貯蔵部１０３を有する。加熱反応部１０１は、ＳＦ_６ガスをエッチングガスとしたドライエッチング装置からの排気を含む混合ガスＧ１を取り込む。加熱反応部１０１内には、Ｗの金属粒が置かれており、Ｆ系ガスとの反応を促進させる。これにより、混合ガスＧ１からＣＶＤメタルを形成するのに有用なＷＦ_６を再生成する。加熱反応部１０１から送出される混合ガスＧ２は、冷却部１０２に導入され、冷却過程でＷＦ_６を回収し、回収タンク、ＷＦ_６ボンベ等の貯蔵部１０３に集められる。 （もっと読む）

【課題】基板をより均一に加熱し、しかも、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質を減らす、改良された基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内の基板支持体は、ヒーターペデスタル１６の形態であり、基板の下面を受けるための基板受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリング２４は、ペデスタル６１の周囲に配置され、基板の端面エッジ部分を覆う。このシャドーリング２４はまた、基板の端面エッジでペデスタル６１とシャドーリング２４自身の間のキャビティーを画成し、操作に際しては、チャンバは第１の圧力で処理ガスを受容し、第１の圧力よりも高い第２の圧力で、シャドーリング２４とペデスタル６１との間のキャビティー内にパージガスが導入される。パージガスの流れを基板の端面エッジからより遠ざけるために、流体導管７４が具備される。 （もっと読む）

【課題】被覆が速く又環境対応もできる電解コンデンサーのアルミカバー絶縁膜の被覆方法を提供する。
【解決手段】一種の電解コンデンサーのアルミカバー絶縁膜の被覆方法に関し、それは高真空電場またはプラズマの下で、陽極と陰極との間の高電位差を利用してまたはマイクロ波発生器から発生したマイクロ波によって電場を制御してイオンビームを生成させてから、該イオンとポリテトラフルオルエチレンとの衝突によってフッ素原子を脱離させて気体原子(例えば酸素)がそれを取替えると、アルミカバーの表面に10μ〜15μ厚の皮膜層になり、強力にアルミカバーに接着し、該皮膜層がそのままアルミカバーの表面を覆って絶縁と保護との作用になる。 （もっと読む）

【課題】平坦かつ薄いバリア膜またはRu膜をダマシン構造で形成する。
【解決手段】金属配線構造を形成する方法は、(i)露出した配線層及び露出した絶縁層を含む多層構造を反応空間内に与える工程と、(ii)還元雰囲気中で、絶縁層の少なくとも露出面上に-NH2または>NHターミナルを導入する工程と、(iii)反応空間へ還元剤を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(iv)反応空間へハロゲン化金属化合物を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(v) N及びHを含むガスを導入し、その後反応空間をパージする工程と、(vi)金属含有バリア層を製造するべく工程(iii)から(v)を連続して繰り返す工程と、(vii)金属含有バリア層上に金属膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高濃度のプラズマを生成し、薄膜成長速度を向上して生産性を向上するとともに被加工基材表面への損傷を抑制し、優れた機能性表面を形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器内にプラズマ励起用アンテナと高電圧パルス印加用電極と被加工基材を設置し、所定の元素を含む原料ガスを導入して前記プラズマ励起用アンテナに高周波電力を印加して放電プラズマを励起し、前記高電圧パルス印加用電極に高電圧パルスを印加して高密度プラズマを発生させ、前記被加工基材にバイアス電圧又はパルス電圧を印加して所定の元素を含む機能性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】一連の処理を効率よく行い、生産速度を向上することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の成膜装置は、スプレー熱分解法により被処理体上に薄膜を形成する成膜装置であって、前記被処理体を所定の温度まで加熱する前処理室と、前記所定の温度に保持した被処理体に向けて、吐出手段から原料溶液を噴霧することにより、該被処理体に薄膜を形成する成膜室と、前記薄膜を形成した被処理体を所定の温度まで冷却する後処理室と、を少なくとも備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜の種類（基材幅、成膜幅）の変更があっても、高品質の薄膜が製造可能な、簡易な構成で、複雑な制御を必要としない、コスト的にも、生産性的にも優れたプラズマ放電処理装置を提供すること。
【解決手段】基材Ｆまたは基材Ｆ’は、第１ロール電極１０１と第２ロール電極１０２とに巻回されながら搬送される。電極移動手段１４は第２ロール電極１０２に取りつけられ、第２ロール電極１０２を第１ロール電極１０１に対して基材Ｆの搬送方向（図示ｘ方向）と直角方向（図示ｙ方向）に平行に移動可能としている。第１ロール電極１０１と第２ロール電極１０２の対向領域の長さは、基材Ｆに対応した長さｈから、基材Ｆ’に対応した長さｉに切り替え可能とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造が体心立方格子構造の金属、または、ルテニウムを確実且つ容易にエッチバック可能とした成膜方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜後に少なくともその一部がエッチングされる金属膜の成膜方法であって、
結晶構造が体心立方格子構造の金属またはルテニウムを含有するガスと水素ガスとを含むソースガスと、窒素ガスと、を基体上に流し前記ソースガスを分解することにより前記金属または前記ルテニウムからなる金属膜を前記基体の上に形成することを特徴とする成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理装置において処理容器内の隅々まで成膜時に各部に付着した不所望な被膜を効果的にクリーニングすること。
【解決手段】成膜工程において、反応ガスの分解生成物または反応生成物の大部分は半導体ウエハ１４の表面に堆積するが、一部はサセプタ１２の外周縁部やウエハ保持部材に付着し、処理容器１０の内壁面にもわずかであるが付着する。成膜工程が所定回数実施されると、処理容器１０内に半導体ウエハ１４が入っていない状態で、Ｈ2 ガスまたはＮ2 ガス等によるパージングが行われ、パージング工程の終了後にクリーニング工程が行われる。クリーニング工程においては、クリーニングガス供給系２４よりＣｌＦ3 ガスをＮ2 ガスで所定の濃度に希釈したクリーニングガスが多孔板１８より処理容器１０内に供給される。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造するのに用いられる蒸着チャンバーの内部などの表面から表面沈着物を除去するためのプラズマクリーニング方法に関する。本発明はまた、表面から沈着物を除去するのに優れた性能を提供するガス混合物および活性化ガス混合物を提供する。本方法は、炭素または硫黄源、ＮＦ_３、および任意選択的に酸素源を含むガス混合物を活性化させて活性化ガスを形成する工程と、活性化ガス混合物を表面沈着物と接触させて表面沈着物を除去する工程であって、活性化ガス混合物が装置の内部表面を不動態化して気相化学種の表面再結合の速度を下げる役割を果たす工程とを含む。
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【課題】 基板加熱面上に噴出するガスの噴出量のばらつきを低減させることができ、基板の成長膜の生成等に影響を与えずに、基板加熱面上に反応膜が堆積することを抑制することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置１００は、基板が載置される基板加熱面１０ａ及び基板加熱面１０ａの反対側に位置する加熱部材裏面１０ｂを有し、抵抗発熱体１１が埋設された板状の加熱部材１０と、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂ側に配置され、加熱部材裏面１０ｂと対向する対向面２０ａを有する補助部材２０とを備え、加熱部材裏面１０ｂと対向面２０ａとの間には、基板加熱面１０ａ上に噴出するガスの経路である面状ガス経路１４ａが形成されていることを特徴とする加熱装置。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造をコントロールすることによって，従来以上に低い抵抗を有する金属系膜を形成する。
【解決手段】 金属系原料ガスとして例えばＷＦ_６ガスを供給するステップと水素化合物ガスとして例えばＳｉＨ_４ガスを供給するステップとを，不活性ガス例えばＡｒガス，Ｎ_２ガスを供給するパージステップを介在させて，交互に繰り返し実行することによって，非晶質を含む第１タングステン膜を成膜する第１タングステン膜成膜ステップと，第１タングステン膜上に，上記ＷＦ_６ガスと還元性ガスとして例えばＨ_２ガスを同時に供給することによって，第２タングステン膜を成膜する第２タングステン膜成膜ステップとを含む。ＳｉＨ_４ガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより第１タングステン膜が含む非晶質の割合をコントロールする。 （もっと読む）