【課題】大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電手段を有する薄膜形成装置であって、処理ガスの逆流を抑止し、均一なガス流れにより良好な膜質を有する薄膜形成装置、薄膜形成方法薄及び薄膜を提供する。
【解決手段】処理ガス供給手段と一対のロール電極との間の領域内に、回転可能なニップローラがそれぞれ当接し、さらに一端が前記ニップローラにそれぞれ当接し、他端は処理ガス供給手段にそれぞれ取り付けられたブレードと、を有する。 （もっと読む）

【課題】チャンバーの内壁面等に異物が付着するのを確実かつ低コストで抑制し、これにより、ワークに対する良好なプラズマ処理を効率よく行い得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、チャンバー２と、ワーク１０を支持する第１の電極３と、ワーク１０を介して第１の電極３と対向配置された第２の電極４と、各電極３、４間に高周波電圧を印加する電源回路５と、チャンバー２内にガスを供給するガス供給部６と、チャンバー２内のガスを排気する排気ポンプ７とを備えている。また、プラズマ処理装置１は、チャンバー２内のワーク１０の外側の空間に、ワーク１０の処理面１１の法線とほぼ平行する向きの磁界を発生させる磁界発生手段８を備え、この磁界発生手段８は、磁界の作用により、プラズマ中に含まれる荷電粒子が、ワーク１０の外側の空間に移動するのを抑制するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】光透過性および機械耐久性に優れた低屈折率膜を低温で製膜できる製膜方法、および、光透過性および機械耐久性に優れた低屈折率膜を有する物品を提供する。
【解決手段】四フッ化ケイ素、酸素および炭化水素を含み、酸素と炭素との原子比（Ｏ／Ｃ）が１〜１０であり、酸素とケイ素との原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．７〜２５である混合ガスをプラズマ化することによって、１５０℃以下の基材上に、酸素とケイ素との原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．６〜２．１であり、フッ素とケイ素との原子比（Ｆ／Ｓｉ）が０．０５〜０．１５であり、炭素とケイ素との原子比（Ｃ／Ｓｉ）が０．００１〜０．０３である低屈折率膜を製膜する製膜方法。 （もっと読む）

【課題】バリア性に優れたバリア膜を提供する。
【解決手段】真空槽内に基板を搬入して(Ｓ₁)、昇温させ(Ｓ₂)、含窒素ガスと含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し(Ｓ₃)、該一方のガスを真空排気した後(Ｓ₄)、他方のガスを導入し(Ｓ₅)、該他方のガスを真空排気する(Ｓ6)。この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ₉)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。ＣＶＤ反応を行う毎にパージガスを導入し(Ｓ₇)、真空排気すると(Ｓ₈)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 低温のプロセス温度によるタングステン膜の形成工程を用いることで、バリヤ層として十分な膜厚を得るために従来行われた熱ＣＶＤによるＴｉＮ膜の形成工程を省略することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能な処理容器内にて被処理体Ｗの表面に所定の膜を形成する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜３２を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン膜の表面を窒化して窒化膜３４を形成する窒化工程と、前記被処理体の表面に、還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に１回、或いは複数回繰り返し供給しつつ比較的低温でタングステン膜３６を形成するタングステン膜形成工程と、を有する。これにより、バリヤ層として十分に機能するタングステン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜時においてウェハの所定の位置以外への成膜を防止すること。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置は、成膜時にウェハ（４）が載置される試料台（１０）と、不活性ガス導入装置（７）とを具備している。前記不活性ガス導入装置（７）は、前記成膜時の前のプリコート時に、前記試料台（１０）に設けられた穴（１２）に残留しているガス（２１）を除去するための不活性ガス（２２）を前記穴（１２）に導入する。 （もっと読む）

【課題】フロートガラス製造ラインにおいて商業的に実現可能な成長速度で熱分解性酸化亜鉛コーティングを製造するコスト効率の良い方法はこれまでに知られていない。さらに、所望の特性を結合させたコーティングを形成するために、「オンライン」で製造されたそのような酸化亜鉛コーティングを１つ又はそれ以上のドーパント化合物でドープする能力はこれまでに実現されていない。
【解決手段】１つ以上の反応気体流を加熱されたガラス基材の表面上へ送り込むことによって形成される、低い抵抗率のドープ酸化亜鉛でコーティングされたガラス物品を製造するための大気圧化学気相堆積方法を提供する。１つ以上の反応気体流とは、特に、亜鉛含有化合物、フッ含有化合物、酸素含有化合物及びボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも１つを含有する化合物である。 （もっと読む）

【目的】コンタクトホールやビアホール等の接続孔を充填する導電性膜の形成に好適な基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ２内にガスを供給するガス導入管５１〜５４を備える。当該ガス導入管５１〜５４の一端には、上記チャンバ２に供給するガスを収容したガス供給源１１〜１４が接続されている。ガス導入管５１〜５４には、開閉バルブ２１〜２４、４１〜４４、およびガスの流量を所定流量に制御する質量流量コントローラ３１〜３４が介在されている。さらに、チャンバ２へガスの供給を開始するときに、開閉バルブ２１〜２４が開状態になった後に質量流量コントローラ３１〜３４に流量制御を開始させる信号遅延回路９１、９２を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の銅配線形成において、バリア膜として比抵抗が低く、バラツキの小さい窒化タングステン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】下地膜２２、絶縁膜２３に形成された孔３１を有する基板２０をＣＶＤ装置に搬入する。アンモニアガスを導入し、電離した窒素及び水素を含むプラズマで基板表面２０をクリーニングする。この後プラズマを消滅させ、アンモニアガスに加えて六フッ化タングステンガスを導入し基板表面に窒化タングステン薄膜２４を成長する。さらにアンモニアガスに替えシランガスを導入し、タングステン薄膜２５を成長する。これにより積層構造のバリア膜３３を得る。低温でクリーニング後直ちに窒化タングステン薄膜の成長が開始でき、またこの積層構造のバリア膜はバリア性が高く比抵抗が低い。この後バリア膜の上に銅２６を成長しＣＭＰにより平坦化し銅配線２７とする。 （もっと読む）

【課題】
室温で容易に重合する性質を有する含酸素フッ素化合物、特にテトラフルオロフランを、そのエッチング性能等を実質的に低下させることなく安定にプラズマ処理装置へ供給する方法、及びそのようにして供給された含酸素フッ素化合物をプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
式：Ｃ_４Ｆ_４Ｏで表される繰り返し単位からなる重合体を熱分解して、式：Ｃ_４Ｆ_４Ｏで表される含酸素フッ素化合物を得た後、得られた含酸素フッ素化合物をプラズマ処理装置へ供給することを特徴とする含酸素フッ素化合物のプラズマ処理装置への供給方法、この供給方法により、含酸素フッ素化合物をプラズマ処理装置へ供給し、該装置内で、前記含酸素フッ素化合物をプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法、このプラズマ処理方法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜を絶縁膜例えば層間絶縁膜として用いるにあたり、熱処理によってフッ素ガスが発生して、このフッ素ガスが銅配線などへ拡散して銅配線の断線などの原因となること。
【解決手段】フッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜に対して、水の雰囲気下においてエレクトロンビームを照射して、絶縁膜の表面のフッ素と炭素との結合を切ると共に、水を水素と酸素とに分解し、フッ素と水素とを反応させ、炭素と酸素とを反応させて絶縁膜の表面改質を行う。 （もっと読む）

【課題】 コンパクトでかつ複雑な配線を必要とせず、また必要な部分のみ確実に加熱できるようにする。
【解決手段】 質量流量制御手段Ｍとそこにプロセスガスを流入する流入制御手段Ｓ、Ａ１とプロセスガスを流出する流出制御手段Ａ２、Ａ３を含む第１の流体制御機器と、隣接する流体制御機器を連通させる流路を有する複数の流路ブロックＶ１〜Ｖ６とを有する複数列のプロセスガスラインＬ１〜Ｌ３をベースプレートＤ上に設置した集積形流体制御装置１において、
プロセスガスラインＬ１〜Ｌ３を構成する第１の流体制御機器Ｍ、Ｓ、Ａ１〜Ａ３は、加熱手段を介してベースプレートＤ上に設置されるとともに、
この加熱手段は、ベースプレートＤ上に設置された単一のシート状ヒータＨと、その熱を流路ブロック又は質量流量制御手段に伝達する伝熱ブロックＸ１、Ｘ２を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積された膜組成物及びその半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基板を少なくとも１つの付着性材料に、この材料が基板上に吸着するのに十分な露出を行うことによってイニシエーション層を形成する。イニシエーション層は第１の反応性部位を与え、この部位を第１の反応材料と、原子層堆積条件下で化学的に反応させて第２の反応性部位を形成する。第２の反応性部位を第２の反応材料と、イニシエーション層上に反応層を形成するのに十分なプロセス条件下で化学的に反応させる。このプロセスを繰り返して、連続的な反応層をイニシエーション層上に形成することができる。イニシエーション層を構成する付着性材料は、原子層堆積法によって劣化しないものである。イニシエーション層は、１つまたは複数の反応層とともに最終的な膜を構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】 硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、（Ａｌ，Ｃｒ）₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、工具基体と前記下部層の間に改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面および（１０-１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定値から、構成原子共有格子点分布グラフを作成した場合に、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質（Ａｌ，Ｃｒ）₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】 硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、（Ａｌ，Ｃｒ）₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、前記下部層に層間介在層として改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面および（１０-１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定値から、構成原子共有格子点分布グラフを作成した場合に、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質（Ａｌ，Ｃｒ）₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が難削材の高速切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する被覆サーメット工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、工具基体と前記下部層の間に改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡と電子後方散乱回折像装置を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記結晶粒の各結晶面の法線が表面研磨面の法線と交わる角度を測定し、この測定結果から（０００１）面および｛１０−１０｝面を選び出し、さらに、選び出した（０００１）面および｛１０−１０｝面において、それぞれ隣接する結晶粒相互の界面（結晶粒界面単位）における（０００１）面の法線同士および{１０−１０}面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全体の４５％以上を占める結晶粒界面配列を示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、前記下部層に層間介在層として改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面および（１０-１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定値から、構成原子共有格子点分布グラフを作成した場合に、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】 硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、工具基体と前記下部層の間に改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面および（１０-１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定値から、構成原子共有格子点分布グラフを作成した場合に、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

フッ素化ガスをガス流(1)から除去するための方法であって、フッ素化ガスを含有するガス流(1)を燃焼領域(2)に運ぶ工程、該フッ素化ガスを該燃焼領域(2)で分解する工程、該フッ素化ガスの分解生成物と反応することのできるカルシウム塩(4)を該ガス流に同伴させ、該フッ素化ガスの分解生成物と反応させてフッ化カルシウムを形成する工程、及び該フッ化カルシウムの塩を該ガス流から除去(10)する工程を含む方法。 （もっと読む）

加工チャンバ、繰り返しトリガされるように適合させたフラッシュ・ランプ、フラッシュ・ランプの制御入力に接続されてフラッシュ・ランプをトリガするコントローラを用いて半導体加工を実施するためのシステム及び方法が開示される。本システムは、ウェハ加工において、フラッシュ・ランプと並行して固体プラズマ・ソースを配備することができる。
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