本発明は、物品（１２）を真空処理するための装置（１０）に関する。装置は、物品を処理圧力において真空処理可能な処理領域（１４）と、周囲圧力において装置に物品を取付け可能な取付け領域（１８）とを含む。物品を真空処理できるように、密閉通路（２４）に沿って取付け領域から処理領域へ物品を運搬するために、複数の物品キャリア（２０）が設けられる。キャリア（２０）は、物品を通路に沿って運搬する際に通路の内面に対して封止を行うための個々の封止手段（２６）を含む。取付け領域において周囲圧力下で取付けられ、処理領域に運搬された物品が処理圧力下で真空処理されるように、封止手段（２６）は、取付け領域から処理領域まで通路に沿って封止手段を通過するガスまたは蒸気の流れに抵抗する。
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【課題】半導体装置及びその製造方法について、ホウ素含有タングステン層を核形成層とする場合に、コンタクト抵抗値の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３に埋め込まれた導電膜１０９を含み且つ半導体基板１０１に達するコンタクト１１０と、半導体基板１０１及び第１絶縁膜１０３のそれぞれと、導電膜１０９との間に形成され、高融点金属を含む第１バリア層１０７とを備える。更に、第１バリア層１０７と導電膜１０９との間に形成され、第１バリア層１０７よりも水分透過性の低い第２バリア層１１８を備える。 （もっと読む）

静止する基板上または連続する基板上に薄膜材料を高速蒸着するための方法および装置を提供する。この方法は、あらかじめ選択された前駆体中間生成物を蒸着チャンバへと供給することと、中間生成物から薄膜材料を形成することと、を含む。中間生成物は、蒸着チャンバの外部で形成され、自由ラジカル等の準安定化学種を含む。中間生成物は、低い欠陥濃度を有する薄膜材料の形成に貢献する準安定化学種を含むよう、あらかじめ選択される。低欠陥濃度の材料を形成することにより、蒸着速度と材料品質の関係は分断され、先例のない蒸着速度が達成される。１つの実施形態において、好適な前駆体中間生成物はＳｉＨ３である。この方法は、あらかじめ選択された中間生成物とキャリアガスとを、好ましくは不活性化状態において、混合することを含む。キャリアガスは、薄膜材料を蒸着するために、好適な中間生成物の基板への送給を導く。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

低粗度と高反射率を有する低抵抗率のタングステンバルク層の製法を提供する。平滑で高度に反射性のタングステン層は従来例の低抵抗率のタングステン層よりフォトパタニングが容易である。本発明の方法では交互の窒素ガスパルスの存在下でタングステンのＣＶＤ堆積が実施され、フィルムの交互の部分がＣＶＤにより窒素の存在なしと存在下で堆積される。種々の実施形態において、フィルムの全体の厚さの２０−９０％の範囲が窒素存在下のＣＶＤで堆積される。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴い生成される副生成物が、ガス供給ラインに逆流することを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内にウエハ２００を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給管３１２，３２２と、処理ガス供給管３１２，３２２に合流するように接続され、処理室２０１内をクリーニングするためのクリーニングガスを処理室２０１内に供給するクリーニングガス供給管３３０，３４０と、クリーニングガス供給ラインを制御して、処理室２０１内に前記クリーニングガスを供給させ、処理室２０１内に付着した付着物を除去させ、処理室２０１内をクリーニングさせるコントローラ２４０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 真空ポンプを備えた真空排気系内で故障の原因となる不要な膜が生成されることを防止することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置において、被処理体を収容する処理容器２２と、処理容器内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系５０と、処理容器内へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給系５２と、真空ポンプ４４、４６を有する真空排気系３６と、処理容器を迂回させるために原料ガス供給系と真空排気系とを連通す原料ガスバイパス系６２と、処理容器を迂回させるために反応性ガス供給系と真空排気系とを連通する反応性ガスバイパス系６６と、原料ガスバイパス系内に介設されて原料ガスの流出を防止する原料ガス流出防止開閉弁Ｘ１と、反応性ガスバイパス系内に介設されて反応性ガスの流出を防止する反応性ガス流出防止開閉弁Ｙ１とを備え、真空排気系内に原料ガスと反応性ガスとが同時に流れ込まないようにする。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ、Ａｌ合金等の難削材の高速切削加工で、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金からなる工具基体表面に、直接あるいはＴｉ化合物層からなる密着下地層を介して、組成式：Ｗ（Ｃ_１−ＸＮ_Ｘ）を満足する組成（但し、Ｘは原子比で０．００１≦Ｘ≦０．１）を有するＷＣＮ層からなる下部層を設け、この上に、粗粒多結晶ダイヤモンド皮膜及び微粒多結晶ダイヤモンド皮膜のいずれか単層または２層以上の複層からなるダイヤモンド皮膜層を設ける。 （もっと読む）

【課題】被処理体の凹部の径が小さくても、例えばバリヤ層として機能する薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させることが可能な薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部６が形成されている被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の内面を含む被処理体の表面にチタン化合物ガスと還元ガスとを用いてチタン膜１００を形成するチタン膜形成工程と、窒化ガスを用いてチタン膜を全て窒化して第１の窒化チタン膜１０４を形成する窒化工程と、凹部の内面を含む被処理体の表面に第２の窒化チタン膜１０６を堆積させて形成する窒化チタン膜堆積工程と、を有する。これにより、被処理体の凹部の径が小さくても、薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の高効率化と生産性向上の両立を図る。
【解決手段】一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層を有する。一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。非晶質構造の中に存在している第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層で、光電変換を行う領域の主要部を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子写真装置の印刷品質の低下を防止させ得る電子写真装置用帯電ローラならびに優れた印刷品質を長期間維持させ得る電子写真装置を提供することを課題としている。
【解決手段】電子写真感光体の表面を帯電させるべく、外周面を前記電子写真感光体に接触させて用いられる電子写真装置用帯電ローラであって、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル共重合体をベースポリマーとして含有するポリマー組成物によりＪＩＳ Ａ 硬度で４０度以上５８度以下の硬さに形成された弾性体層が導電性軸心の外側に設けられており、該弾性体層のさらに外側には、前記電子写真感光体に接触される表面層が設けられており、該表面層が内側にイオン注入層をともなうダイヤモンドライクカーボン被膜で形成されており、該ダイヤモンドライクカーボン被膜の厚みが２０ｎｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする電子写真装置用帯電ローラなどを提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成された孔に対するタングステン膜の埋め込み性を向上させ、タングステン膜の結晶粒を大きくすることができ、かつ生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に孔を成膜する（Ｓ１０）。次いで、半導体基板を３３０℃以上４００℃以下に加熱して（Ｓ２０）、Ｂ₂Ｈ₆ガス及びＳｉＨ₄ガスの少なくとも一方、並びにタングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜を成膜する（Ｓ３０）。次いで、反応室内にＨ₂ガス及び不活性ガスの少なくとも一方を導入し、かつ３０秒以上の時間をかけて半導体基板を３７０℃以上４１０℃以下に昇温して（Ｓ４０）、タングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜上に第２のタングステン膜を成膜する（Ｓ５０）。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】外周部の腐食を抑制可能なセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】セラミックスヒータは、プレート１０と、シャフト３６とを備える。プレート１０は、第１基体１２と、第１基体に接合される第２基体１４とを備える。第１基体１２の載置面１２ｂには、載置された基板と接触する表面を有する第１領域２２と、基板５０により覆われる位置に、第１領域を囲むよう設けられたパージ溝２０と、パージ溝２０を囲む表面を有する第２領域２３とが定義される。第１基体１２は、載置された基板を第１領域の表面上に吸着する手段と、パージ溝２０の底面から第１基体１２の下面まで貫通する複数のパージ孔２４とを有する。パージ溝２０には、複数のパージ孔２４を介してパージガスが供給される。第２領域２３の表面は、第１領域２２の表面よりも低い。 （もっと読む）

【課題】金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効なバリアメタルを提供する。
【解決手段】半導体集積装置のバリアメタル１４として、ＷＮｘ或いはＷＳｉＮｘを用いる。これにより、金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効にバリア機能を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内へのメタル成分の飛散を抑制でき、飛散量の許容範囲の狭まりにも対応することが可能な成膜装置のメタル汚染低減方法を提供すること。
【解決手段】
真空保持可能な縦型で筒体状をなす処理容器と、この処理容器内に配置され、被処理体を複数段に保持した状態で保持する保持部材と、この処理容器の外周に設けられた加熱装置とを備えた成膜装置のメタル汚染低減方法であって、処理容器内の内壁、及び保持部材の表面を、クリーニングガスを用いてクリーニングする工程（ステップ４）と、クリーニングされた処理容器の内壁、及び保持部材の表面に、ＭＬＤ手法を用いてシリコン窒化膜を成膜し、処理容器の内壁、及び保持部材の表面をシリコン窒化膜により被覆する工程（ステップ１）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】反射層、光吸収層及び材料層が形成された成膜用基板を透過して、光吸収層にレーザ光を照射することによって材料層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。反射層を選択的に形成することによって、被成膜基板に成膜される膜は、反射層のパターンを反映した微細なパターンで選択的に成膜することができる。材料層の形成は、湿式法を用いて行う。 （もっと読む）

【課題】載置台の上面を平滑な形状に容易に加工でき、また、基板周縁部の温度低下も防止できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器２０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、処理容器２０内において基板Ｗを処理するプラズマ処理装置５であって、処理容器２０内には、基板Ｗを上面に載置させる載置台２１が設けられ、載置台２１の上面には、基板Ｗの周縁を位置決めする位置決めピン２５が複数箇所に突出しており、位置決めピン２５は、載置台２１の上面に形成された凹部２６に挿入されている。位置決めピン２５を外した状態で載置台２１の上面を平滑な形状に加工できる。また、載置台２１の上面に載置された基板Ｗの周縁近傍には位置決めピン２５しか存在しないので、基板周縁部の温度低下も防止できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなるマスクチップを有するマスクを蒸着装置から取り出すことなくクリーニングできる蒸着装置およびマスクのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、シリコンからなり所定の膜パターンに対応する開口部を有するマスクチップ２０と、マスクチップ２０が複数取り付けられた支持基板１０と、を有するマスク１を介して、ワーク２の被成膜面２ａに膜材料３２を堆積させる成膜室１１０，１２０と、成膜室１１０，１２０に接続されており、マスク１をクリーニングするプラズマ処理機構が設けられた処理室と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 載置台における温度分布の面内均一性を高く保持して処理の面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３６内に設けられた薄板状の載置台５８にリフトピン７０を昇降させることによって被処理体Ｗを載置し、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプ１０８により加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記被処理体の周辺のエッジ部を支持できるように前記リフトピンを配置すると共に、前記載置台には前記エッジ部に対応する部分に前記昇降するリフトピンを通すためのピン挿通部６０が形成される。これにより、ピン挿通部を通過する加熱ランプからの照射光が載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制する。 （もっと読む）