【課題】基板に製膜処理を継続するときの膜のヘイズ率分布の悪化を抑制することが可能なＣＶＤ製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に製膜される膜の原料ガスを含む供給ガスを供給するノズル３９を有するインジェクタ３５と、インジェクタを３５挟んで対向する一対の面３４の間に形成され、供給された供給ガスが基板とインジェクタ３５との間から排気される排気流路３７と、一対の面の各面３４の基板近傍に形成される排気入口部３４ａと、を有し、排気流路３７の幅方向の中央部における排気入口部３４ａとインジェクタ３５との間の距離は、幅方向の両端部における排気入口部３４ａとインジェクタ３５との間の距離よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去することのできるサセプタ処理方法および半導体製造装置の処理方法を提供する。
【解決手段】サセプタ２０７の上に基板１０６を載置し、基板１０６の上にＳｉ膜３０１をエピタキシャル成長させる。次いで、サセプタ２０７の上に基板１０６に代えて半導体基板２０６を載置し、半導体基板２０６の上にＳｉＣ膜３０２をエピタキシャル成長させる。次に、半導体基板２０６が取り除かれたサセプタ２０７を所定の温度に加熱し回転させながら、サセプタ２０７の上方からＨＣｌガスを流下させて、サセプタ２０７上のＳｉ膜３０１およびＳｉＣ膜３０２を除去する。この後、さらに、サセプタ２０７の上方からＣｌＦ_３ガスを流下させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板または半導体膜の表面をエッチングして反射防止構造を形成するのではなく、半導体表面に同種または異種の半導体を成長させて凹凸構造とする。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置において、受光面となる半導体基板の表面をウィスカー群（ナノワイヤー群）で被覆されるようにして、表面反射を低減させる。すなわち、半導体基板の受光面側に、ウィスカー状の成長表面を有する半導体層を設ける。当該半導体層は、任意の凹凸構造を有することになるので、半導体基板での表面反射を低減させ、変換効率を向上させる効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ビーム誘起堆積を用いて、極低温で基板上に材料を堆積するように改善した方法を供することである。
【解決手段】 ビーム誘起堆積を用いることによって、極低温にて基板上に材料を堆積する方法。前駆体気体が、前記基板の極低温よりも低い融点を有する化合物の群から選ばれる。好適には、前記前駆体気体は、所望の極低温にて0.5〜0.8の付着係数を有する化合物の群から選ばれる。この結果、前記前駆体気体は、前記所望の極低温にて、前記基板表面に吸着する前駆体分子と前記基板表面から脱離する前駆体気体分子との間で平衡に到達する。適切な前駆体気体は、アルカン、アルケン、又はアルキンを有して良い。-50℃〜-85℃の極低温では、ヘキサンが材料を堆積する前駆体気体として用いられて良い。-50℃〜-180℃の極低温では、プロパンが前駆体気体として用いられて良い。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の再現性を向上させて高く維持することができると共に、成膜処理時に付着した反応副生成物の除去も短時間で容易に実施できるシャワーヘッド構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して成膜処理を施すための処理容器２２の天井部に設けられて所定ガスを供給するシャワーヘッド構造８０であり、複数のガス噴射孔９４が開口された底部を有する有底筒体状に形成され、カップ形状の開口側に上記天井部への取り付け用接合フランジ部が一体的に形成されたヘッド本体８２と、上記ヘッド本体の底部に設けられて、該ヘッド本体のガス噴射部を所望の温度に調整するヘッド加熱部１００とを備え、低温下による再現性を向上させた成膜処理と高温下による反応副生成物の除去を行うシャワーヘッド構造である。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜のヘイズ率を高くしても、その表面の表面粗さの上昇を抑制できる透明導電膜付きガラス板を提供する。
【解決手段】ガラス板１１と、ガラス板１１上に形成された透明導電膜１５と、を備え、透明導電膜１５が透明導電層（透明導電層Ａ）１３と透明導電層（透明導電層Ｂ）１４を有し、透明導電層Ｂ１４が透明導電層Ａ１３の上に形成され、透明導電膜１５が複数の空孔１３ａ（１３ｂ）を含み、複数の空孔１３ａ（１３ｂ）の各々が、透明導電層Ａ１３の表面における凹部１３ｈを透明導電層Ｂ１４塞いだものである、透明導電膜付きガラス板１０、を提供する。透明導電膜ガラス板１０は、透明導電層Ａ１３の表面の一部の領域をエッチングによって膜厚方向に後退させるとともに、当該一部の領域を塞ぐように透明導電層Ａ１３の上に透明導電層Ｂ１４を形成することで得ることができる。 （もっと読む）

【課題】容易に分解し、かつ、緻密で高炭素比率の導電性フルオロカーボン薄膜を効率的に形成できる原料ガスを用いた導電性フルオロカーボン薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】一般式ＣｘＦｙＨｚ（式中のｘは２又は３、ｙは１〜４の整数、ｚは１〜５の整数を示す。）で示され、かつ、分子内に炭素−炭素の二重結合を有する化合物を含む原料ガスを真空プラズマ装置内で励起・分解することによって試料表面に導電性のフルオロカーボン膜を堆積させる。原料ガスを励起・分解する際の圧力は１〜１３３Ｐａの範囲、温度は１５〜１００℃の範囲が好ましい。 （もっと読む）

【課題】良好な均一性、および下部層に対して良好な接着性を有する低抵抗率のタングステン膜を形成する方法が提供される。
【解決手段】低温下でパルス核生成層プロセスを用いてタングステン核生成層を形成する。その後、バルクタングステン充てん物を堆積させる前に、成膜された核生成層を処理する。本処理により、堆積されるタングステン成膜の抵抗率が低減される。ある実施形態では、核生成層の成膜は、水素を利用せずに、ホウ素ベースの化学作用により行われる。またある実施形態では、処理は、核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のサイクルに曝す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】基体への密着性が良い立方晶窒化ホウ素膜を得るためのコーティング法の提供。
【解決手段】鉄系金属を含まない基体、或いは鉄系金属の触媒作用を封じた鉄系金属を含む基体の表面に、一次元、或いは二次元規則性をもつ直線状の溝を複数形成し、その上に立方晶窒化ホウ素をコーティングすることで、溝の垂直方向に対する膜密着性を高めることができる。 （もっと読む）

【目的】
専用の装置を必要とすることなく工程数を低減した半導体素子製造方法を提供する。
【構成】
ウエハ状の基板に少なくとも１つの半導体素子を製造する半導体素子製造方法であり、前記基板のウエハ表面上に少なくとも１層の膜をこれに対応する成膜材料を用いて成膜する成膜ステップと、当該成膜がなされたウエハ表面に不活性ガスを供給しつつ、当該成膜がなされたウエハの周囲に前記成膜材料に適合するエッチングガスを供給することによって、前記ウエハ表面以外のウエハ部分の膜除去を行う膜除去ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内で基板を加熱する工程と、処理容器内に還元性ガスを供給し排気して、加熱された状態の基板に対して前処理を行う工程と、処理容器内に不活性ガスを供給し排気して、処理容器内に残留する還元性ガスを除去する工程と、還元性ガスを除去した処理容器内にニッケルを含む原料を供給し排気して、前処理がなされた加熱された状態の基板上に所定膜厚のニッケルを含む膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスにおけるガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 クリーニングするたびに行っていた成膜ガスノズルの交換の時期を延長させ、半導体製造装置のメンテナンス時コストを大幅に低減し、成膜ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する。
【解決手段】 第１のクリーニングステップでは、クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、第２のクリーニングステップでは、各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給し、第１のクリーニングステップで各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量および／または濃度が、第２のクリーニングステップでクリーニングガス供給口より反応炉内に供給するクリーニングガスの流量および／または濃度よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質のコーティング膜を与えることができるコーティング装置およびコーティング方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、
該処理チャンバ内の所定位置に電子デバイス用基材を配置するための基材保持手段と、前記コーティング材料を供給するためのコーティング材料供給手段と、前記電子デバイス用基材をプラズマ照射するためのプラズマ源とを少なくとも含むコーティング装置。このような構成により、前記プラズマを電子デバイス用基材上に照射しつつ、該基材上にコーティング層を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層を含む多層膜を製作する、単純で負担がより少ない方法を提案すること。
【解決手段】 本発明は結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層を有する多層膜を製作する方法に関し、前記膜は、結晶構造を有し、予め洗浄された表面を含む基板から製作される。本発明によれば、前記方法は前記洗浄された表面をＳｉＦ_４、水素、及びアルゴンのガス混合物内で生成されたＲＦプラズマに当て、それにより前記基板に接触して微小空洞を含有する界面副層を備える結晶シリコンの極薄層を形成するステップａ）と、結晶シリコンの前記極薄層上に少なくとも１層の材料を堆積させ、それにより少なくとも一つの機械的に強い層を含む多層膜を形成するステップｂ）と、前記多層膜で覆われた前記基板を４００℃より高い温度でアニールし、それにより前記多層膜を前記基板から分離させるステップｃ）とを含む。 （もっと読む）

塩素、臭素又はヨウ素と反応しやすい誘電体材料にフッ素を含むパッシベーション層を堆積する方法が本明細書に開示される。パッシベーション層は、反応しやすい誘電体層を保護することができ、それにより、パッシベーション層に塩素、臭素又はヨウ素を含む前駆体を用いて堆積が可能となる。 （もっと読む）

【課題】装置内部の部品の劣化を抑制しつつ、装置内部に付着した付着物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、反応室内を、水が液膜として存在し得る温度、例えば、室温に維持する。また、制御部１００は、反応室内を５３２００Ｐａに設定する。反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、制御部１００は、処理ガス導入管１７からフッ化水素と窒素とからなるクリーニングガスを反応管２内に導入し、装置内部に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ダイアモンドおよびダイアモンド含有材料と支持体の良好な接着力の確保が可能な被膜を提供する。
【解決手段】０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの層を含んで成る被膜および／または０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成している一炭化タングステン（ＷＣ）の層を含んで成る被膜が単独に、あるいは多層にダイアモンドまたはダイアモンド含有材料の上に施される。 （もっと読む）