【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。
【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。 （もっと読む）

【課題】 ニッケルを含む膜を形成する処理容器内をクリーニングすることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内にニッケルを含む原料を供給し排気して基板上にニッケルを含む膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、処理容器内に基板がない状態で、処理容器内に一酸化炭素を供給し排気して処理容器内に付着したニッケルを含む堆積物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、２５０℃〜３５０℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、ＣＶＤでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

絶縁層としてフッ素化炭素層を持つ半導体装置を製造する方法であり、前記方法は：マイクロ波パワー励起プラズマを用いて第１のフッ素化炭素（ＣＦｘ１）層を形成するステップ；及びＲＦパワー励起プラズマを用いて第２のフッ素化炭素（ＣＦｘ２）層を形成するステップを含む。
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【課題】キャパシタの強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜が水素バリア膜から発生する水素によって劣化することを確実に防止できるようにする半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１１の上に形成された強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜１８を有するキャパシタ２０と、キャパシタ２０の下側に形成された第１の水素バリア膜１５とを有している。第１の水素バリア膜１５は、フッ素を含む窒化シリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】 撥水性に優れる撥水層を、真空排気やガス置換等を行うことなく、簡易な条件および装置で製造することができる撥水層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の撥水層の製造方法は、フッ素を含有する撥水層の製造方法であって、大気圧下、フッ素原子および水素原子を含むガス、ならびに不活性ガスを含むガス中において、プラズマ放電処理により、フッ素含有層を形成するフッ素含有層形成工程と、前記フッ素含有層の表面に溶剤を接触させる溶剤処理工程とを含み、前記フッ素含有層形成工程の前記ガス中の前記フッ素原子数（Ｘ）および前記水素原子数（Ｙ）の割合（Ｘ／Ｙ）が、８以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、源から、コーティングされる物品へ、アルミニウムと反応成分とを共転送および共堆積する処理の制御が改善された気相コーティング技術である。一つの方法は、反応成分源を供給する工程を含んでおり、反応成分源の少なくとも一部が反応成分の非ハロゲン化合物を含んでおり、また、アルミニウム源を供給する工程と、ハロゲン化合物活性化剤を供給する工程と、アルミニウムと反応成分とを含んでいる種が、上記金属性表面上に共堆積されてコーティングを形成する効果的な条件で、金属性表面を持つ物品と、反応成分源と、アルミニウム源と、ハロゲン化合物活性化剤とを加熱する工程とを含んでいる。
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【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

磁界が存在する中でのプラズマ堆積プロセスにより薄膜を形成する方法。前駆体が、堆積チャンバに配送され、活性化され、プラズマを形成する。プラズマは、磁界が在る時に開始され得るか、又は、開始後に磁界に曝され得る。プラズマは、前駆体から誘導されるイオン種と中性種とを含む。磁界は、プラズマを操作して、イオン種の濃度の低減と中性種の濃度の増加に影響を与える。続いて、薄膜材料は、その結果得られる中性種濃縮堆積媒体から形成される。本方法により、欠陥濃度が低い薄膜材料を形成することができる。一実施形態では、薄膜材料は、光起電力材料であり、欠陥の抑制により、光起電力効率が高められることになる。 （もっと読む）

基板を処理するための方法および装置が本明細書において提供される。いくつかの実施形態では、基板処理のための装置は、内部容積を画定するチャンバ本体を有するプロセスチャンバと、チャンバ本体の内表面上に配置されたシリコン含有コーティングであって、外側表面が少なくとも約３５原子パーセントのシリコン（Ｓｉ）であるシリコン含有コーティングとを含む。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバ内にシリコン含有コーティングを形成するための方法は、プロセスチャンバの内部容積へシリコン含有ガスを含む第１のプロセスガスを供給することと、プロセスチャンバの内表面上にシリコン含有コーティングを形成することであって、シリコン含有コーティングの外側表面が少なくとも約３５パーセントのシリコンであることとを含む。
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【課題】ガスバリアフィルムに関し、バリア性の向上、製造の簡便と低コスト化を図る。
【解決手段】プラスティックフィルムの各主面に接するガスバリヤ層は触媒ＣＶＤによるＳｉＣＮＦＨ層で０．０１＜Ｉ（ＳｉＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０５、０．００＜Ｉ（ＣＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０７、０．０４＜Ｉ（ＮＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０８、および０．０５＜Ｉ（ＣＦ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．３の条件、またはＳｉＯＣＮＨ層で０．１＜Ｉ（ＳｉＨ）／Ｉ（ＮＨ）＜０．９、０．０＜Ｉ（ＣＨ）／Ｉ（ＮＨ）＜０．３、８＜Ｉ（ＳｉＮ）／Ｉ（ＮＨ）＜２０、および２＜Ｉ（ＳｉＯ₂）／Ｉ（ＮＨ）＜８の条件、またはＳｉＣＮＨ層で０．０１＜Ｉ（ＳｉＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０５、０．００＜Ｉ（ＣＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０７、および０．０４＜Ｉ（ＮＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０８の条件を満たすガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】
加熱触媒体の腐食劣化を低減することのできる薄膜形成装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】
第二の電極に高周波電力を印加する工程と、水素ガスまたは不活性ガスを含んだキャリアガスを前記第一供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、分子式にフッ素（Ｆ）を含んだガスまたは分子式に塩素（Ｃｌ）を含んだクリーニングガスを前記第二供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、前記クリーニングガスを前記第一の電極と第二の電極間に生じるグロー放電によるプラズマ空間において活性化する工程と、を有し、前記第一供給口の個数をｎ_１、開口径をｄ_１、前記第一供給口を流れるキャリアガスの全流量Ｑ_１、前記第二供給口の個数をｎ_２、前記開口径をｄ_２、前記第二供給口を流れるクリーニングガスの全流量Ｑ_２、チャンバー内の圧力をＰとしたとき、Ｑ_１≧（ｄ_１^２・ｎ_１）／（ｄ_２^２・ｎ_２）×Ｑ_２、Ｐ≦２００Ｐａを満たす。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】従来のＤＬＣ成膜では高温雰囲気領域で成膜されるため、成膜対象物が樹脂製品やアルミの場合は変形することがある。とくにアルミロールの場合、表面が酸化して、後日の成膜剥離の一因となっていた。
【解決手段】本願発明では、真空チャンバー内にロールをセットし、チャンバー内を常温かつ真空状態とし、ロールの表面をスパッタリングし、ロール表面にミキシング層を形成し、真空チャンバー内にＤＬＣの原料ガスを注入して、それら原料ガスを真空チャンバー内で反応させて、前記ロールにＤＬＣを注入しながらロール表面にＤＬＣ層を堆積させることで、ＤＬＣ膜を常温成膜する方法とした。また、本願発明のＤＬＣ常温成膜ロールは、ロールの表面にプラズマイオンが注入されたミキシング層を備え、ロールにＤＬＣが注入され、かつロール表面にＤＬＣ層が堆積されたＤＬＣ膜を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、表面粗度が低く反射率が高いタングステンを、ＣＶＤ法により基板上の間隙または凹状特徴部分に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた凹状部分を部分的に充填するタングステンバルクを堆積した後で、堆積されたタングステンの上部分を除去する。上部分の除去は、活性化されたフッ素種に基板を暴露することによって行われる。堆積されたタングステン粒子のうち急峻で突出している突起の頂点を選択的に除去することによって、除去処理は、凹状部分の側壁に沿ってタングステンを研磨することになる。堆積−除去のサイクルを複数回実行して、凹状部分を埋める。このようにして凹状部分が充填されると、ＣＭＰにおいてコアリング（ｃｏｒｉｎｇ）が発生しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の機器類にフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを作用させた際に、効果的に表面腐食を抑制する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の処理チャンバーとこの処理チャンバーに連通する配管路の内部をフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを導入してクリーニング処理あるいはプロセス処理した後、この処理チャンバー及び処理チャンバーに連通する配管路に露点温度が２１３Ｋ以下の不活性ガスからなるパージガスを導入する。 （もっと読む）

薄膜材料の形成のための、蒸着システムおよびプロセス。一実施形態では、このプロセスは、第１の材料の流れから初期プラズマを形成すること、並びにそのプラズマを空間的および／または時間的に進化させて、薄膜材料の品質に悪影響を及ぼす化学種を消滅させることを含む。初期プラズマが最適状態に進化した後、第２の材料の流れが、蒸着チャンバー内に注入され、高品質の薄膜材料の形成をより助長する化学種の分布を含む、複合プラズマを形成する。この蒸着システムは、２つ以上の流れ（原材料またはキャリアガス）をプラズマ領域内に注入するための、複数の供給ポイントを有する蒸着チャンバーを含む。供給ポイントは、空間的に互い違いに配置され、第１の材料の流れの蒸着原材料から形成された上流のプラズマを、下流の材料の流れがそのプラズマと結合する前に、進化させる。異なる材料の流れの注入はまた、時間的に同期される。材料の流れの空間的協調および時間的同期の正味の効果は、薄膜光起電力材料の高い蒸着率での蒸着に、化学種の分布が最適化された、プラズマである。供給デバイスは、ノズルおよび遠隔プラズマ源を含む。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ、離型性、耐久性に優れた皮膜を提供すること。離型性、耐久性に優れた型を提供すること。
【解決手段】膜表面１０ａでＦ濃度が最大であり、膜裏面１０ｂでＦ濃度が最小であるＳｉ含有炭素膜１０とする。Ｆ濃度は、膜表面から膜裏面にかけて傾斜していることが好ましい。膜表面は、接着材料および／または粘着材料と接触させて好適に使用することができる。また、型表面にＳｉ含有炭素膜１０が積層された型とする。 （もっと読む）