【課題】エッチングされた所望のアスペクト比の提供。
【解決手段】構造を形成するための方法が、基板の表面にわたって少なくとも１つの特徴部を形成するステップを含む。少なくとも１つの特徴部の上には窒素含有誘電体層を形成する。少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の窒素含有層の第１の部分を、第１の速度で取り除き、少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する基板の上の窒素含有層の第２の部分を、第２の速度で取り除く。第１の速度は第２の速度よりも大きい。窒素含有誘電体層の上に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率を有するタングステン膜の均一性および接着性を高める方法を提供する。
【解決手段】低抵抗率のタングステン膜は、タングステンのバルク層を形成する前に、タングステンの核生成層を一連のパルス状還元剤にさらすことにより形成される。さまざまな実施形態によれば、方法は、異なる流量、異なるパルス時間、および、異なるインターバル時間を有する還元剤パルスを含む。 （もっと読む）

【課題】所望のバンドギャップエネルギーを容易に実現できるアモルファスカーボン製造装置及びアモルファスカーボン製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンＣを成長させるための基材Ｂをチャンバ１１内に収容し、そのチャンバ１１内に原料ガスＧを供給し、供給した原料ガスＧのプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰの基材Ｂに到達する際の速度を制御してアモルファスカーボンＣの製造を行う。これにより、プラズマＰの到達速度に対応させてカーボンの結晶化及び選択的エッチング効果を生じさせることができる。このため、カーボンのｓｐ２／ｓｐ３結合比を調整することができ、所望のバンドギャップを有するアモルファスカーボンＣを容易に製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、疎水性の表面を材料上につくり出すための方法と装置に関する。本発明は、構造化しようとする表面に向けて、表面を構造化する粒子スプレーを、表面を構造化するように導くこと；及び構造化された表面を疎水性材料でコーティングすること；を含む。本発明によれば、所定のサイズｄ_２より大きい粒子が、１つ以上のインパクションノズル（７，１１）によって粒子スプレーから分離され、これらの粒子が、構造化しようとする表面（９）に向けて、該粒子が構造化しようとする表面（９）と衝突して、これにより表面上に構造物がつくり出されるように導かれる。次いで、構造化された表面が出発物質の交互表面反応にて処理されるという気体デポジション法によって、構造化された表面がコーティングされる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を引き起こさず、安定した処理が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 排気配管１０１Ａ〜Ｃが、プラズマ放電に曝される可能性があるコンダクタンスバルブ１０２Ａ〜Ｃや集合配管１２８といった領域を有し、かつこれらはアース電位となるアース電位部である。カソード１１１からコンダクタンスバルブ１０２Ａ〜Ｃや集合配管１２８までの距離Ｌ１と、カソード１１１から円筒状基体１１２までの距離Ｌ２との関係がＬ１＞Ｌ２を満たす関係にある。 （もっと読む）

【課題】固体原料をガス化させて高精度にかつ長時間、定量供給できる固体原料供給方法及び装置を提供する。
【解決手段】固体原料１１の粉末を、横断面が一定断面積で、上面が水平面となる形状で、粒子間に隙間が無く、均一緻密な構造に成形し、成形した固体原料を該固体原料の外側面形状と同一の内側面形状を有し、上部が開口した蒸発容器１２内に充填するとともに、該蒸発容器を、固体原料から蒸発した原料ガスを搬送ガスに混合させる混合容器１３内に封入し、該混合容器内の雰囲気温度をあらかじめ設定した温度に保った状態で、該混合容器内にあらかじめ設定した圧力及び流量に調整した搬送ガスを搬送ガス導入経路１４から導入し、蒸発した原料ガスを搬送ガスに混合して同伴させた同伴ガスを混合容器内から同伴ガス導出経路１５に導出して供給先に供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は洗浄周期が長く、生産性が高い原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明による原子層蒸着装置は、基板を支持する基板支持台、該支持台上に形成されて基板支持台と接触した状態で反応室を規定する反応室壁、反応室内に工程気体を流入させる気体流入管、基板支持台と共に反応領域を規定して、気体流入管と連結されて反応領域に気体を供給するための複数の噴射孔を有する気体分散器具、気体分散器具上に配置されて絶縁物質からなる気体分散器具絶縁板、該絶縁板と反応室壁との間に配置されている気体流動調節板、反応室の内部の気体を流出させるための気体流出口、そして高周波電力を印加するために気体分散器具に連結されている高周波接続端子を含み、気体分散器具と気体分散器具絶縁板との間、該絶縁板と気体流動調節板との間、そして気体流動調節板と反応室壁との間に気体が通過することができる気体通路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】内部に内面を含む基材上に拡散アルミナイド皮膜を形成するスラリー及びスラリー被覆方法を提供する。
【解決手段】まず、アルミニウムより高い融解温度を有する金属アルミニウム合金を含有する粉末、金属アルミニウムと共に反応性ハロゲン化物蒸気を形成できる活性剤及び有機ポリマーを含有するバインダを含有するスラリーを調製する。このスラリーを基材の表面に塗布し、次いで加熱してバインダを焼失させ、活性剤を蒸発させるとともに金属アルミニウムと反応させてハロゲン化物蒸気を形成し、ハロゲン化物蒸気を基材表面上で反応させて同表面上にアルミニウムを堆積し、さらに堆積アルミニウムを表面内に拡散させて拡散アルミナイド皮膜２０を形成する。本方法は、内方もしくは外方拡散型皮膜を選択的に生成するよう調整することができる。バインダが焼失する際に形成する灰残留物が簡単に除去できる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系絶縁膜との密着性向上が図られたＣＦ_ｘ膜を用いた半導体装置の層間絶縁膜構造を提供する。
【解決手段】半導体装置の層間絶縁膜構造は、下側のＳｉ系絶縁膜と、上側のＳｉ系絶縁膜と、下側及び上側のＳｉ系絶縁膜に挟まれ、厚さ方向の中間のＦ組成ｘよりもＳｉ系絶縁膜との界面のＦ組成ｘが小さいＣＦ_ｘ絶縁膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１の制御部は、洗浄処理において、クリーニングガス供給管１０ａ、１０ｂ、１０ｃからクリーニングガスを供給するともに、第１の処理ガス供給管８、及び、第２の処理ガス供給管９から希釈ガスを供給する。第２の処理ガス供給管９内に付着した付着物を除去する場合、第２の処理ガス供給管９からの希釈ガスの流量を、第１の処理ガス供給管８、及び、クリーニングガス供給管１０ｃからの希釈ガスの流量より減少させ、第２の処理ガス供給管９の管内にクリーニングガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】数nmサイズの凹凸部を表面に有する基盤や薄膜を、原子レベルにまで平坦化することを目的とする。
【解決手段】反応性ガスが導入されてなるチャンバ１１内に基板１２を配置する。反応性ガスを構成するガス分子を直接励起可能な波長帯域における吸収端波長よりも長波長からなる光を凸部２１に照射する。凸部２１に光を照射することによって凸部２１の局所領域に発生する近接場光に基づき、非共鳴過程を経て反応性ガスを解離させて活性種を生成させる。活性化された活性種と凸部２１とを化学反応させて反応生成物を生成させ、凸部２１を除去する。光として、反応性ガスに対する非共鳴光を用いているため、凸部２１の局所領域で発生する近接場光によってのみ、エッチングが進行する。また、近接場光の発生する凸部２１が反応の進行に伴い除去され、自動的に平坦化の工程が終了する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系半導体多結晶基材の製造において、ＣＶＤ装置内での粉の発生を抑制し、かつ、５００℃以下の低温において結晶性に優れた半導体素子の製造に有用なＳｉ系結晶質半導体を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｉに対して２００〜５００℃の範囲において化学的エッチング性を有するエッチング性ガスと、シラン系原料ガスと、該シラン系原料ガスの希釈率を上げるキャリアガスの存在下、前記シラン系原料ガスを加熱された基体により熱的に活性化させることにより、前記エッチング性ガスがＳｉのネットワーク構造の緩和と結晶化を促進させて、Ｓｉを主たる組成とする結晶質半導体材料を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は基材に非晶質炭素層を形成する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、プロセシングチャンバーに基材を配置する；プロセシングチャンバーにプロセスガスを導入する；プロセスガスのプラズマを発生させる；および基材に非晶質炭素層を堆積させる、工程を含み、ここでプロセスガスは単一の炭素−炭素二重結合を有するＣ_４〜Ｃ_１０の環状炭化水素を含む組成物を含み、ここでこの組成物は安定化剤を含まない。 （もっと読む）

【課題】単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶が効率よく製造できる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法により種子結晶１０７上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、Ａｌ原料１０９として吸湿性を有しないＡｌＦ_３を用いることにより、プロセス温度が非常に高く、水分除去が容易なことから酸素不純物の低減が容易となり、単結晶に欠陥が発生することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスだけではエッチングが難しい高誘電率酸化膜等の膜を効率的に除去する。
【解決手段】原料ガスを供給してウエハ２００上に所望の膜を成膜する基板処理装置のクリーニング方法であって、処理室２０１内に付着した膜を除去するクリーニング方法が開示されている。当該方法は、処理室２０１内にハロゲン含有ガスを供給する工程と、前記ハロゲン含有ガスの供給を開始後、処理室２０１内にフッ素含有ガスを供給する工程と、を有し、前記フッ素含有ガスを供給する工程では、処理室２０１内に前記ハロゲン含有ガスを供給しつつ前記フッ素含有ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）プロセスによってＩＩＩ-Ｖ族の材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態において、処理チャンバ内の基板上に窒化ガリウム材料を形成する方法であって、金属源を加熱して、加熱された金属源を形成するステップであって、加熱された金属源が、ガリウム、アルミニウム、インジウム、その合金、又はこれらの組み合わせを含む、前記ステップと、加熱された金属源を塩素ガスにさらして、金属塩化物ガスを形成するステップと、基板を金属塩化物ガスと窒素前駆ガスにさらして、ＨＶＰＥプロセス中、基板上に金属窒化物層を形成するステップとを含む、前記方法が提供される。前記方法は、更に、金属窒化物層を形成する前の前処理プロセス中、基板を塩素ガスにさらすステップを提供する。一例において、処理チャンバの排気コンジットは、前処理プロセス中、約２００℃以下に加熱される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤチャンバーの内壁、電極などに付着するＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの副生成物の量を低減し、クリーニング時間の短縮と、地球温暖化係数の高いガスの放出量低減ができるＣＶＤ装置を用いた成膜方法を提供する。
【解決手段】ＲＦ電極２０と基板を載置する対向電極ステージ１８を有するＣＶＤ装置１０を用いた成膜方法であって、ガス排出経路に配設した排ガス成分を分析する赤外線吸収分析器（ＦＴＩＲ）５０と、成膜条件制御装置７０とを備え、対向電極ステージ１８の温度、及び、ＲＦ電極２０と対向電極ステージ１８との間の電極間隔である成膜条件を変化させて成膜を行い、クリーニングガスを導入して、赤外線吸収分析器５０によって、排ガス成分をモニターリングして、所定の排ガス成分が、所定の濃度以下になるまでの排出量を比較して、上記成膜条件の最適条件を得て、この最適条件にて、成膜を実施する。 （もっと読む）

【課題】 フッ素化層を基板上に付着するための方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、フッ素化化合物とキャリヤーガスを含むガス状混合物の０．８〜１．２ｂａｒの圧力で大気低温プラズマの放電または後放電のための領域中に注入することを含む。本発明は、フッ素化化合物が１ｂａｒの圧力で２５℃を越える沸点を持つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ガス吐出機構を加熱する際に、高効率で加熱することができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】 ガス処理装置は、被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内に配置され、被処理基板が載置される載置台と、載置台上の被処理基板と対向する位置に設けられ、処理容器内へ処理ガスを吐出する処理ガス吐出機構と、処理容器内を排気する排気手段とを具備し、処理ガス吐出機構は、ガスを吐出する吐出孔を有するガス吐出部３５と、このガス吐出部３５を支持するベース部３９と、ガス吐出部３５に設けられたヒーター３８と、ガス吐出部３５とベース部３９との間に設けられた空間層１３５とを有する。 （もっと読む）

【課題】内部に基板支持体が配置されているプロセスチャンバを備える基板プロセス装置。
【解決手段】基板支持体は、加熱ペデスタルの形であり、それ自身とペデスタルの間の隙間を限定する除去可能なパージリングによって周囲を囲まれている。外側でペデスタルのエッジは、パージガスマニホールドで、パージリングとペデスタルの間の空洞の形である。マニホールドの低端は、加熱から膨張しパージリングの低端と接触するというプロセス温度で形成されるメカニカルシールの方法で密閉される。マニホールド上端は、パージリングとペデスタルによって限定される環帯内に対して開いている。マニホールドは、処理中に、パージガスが基板のエッジに対して放出されるように配置され、ガスはパージリングと基板支持体の間に限定される環帯を通して上むきに移動する。 （もっと読む）