【課題】良好な埋込特性が得られるバッチ式の成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部を含むパターンが形成された複数の基板を多段にして反応管に搭載するステップと、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを前記反応管へ供給することにより、前記複数の基板上に酸化シリコン膜を成膜する成膜ステップと、フッ酸ガス及びアンモニアガスを前記反応管へ供給することにより、前記成膜ステップにおいて成膜された前記酸化シリコン膜をエッチングするエッチングステップと、を含み、前記成膜ステップと前記エッチングステップとが交互に繰り返される成膜方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるティーチング方法では、位置を調整して、プロセスチャンバーを真空状態にして、位置のずれを顕微鏡で確認して、プロセスチャンバーを大気状態に戻して、また位置を調整する、という繰り返しを行うので、長い時間を必要とする上、気圧の変化を伴う作業は効率が悪い。さらに、顕微鏡を用いた作業者の目視による検査は、誤差が比較的大きい。
【解決手段】顕微鏡の代わりにＣＣＤカメラ３１を用い、ヒーターの基準位置に相当する第１の画像マーカーＡを用い、シャドウリング１８の中心位置の代わりに相当するアダプターリング調整治具１７に設けられた第２の画像マーカーＢを用いる。これら２つの画像マーカーＡおよびＢをＣＣＤカメラ３１にて測定し、アダプターリング調整治具１７の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記下部層の層厚方向に０．１μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域に存在する孔径２〜３０ｎｍの空孔の空孔密度を測定した場合に、空孔密度が２００〜５００個／μｍ^２の厚み幅領域と空孔密度が０〜２０個／μｍ^２の厚み幅領域とが、下部層の層厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されている空孔分布形態を有する。 （もっと読む）

【課題】親水性を向上させる新規の立方晶窒化ホウ素膜の成膜技術を確立し、該成膜技術に基づく新規の立方晶窒化ホウ素膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】予備のＮＦ_３を用いることによって、フッ素セルのオンサイトでの使用の困難性を克服して、安全で、連続的に、規制を遵守する方法でフッ素を与える。
【解決手段】次の工程を有する反応チャンバーの洗浄方法：
（ａ）目的の基材に材料を堆積させるための反応チャンバーを与える工程；
（ｂ）上記反応チャンバーの内部で、上記目的の基材に上記材料を堆積させる工程；
（ｃ）上記堆積を周期的に中断する工程；
（ｄ）上記反応チャンバーの内部と、フッ素及び窒素の混合物とを接触させて、上記反応チャンバーの上記内部を洗浄する工程；及び
（ｅ）上記フッ素及び窒素の混合物が使用できない場合に、切り替えを行って、上記反応チャンバーの内部と三フッ化窒素とを接触させる工程。 （もっと読む）

【課題】保護膜の成膜時に圧電体膜が水素によって還元されることがなく、圧電体膜を水分から保護する保護膜を有する圧電体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、圧電体膜１６上に、水素を含まない原料ガスを用いたＣＶＤ法によりＣ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_Ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｄ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ＣＯ_ｄ膜のいずれかの膜１５を形成する圧電体の製造方法であって、前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする圧電体の製造方法である。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、自然数である。 （もっと読む）

【課題】改良された付着プロセスを提供すること。
【解決手段】ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。いったん反応が開始されると、ビームが存在しなくなっても、反応が開始された表面の領域において反応は継続する。 （もっと読む）

【課題】処理室の内壁に付着した被膜を除去する際に使用するクリーニングガスの使用量を従来に比して削減することができる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、クリーニング工程と、濃度測定工程と、微分値算出工程と、変化検出工程と、排気工程と、を含む半導体製造装置のクリーニング方法が提供される。クリーニング工程では、チャンバ１１内にクリーニングガスを封入し、チャンバ１１内の堆積物とクリーニングガスとを反応させた反応ガスを生成する。濃度測定工程では、チャンバ１１内のガスを排気しながら排気ガス中の実反応ガス濃度を測定する。微分値算出工程では、実反応ガス濃度を時系列で並べて得られる曲線の実反応ガス濃度測定時の時間に対する微分値を算出する。変化検出工程では、微分値が過去に算出された微分値と異なる値を示すかを判定する。そして、排気工程では、チャンバ１１内のガスを排気する。 （もっと読む）

【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単一種のフルオロカーボンを含む二酸化前駆体のみを使用して、大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を沈積でき、低誘電材料の耐熱性と耐水性を向上できる、低誘電材料及びその薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず基板をプラズマ生成反応システムに入れ、その後フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を運ぶキャリアガスをプラズマ生成反応システム中に導入し、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を基板上に形成させ、さらに加熱方式でフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を低誘電材料薄膜に転化させ、同時に低誘電材料薄膜の応力を除去し、より緊密な構造とする工程によって、各種異なる雰囲気下でも、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体が大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れ、かつ接触抵抗が低くい金属基板を用いた固体高分子型燃料電池用セパレータの提供、及び生産性に優れたプラズマ処理技術及プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】金属製セパレータ基板表面に接触抵抗１０ｍΩｃｍ２以下、撥水角８０°以上のシリコン含有炭素系被膜を被着する。プラズマ処理容器内に、一対の基板支持具２にそれぞれ複数枚の金属基板３をほぼ平行、且つ等間隔に係止した第１の基板電極群２ａと第２の基板電極群２ｂとをほぼ等間隔に相互に噛み合わせて配置し、該一対の基板電極群にコンデンサー７を介して高周波電力を給電し、且つローパスフィルタ１２を介して負の脈流電圧又はパルス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_ｘ膜を層間絶縁膜として有する多層配線構造の半導体装置において、低誘電率であるＣＦ_ｘ膜の利点を生かすことができ、かつＣＭＰ処理による特性の劣化を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ＣＦ_ｘ膜を成膜する工程（ａ）と、ＣＦ_ｘ膜に所定パターンの凹部を形成する工程（ｂ）と、凹部を埋めかつＣＦ_ｘ膜上にわたって配線層を設ける工程（ｃ）と、凹部内以外の前記ＣＦ_ｘ膜上の余剰の配線層をＣＭＰ（化学機械研磨）によって除去してＣＦ_ｘ膜の表面を露出させる工程（ｄ）と、を有し、工程（ｂ）の前または後において、ＣＦ_ｘ膜の表面を窒化する工程（ｅ）を備える。 （もっと読む）

【課題】平坦なＮｉＰｔシリサイド層を形成する。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いて、シリコン層２６（ゲート），２９（ソース・ドレイン）上にＰｔ層を形成する。次いで、ＣＶＤ法を用いて、Ｐｔ層上にＮｉ層を、Ｐｔ層より厚く形成する。次いで、シリコン層２６，２９、Ｐｔ層、及びＮｉ層を熱処理することにより、ＮｉＰｔシリサイド３３を形成する。Ｐｔ層の平均膜厚が０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であるのが好ましい。またシリコン層は、例えばＭＩＳＦＥＴのソース・ドレインである。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給し排気することで、基板上に所定膜厚の金属膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、金属膜を形成する途中もしくは金属膜を形成した後に処理容器内に酸素含有ガスおよび／または窒素含有ガスを熱またはプラズマで活性化して供給し排気することで、金属膜の底面もしくは表面を導電性の金属酸化層、導電性の金属窒化層または導電性の金属酸窒化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有組成物を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｔｅ−Ｄの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Ｒが、１〜１０個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基；Ｃ_6-12の芳香族基；ジアルキルアミノ基；有機シリル基；及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含むＴｅ含有組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】製造装置における運転工程、製造装置に供給されるガスの種類およびガス流量をコントローラに入力することにより、真空ポンプ、排ガス処理装置等を最適な運転条件で運転することができ、また排気系システム側の機器のメンテナンス要求等を製造装置側に出力することにより、適正なタイミングで排気系システムの機器をメンテナンスできる排気系システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は液晶又はＬＥＤ又は太陽電池を製造する製造装置のチャンバを排気する排気系システムにおいて、真空ポンプ装置３と、排ガスを処理する排ガス処理装置５と、真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するコントローラ６とを備え、製造装置１の運転工程、製造装置１に供給されたガスの種類およびガス流量の情報をコントローラ６に入力して真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性と耐食性を兼ね備えた炭素系被膜を形成する技術を提供し、摺動性と耐食性に優れた耐食性摺動部材の提供を課題とする。
【解決手段】
摺動部材表面から炭素系被膜の表面に向かってシリコン添加量を減少させる一方、前記摺動部材表面から炭素系被膜表面に向かってフッ素添加量を増大させた傾斜機能皮膜を形成する、又は／及びシリコン元素の添加量が１０原子％から３０原子％、フッ素の添加量が１０原子％以下の第１の炭素系被膜層と、シリコン元素の添加量が５原子％から２０原子％、フッ素元素の添加量が１０原子％から３０原子％の第２の炭素系被膜層を積層する。 （もっと読む）