【課題】 堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させ、さらに堆積膜の膜特性を向上させることが可能な堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の原料ガス導入管からなるガス導入手段と、
円筒状反応容器内の側壁より排気する排気手段と、
放電エネルギーにより原料ガスを励起する手段
を用いプラズマＣＶＤ法により堆積膜を前記円筒状支持体上に形成する装置において、
前記原料ガス導入管と、前記円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数で、かつ
下記に示す領域Aには、構造物が無いことを特徴とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
領域A：円周方向は、下記Ｉ、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域
Ｉ 前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
II 前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線。 （もっと読む）

【課題】処理容器内に金属フッ化物からなる副生成物が形成された場合でも、ＨＦ等の有毒なガスをほとんど発生させずに処理容器を大気開放することができる処理容器の大気開放方法を提供すること。
【解決手段】その中で所定の処理を行って金属フッ化物が付着した処理容器を大気開放する処理容器の大気開放方法であって、処理容器内に大気を導入し、金属フッ化物と大気中の水分とを反応させるのに十分な時間保持してから排気する第１の操作を複数回繰り返し、その後、処理容器内に大気を導入し、排気して、主に前記第１の操作により生成した反応生成物を排出する第２の操作を複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１１内に、複数の基板Ｗを支持する基板支持部材１２と、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１と、ＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを分離するパージガス吐出ノズル２２とを設け、パージガス吐出ノズル２２の吐出口と基板Ｗ表面との距離が、第１の処理ガス吐出ノズル２０および第２の処理ガス吐出ノズル２１の吐出口と基板Ｗ表面との距離よりも大きくなるようにパージガス吐出部２２を配置し、基板Ｗに対し、ＴｉＣｌ_４、ＮＨ_３、パージガスを走査させることにより、基板ＷにＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを交互に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】導電窒化タンタル膜を制御可能に形成する方法を提供すること。
【解決手段】タンタルソース物質、水素のプラズマ励起種、及び窒素ソース物質の交互的パルスを順に、反応空間内で基板と接触させるステップを含む。水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。いくつかの実施の形態では、水素のプラズマ励起種は、形成された金属の膜の中のハロゲン化残留物と反応し、該残留物を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に使用するための特性が優れて安定したタングステンシリサイド膜を得る。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中にシリコンウェーハを配置して昇温し、ジクロルシランを導入してシリコンウェーハの表面反応を起こさせた後、ジクロルシランにWF₆を加えて導入して上記シリコンウェーハに薄くタングステンシリサイドを堆積させる。次にWF₆ を止めてジクロルシランを導入し、その後に、ジクロルシランに加えてWF₆を導入してタングステンシリサイドの堆積を行ないタングステンシリサイド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】改良された性質を有するアモルファスシリコンデバイスを製造するための改良された方法を提供する。
【解決手段】約２０℃〜約２５０℃の基板温度；水素、重水素及びこれらの組み合わせからなる群より選択される希釈剤気体で、約５：１〜約１０００：１の希釈剤気体：供給ガスの希釈比で希釈された珪素含有供給ガス；及び約０．２Torr〜約５０Torrの圧力の条件でアモルファスシリコン層のプラズマ励起化学気相成長（PECVD）を行う。 （もっと読む）

例えば層間絶縁膜として使用されるフッ素添加カーボン膜について、弾性率及び機械的強度の大きいフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置からＣ_５Ｆ_８ガスを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．３２Ｗ／ｃｍ^２ 以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇や表面クラックによる装置異常の無い半導体製造装置の電極の管理方法とその管理方法が簡便に利用できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】プラズマによって表面に変質層が形成される電極３を有する半導体製造装置における電極３の管理方法において、前記電極３表面の変質層の厚みを測定する工程と、前記測定した変質層の厚みが基準値に達したら、電極の交換時期と判断する工程とを有することを特徴とする電極の管理方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型またはｎ型に制御された低抵抗のＳｉＧｅからなる導電性パターンを基材上に選択的に５００℃以下の低温で形成することを可能にする。
【解決手段】ガラス又は酸化ケイ素からなる非晶質基材上にアルミニウム薄膜又はクロム薄膜をパターン状に形成し、フッ化ゲルマニウムとジシランを原料とした熱ＣＶＤ法によって、前記パターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的にＳｉＧｅを堆積する。得られた導電性パターンは、ＳｉＧｅ膜が、非晶質基材上にパターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的に形成され、非晶質基材上には形成されない。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により移動する基板上に微結晶シリコンを含む堆積膜を形成する方法において、プラズマ状態の変化を少なくし、長時間安定なプラズマ状態を維持することを目的とする。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法により移動する基板上に微結晶シリコンを含む堆積膜を形成する方法であって、該基板上に静止状態で３００ｎｍ以上の膜厚の堆積膜を形成した際に、該堆積膜中の結晶質に起因するラマン散乱強度がアモルファスに起因するラマン散乱強度の３倍以上である微結晶シリコン領域の面積が、全体の面積の５０％以上となる条件で堆積膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なプロトン伝導体であり、電池を作製する方法に対して感度が高すぎることのない電解質材料、およびそのような材料を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の材料は、燃料電池の電解質（３０６）を構成するのに適した材料であって、炭素（Ｃ）、フッ素（Ｆ）、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）、およびケイ素（Ｓｉ）を含む疎水性マトリックスを有する。本発明の材料は、その材料を含む電解質の性能を、およびその結果としてそのような電解質を組み込んだ燃料電池の性能を改良するのに役立つ。本発明はさらに、蒸着速度があまり制限されないそのような材料を作製する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度であっても成膜速度を維持して結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝１，２，３,…)で表されるシラン系ガスと、ハロゲン化ゲルマニウムガスとを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する工程を行う。ハロゲン化ゲルマニウムガスとしては、ＧｅＦ₂、ＧｅＦ₄、およびＧｅＣｌ₄のうちの少なくとも１つを用いる。原料ガスとしてさらにドーパントガスを用いることにより、活性化されたドーパントを含有するシリコン薄膜が成膜される。 （もっと読む）

【課題】抄紙機又は輪転印刷機で使用される回転体又はその外周面部材（被覆対象物）上特に特に圧胴表面の粗面構造上に、同心性を損なわずに、連続生産で経済的に、インキをはじく清掃しやすい耐摩耗性付着防止層を形成する。
【解決手段】付着を減少する粗面構造を表面に作り、ＰＡＣＶＤ法により炭素被覆を被着し、その際被覆が種々の組成の元素Ｃ、Ｈ、Ｓｉ、Ｏ及びＦを有するように、第１段階で炭化水素及びケイ素含有前駆物質を使用してＣ−Ｈ−Ｓｉ−Ｏ基本格子を形成し、第２段階でフッ素前駆物質からフッ素を取り込むことにより耐摩耗性付着防止層を形成する。その際、被覆対象物の輪郭にならった可動式反応器頭部が、被覆対象物の表面とともに反応室を取り囲むとともに被覆対象物の上を無接触で横行し、ＰＡＣＶＤプラズマ流並びに別のガス流で前駆物質及び掃気ガスが反応室に供給される。 （もっと読む）

金属炭化物薄膜を形成する方法が提供される。好ましい実施形態によれば、金属炭化物薄膜は、反応空間中で基板を、金属源化学物質、還元剤および炭素源化学物質の空間的にかつ時間的に分離された気相パルスと交互的かつ逐次的に接触させるステップによって、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成される。この還元剤は、好ましくは水素の励起された種およびケイ素含有化合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。
【解決手段】接続孔２０の底部にＴｉＣｌ_４ガスを用いた熱反応により熱反応Ｔｉ膜２１ａを形成し、ＴｉＣｌ_４ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂを形成した後、Ｈ_２ガスを用いたプラズマ処理及びＮＨ_３ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの表面に窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃを形成する。続いてＷＦ_６ガスを用いたＣＶＤ法による成膜とＳｉＨ_４ガスまたはＢ_２Ｈ_６ガスを用いた還元とを複数回繰り返して、窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃ上に多層構造のタングステン核膜２２ａを形成した後、ＷＦ_６ガス及びＨ_２ガスを用いたＣＶＤ法により４００℃以下の温度でタングステン核膜２２ａ上にブランケット・タングステン膜２２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造の金属配線形成において、バリアメタル膜形成工程を省略し、タングステンのグレインサイズを大きくし、電気抵抗の低いタングステン配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上部に絶縁膜及びグルー膜を形成する段階と、上記グルー膜及び絶縁膜の一部を除去してトレンチを形成する段階と、トレンチ側壁に絶縁膜を形成する段階と、トレンチ内部をクリーニングする段階と、ＡＬＤ法により核生成を行う段階と、トレンチ及びグルー膜を含む上記半導体基板の上部にＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する段階と、上記絶縁膜が露出されるまで研磨工程を実施してダマシン構造のタングステン配線を形成する段階からなる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率材料を化学気相堆積するチャンバー表面の清浄工程の終点を決定する方法を提供する。
【解決手段】金属残渣４０を揮発させかつ生成すると表面から離れる揮発した残渣生成物７０を生成させるために十分な時間、残渣４０を清浄剤６０と接触させることにより残渣４０を表面から除去し、下にある金属を腐食させ、かつそれを揮発させる傾向を有する清浄剤６０と接触させることにより、金属を含む下にある表面から金属残渣４０を除去し、清浄剤６０が残渣４０を除去した効果により表面と接触し、そして表面の金属と反応しかつ表面の金属を揮発させるまで残渣４０と接触させて清浄剤を保持し、金属を含む下にある表面は、金属残渣４０の金属よりも清浄剤６０と反応性が高いことを利用し、揮発した金属及び清浄剤６０のそれぞれの量をモニターして、揮発した金属の量の清浄剤６０の量に対する比が、低い値から高い値に増えた時に清浄工程を停止させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電手段を有する薄膜形成装置であって、処理ガスの逆流を抑止し、均一なガス流れにより良好な膜質を有する薄膜形成装置、薄膜形成方法薄及び薄膜を提供する。
【解決手段】処理ガス供給手段と、ロール電極との間の領域内に、一端がロール電極に当接し、他端は処理ガス供給手段にそれぞれ取り付けられたブレードを有する。 （もっと読む）

【課題】大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電手段を有する薄膜形成装置であって、処理ガスの逆流を抑止し、均一なガス流れにより良好な膜質を有する薄膜形成装置、薄膜形成方法薄及び薄膜を提供する。
【解決手段】処理ガス供給手段と一対のロール電極との間の領域内に、回転可能なニップローラがそれぞれ当接し、さらに一端が前記ニップローラにそれぞれ当接し、他端は処理ガス供給手段にそれぞれ取り付けられたブレードと、を有する。 （もっと読む）