【課題】プラズマ生成用ガスを有効利用する。
【解決手段】電極基板４に形成された複数の貫通孔６を介して被処理物２の表面にプラズマ生成用ガスを直接供給する。これにより、被処理物２の表面処理に必要な量だけのプラズマ生成用ガスを供給することにより、プラズマ生成用ガスを有効利用し、プラズマ生成用ガスの消費量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚低下の原因となるエッチング元素の残留を低減させる。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、Ｆ_２エッチングガスを処理室２０１に供給するガス供給管２３２ｂ等のエッチングガス供給手段と、水素ラジカルを処理室２０１に供給する水素ラジカル供給手段と、前記エッチングガス供給手段及び前記水素ラジカル供給手段を制御するコントローラ２８０と、を備える。コントローラ２８０は、前記エッチングガス供給手段にＦ_２エッチングガスを処理室２０１に供給させ、その後前記水素ラジカル供給手段に前記水素ラジカルを処理室２０１に供給させる。 （もっと読む）

【課題】発熱体ＣＶＤ（化学蒸着）法において、作成される薄膜中への不純物の混入を抑制する方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により所定の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。発熱体３からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグを従来よりも低抵抗化する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体基体上にＳｉＯ_２膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、ＳｉＯ_２膜にコンタクトホールを形成する工程（Ｓ１０４）と、コンタクトホール内にＴｉ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、Ｔｉ膜を窒化処理する工程（Ｓ１０８）と、コンタクトホール側壁に形成されたＴｉＮ膜を除去する工程（Ｓ１１０）と、コンタクトホール内にＷ膜を堆積させる工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】正確な終点検出の可能な処理装置のドライクリーニング方法を提供する。
【解決手段】クリーニング中の、チャンバ圧、物質濃度又は堆積膜の厚さを測定、モニターするためのセンサを装置１１内に設け、センサからのデータを基に終点を検出する。または、チャンバ１１内にプラズマを部分的に発生させて、このプラズマの発光強度をモニターして終点を検出する。或いは、チャンバ内に光を照射し、チャンバ内を通過した光を測定、モニターして終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】 ガス吐出機構の温度を低く保つ必要がある２つの処理ガスを交互に供給して成膜する装置の場合に、大型のガス吐出機構であっても極低温チラー等の特別な設備を用いずに、ガス吐出機構の全体を所望の温度に冷却することができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】 第１および第２の処理ガス供給手段からそれぞれ第１の処理ガスおよび第２の処理ガスが供給されて処理容器２内へ第１の処理ガスと第２の処理ガスを吐出するガス吐出機構を具備し、第１の処理ガスと第２の処理ガスを交互に供給して被処理基板上でこれらを反応させてその上に所定の膜を形成するガス処理装置であって、ガス吐出機構は、第１および第２の処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔４６、４７を有するガス吐出プレート３５´と、冷媒流路２１０ａ〜２１０ｃとを有し、冷媒流路２１０ａ〜２１０ｃを、ガス吐出プレート３５´のガス吐出孔形成領域に設ける。 （もっと読む）

【課題】 大面積基体処理チャンバを洗浄するための方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ容積が大きくなるにつれて、驚くべきことに、洗浄条件の規模を単純に拡大しても、さらされたチャンバ表面からシリコンを事実上洗浄することができないことがわかった。さらされたチャンバ表面上の望ましくないシリコン堆積物は、ソーラーパネルの形成において汚染につながることがあり得る。チャンバを摂氏約１５０度と２５０度の間の温度に維持しつつチャンバの圧力を約１０トール以上に上げると、プラズマ洗浄の有効性が高められて、シリコン堆積物がチャンバから除去される。高圧と低温の組み合わせにより、ソーラーパネル製造の基板処理能力を犠牲にすることなく基板汚染を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】高温下の還元性ガス（特に、アンモニア、水素、炭化水素ガスなど）に対して、優れた耐食性および耐熱衝撃性を有する炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素基材１と、前記炭素基材１上に形成されかつ（２２０）面に配向した炭化タンタルの結晶から実質的になる被覆膜２とを有する、炭化タンタル被覆炭素材料１０。被覆膜２のＸ線回折パターンにおいて、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度が最大の強度を示しかつ２番目に大きな強度の回折強度の４倍以上の強度を示し、また、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度の半価幅が０．２°以下である。
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【課題】 ストレスマイグレーション耐性およびエレクトロマイグレーション耐性に優れ、下部配線と上部配線との接続信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】 この半導体装置１において、Ｃｕを主成分とするＣｕ配線２３とＷからなるＷプラグ３２との間には、積層バリア膜３０が介在されている。積層バリア膜３０は、Ｔａバリア膜４２、ＴａＮバリア膜４３、Ｔｉバリア膜４４およびＴａＮバリア膜４５が積層されてなる４層構造を有している。そして、Ｔａバリア膜４２は、ビアホール２８の側面およびＣｕ配線２３の上面に被着されている。また、ＴｉＮバリア膜４５は、積層バリア膜３０の最上層をなし、Ｗプラグ３２の表面に接触形成されている。 （もっと読む）

【課題】工程数を少なくし、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加を抑制することが可能なバリヤ層の形成方法を提供する。
【解決手段】表面の少なくとも一部にシリコン層６が露出している被処理体Ｗの表面に、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜よりなるバリヤ層１４を形成するバリヤ層の形成方法において、被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でＴｉ膜を形成するＴｉ膜形成工程と、Ｔｉ膜上に前記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でＴｉＮ膜を形成するＴｉＮ膜形成工程とを有する。これにより、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有組成物を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｔｅ−Ｄの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Ｒが、１〜１０個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基；Ｃ_6-12の芳香族基；ジアルキルアミノ基；有機シリル基；及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含むＴｅ含有組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】水素の含有量を１原子％以下とすることで４００度における十分な耐熱性を付与された、ケイ素を含有するフッ素化非晶質炭素膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】式CxFy（式中x, yは２以上の整数）で表される不飽和フッ化炭素ガスと式SiaFb（式中a, bは１以上の整数）で表されるフッ化ケイ素ガスを原料ガスとして用いる。 （もっと読む）

本発明は封入層を高分子繊維及び弾道抵抗性布帛の表面上に蒸着するための方法を提供する。さらに詳しくは、本発明は、非半導性高分子繊維及び布帛への材料の原子層蒸着により塗被されたコンフォーマルな封入層を有する布帛を提供する。 （もっと読む）

基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を導波させる導波管の両側でプラズマ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】マイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリット１３ａ、１３ｂを導波管１２の両面にそれぞれ設け、ガス導入管１７ａ、１７ｂを介してチャンバ１１内にプロセスガスを導入し、マイクロ波を導波管１２内に導波させ、スリット１３ａ、１３ｂをそれぞれ介してマイクロ波を導波管１２の両側から放射させることにより、導波管１２の両側に表面波プラズマを発生させ、基板１８ａ、１８ｂのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体ウエハ等の被処理体に形成された凹凸部内にタングステン膜を形成するタングステン膜の形成方法に関し、Ｓｉ基板上に形成された凹凸内に良好にタングステンの埋めこみを行うことを課題とする。
【解決手段】処理容器５０内にＭＯ−ＴｉＮ膜からなるバリア膜３が形成されたＳｉ基板Ｗを載置する工程と、処理容器５０にＷＦ_６ガスとＳｉＨ_４ガスとを交互に繰り返して供給する繰り返し工程を含み、前記バリア膜３上に第一のタングステン膜５を形成する工程と、処理容器５０にＷＦ_６ガスとＨ_２ガスとを同時に供給し、第一のタングステン膜５上に第二のタングステン膜６を形成する工程とを含むタングステン膜の形成方法であって、前記繰り返し工程では、Ｓｉ基板Ｗの温度を１５０℃以上３５０℃以下に維持すると共に、前記ＷＦ_６ガスの供給量を１３３Pa sec以上１０ｋPa sec以下とし、ＷＦ_６ガスのバリア膜３上への吸着量を飽和させる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料処理室においてポロゲンを含有する多孔質膜を堆積させた後にその処理室において装置表面をクリーニングする方法を提供すること。
【解決手段】半導体材料処理室の装置表面をプロトン供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられたポロゲンと反応させることと、装置表面をフッ素供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられた薄膜と反応させることとを含んでなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】被加工品および／または材料に良好に付着した被覆を提供する。
【解決手段】本発明は、被加工品および／または材料に被覆をする方法であって、以下の工程を含む方法に関する：接着層の塗布、および高強度の最上層のプラズマ被覆による塗布。
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【課題】本発明は原料ガスを交互に供給することにより成膜を行なう薄膜の形成方法に関し、インキュベーションタイムを短くしてスループットの向上を図ることを課題とする。
【解決手段】半導体ウエハＷをチャンバ３０内に載置する工程と、チャンバ３０に設けられたシャワーヘッド２０を介し、金属含有ガスと反応ガスとを交互にチャンバ３０内に複数回供給し、ＡＬＤ法により薄膜を形成するＡＬＤ工程とを有する薄膜の形成方法であって、前記ＡＬＤ工程に先立って、シャワーヘッド２０を介して金属含有ガスと反応ガスとをチャンバ３０内に同時に供給する前処理工程を行なう。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ，Ｐｔ，ＮｉＰｔ，ＮｉＳｉ，ＰｔＳｉ等の膜を綺麗に、即ち、段差被覆性良く形成できる技術を提供することである。
【解決手段】膜をＣＶＤにより形成する方法であって、
Ｍ（ＰＦ_３）_４（ＭはＮｉ又はＰｔ）を膜形成室に供給するＭ（ＰＦ_３）_４供給工程と、ＰＦ_３を膜形成室に供給するＰＦ_３供給工程と、前記膜形成室に供給された化合物を分解させ、基板上に堆積させてＭ系膜を形成する膜形成工程とを具備する。 （もっと読む）