【課題】炭窒酸化チタンコーティングが施された切削インサートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】コーティングされた切削インサートの製造方法、およびコーティングされた切削インサートは、表面を有する基材を提供するステップと、炭窒酸化チタンのＣＶＤコーティング層を被覆するステップとを含む。炭窒酸化チタンコーティング層を被覆するためのガス状混合物は、窒素、メタン、塩化水素、四塩化チタン、アセトニトリル、一酸化炭素および水素の組成物を有する。炭窒酸化チタンコーティング層は、２次元平面図で測定すると、平均長が約１．０μｍより大きく、平均幅が約０．２μｍより大きく、平均アスペクト比が約２．０より大きい炭窒酸化チタンウィスカを含む。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層としてチタン膜を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板（４インチ基板、６インチ基板）の表面に、１０００℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 原料ガス導入部の鉛直方向に仕切られた複数枚のガス仕切板の間隙から原料ガスを供給する方法において、基板に最も近接するガス仕切板の先端部の温度を３００〜７００℃に設定し、かつ基板に最も近接するガス噴出口から噴出する原料ガスのガス仕切板の位置における線速が、０．３〜３ｍ／ｓとなるように原料ガスの供給を調整して基板の表面に窒化ガリウム層の形成を行なう方法とする。 （もっと読む）

【課題】得られるコーティングが０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ａ．ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１２００℃より高いが１８００℃より低い温度に基板を加熱すること、を含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は１０ｔｏｒｒ〜２５０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼等の難削材の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）１〜１５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層からなる中間層、（ｃ）５〜１６μｍの平均層厚の縦長成長結晶組織をもつ改質Ｔｉ炭窒化物層からなる上部層、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の硬質被覆層が化学蒸着により形成された表面被覆切削工具において、（ｄ）上部層を構成する改質Ｔｉ炭窒化物層は、層厚方向に沿って０．５〜４．０μｍの間隔をおいて、酸素含有量のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％であり、しかも、該ピーク位置におけるＺｒ含有量は、０．８〜１．５原子％である酸素、Ｚｒ濃化領域を少なくとも１つ備える。 （もっと読む）

【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ガスノズルに比べて遥かに表面積の大きなガス導入空間２０５を設けているので、表面積の大きなガス導入空間２０５の内部で予めガスを充分に加熱することができる。このため、処理室２０３に導入されるガスを加熱することができ、この結果、処理室２０３の内部に配置されているウェハＷＦとの温度差を小さくすることができる。したがって、本発明によれば、処理室２０３に導入されるガスと、処理室２０３の内部に配置されているウェハＷＦとの温度差に起因するヘイズやスリップを抑制することができ、ウェハＷＦ上に形成される膜の品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート１０１と、ベースプレート１０１の上に設置されてベースプレート１０１の全面を被覆するベースプレートカバー１０３とを有する。ベースプレート１０１には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口６が設けられており、ベースプレートカバー１０３には、排気口６に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔１０７が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔１０７の端面１０９は、排気口６の端面１１０より突出している。ベースプレートカバー１０３は、ベースプレート１０１と対向する面に突起部１０８を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基材に、プラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行う成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側のプラズマ端部の強度を制御して、成膜領域の入り口および出口でのダメージを低減して、目的とする機能を発現できる好適な膜質の機能性膜を安定して形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、電極対の上流側の端部および下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、中央部の電極間距離よりも狭いことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】冷媒の流通により気相成長装置本体の少なくとも一部（サセプタの対面、ヒータへの通電を制御する制御機器等）が冷却される構成を備えた気相成長装置であって、外気から冷媒中への雑菌や藻等の異物の混入を防止することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒の循環流路が密閉系であり、外部に設けられた冷却手段との熱交換により該冷媒を冷却できる構成とする。さらに好ましくは、該冷媒をイオン交換水とする。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化効率を向上させ、パーティクルの付着を防止する。
【解決手段】ウェハを収容して処理する処理室と、液体原料をキャリアガスによるバブリングにより気化させるバブラ２２０ａと、バブラ２２０ａにて液体原料を気化させることで生成された原料ガスを処理室内に供給する原料ガス供給管２１３ａとを有し、バブラ２２０ａは液体原料を収容する容器と、容器内に収容された液体原料内にその先端部分が浸され、液体原料内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３７ａとを有する基板処理装置において、キャリアガス供給管２３７ａから液体原料内に供給されたキャリアガスを水平方向に拡散させる拡散板２３８をバブラ２２０ａ内の底部に敷設し、拡散板２３８は多孔質材により構成される。 （もっと読む）

【課題】長尺な基材に、プラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行うロール・ツー・ロールの成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側での、プラズマ端部の影響を低減して、基材や機能性膜の表面がダメージを受けることを防止し、目的とする機能を発現できる機能性膜を、安定して形成することを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段が電極対の間でプラズマを生成する領域の、基材搬送方向の上流側および下流側の少なくとも一方の端部に配置される絶縁性のプラズマ抑制部材２４を有する。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマＣＶＤ装置では、アモルファスＳｉ薄膜堆積の際、分解種ＳｉＨ_２とＳｉＨ_４親分子との反応が起こりやすく、結果として生成される高次シランが、堆積膜の光安定性の低下の原因となっている。また、生成されるパウダーが、装置の稼働率を低下させている。
【解決手段】プラズマで分解されるガスを、電極（２）表面上のプラズマ生成部へ向けて小孔（１２ａ）から供給する。更に、これとは異種のガスを別の小孔（１２ｂ）から供給して、分解後のガスと気相反応させる。気相反応用に供給するガスを適宜選択することで、プラズマ分解されたガス中のプロセス上有害な分解種を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供するプラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、結晶欠陥が、六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える積層体を製造するための表面波プラズマＣＶＤ装置であり、前記表面波プラズマＣＶＤ装置は、試料台と、試料台上の冷却ステージと、表面波プラズマ源とを備え、該表面波プラズマ源を制御して反応器内のガス圧力を５×１０^１から５×１０^２Ｐａに設定し、かつ試料台と冷却ステージと密着させ、前記基板と該表面波プラズマ源との距離を調節して基板温度を４５０℃以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極によるチャネルのポテンシャル制御性を大幅に向上させ、信頼性の高い所期の高耐圧及び高出力を得ることのできる化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴは、Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１の上方に形成された電子走行層２ｂと、電子走行層２ｂの上方に形成された電子供給層２ｃと、電子供給層２ｃの上方に形成されたソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極６とを含み構成されており、電子走行層２ｃは、平面視でソース電極４とドレイン電極５とを結ぶ方向と交差する方向に並ぶ複数の段差、例えば第１の段差２ｃａ、第２の段差２ｃｂ、第３の段差２ｃｃを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池を製造する際に、プラズマＣＶＤ装置の１つの製膜室で同じ組成の膜を連続して製膜するのではなく異なる不純物を含む複数の膜を連続して製膜する場合に、クリーニング前後での製膜室雰囲気の再現性に問題がなくクリーニング前の変換効率が得られる製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置のクリーニング後の仮製膜工程で光電変換層と同じ組成の複数の膜を製膜することで、製膜室雰囲気の再現性を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡易に、特性の均一性と画像特性を同時に向上させる方法を提供する。
【解決手段】 リング状部材１００，２００の外周面には、周方向に３箇所以上の凸部１０２を有し、凸部１０２の外接円の直径ｄ０は、円筒状基体１０８、下補助基体１０７、上補助基体１１２の内壁面の内径より大きくする。リング状部材１００，２００の凸部１０２を円筒状基体１０８、下補助基体１０７、上補助基体１１２の内壁面にくい込ませた状態で、基体ホルダ１１８に円筒状基体１０８、下補助基体１０７、上補助基体１１２を設置する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の過程で形成される薄膜の処理方法を提供する。
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ８の座ぐり部８ａに基板７を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板７の上にＳｉＣ膜３０１を形成する（第１の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、基板７が取り除かれたサセプタ８を回転させながら、サセプタ８の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ８の座ぐり部８ａからその周縁部８ｂに至る段差部８ｃに形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第２の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ８の上に形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第３の工程）。第１の工程と第２の工程を繰り返した後に第３の工程を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長（ＣＶＤ）の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、ＣＶＤガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをＣＶＤガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解ＣＶＤガスを供給して当該基板の上にＣＶＤ膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該ＣＶＤガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 （もっと読む）

【課題】高品質なルテニウム薄膜を製造することができる有機ルテニウム化合物を提供する。
【解決手段】下記化学式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムからなる化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物において、鉄（Ｆｅ）の濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物。
（もっと読む）