【課題】 チャージアップの抑制および二次反応の抑制を高いレベルで両立する電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極および円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成して、電子写真感光体を製造するにあたり、前記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値であるようにする。 （もっと読む）

【課題】反応チャンバにおいて反応体メモリーを防止しながら、複数工程複数チャンバ化学気相堆積を行う方法を提供する。
【解決手段】第一気相堆積チャンバ２４において気相堆積を用いて基板上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ２４を開ける前に、前記第一堆積チャンバ２４中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ２４から排気する工程を含む。第二堆積チャンバ２６から第一堆積チャンバ２４を分離して第一堆積チャンバ２４中に存在する反応体が第二堆積チャンバ２６における堆積に影響を及ぼさないようにしながら、また、成長停止効果を最小限に抑えるか又は排除する環境を維持しながら、基板を第二堆積チャンバ２６へと搬送する。搬送工程の後、異なる半導体材料の追加の層を、第二チャンバ２６において、気相堆積によって第一堆積層の上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持体と、無機膜とを有する機能性フィルムにおいて、優れた機能を発現し、かつ、無機膜の密着性が良好で、さらに、緻密な無機膜の圧縮応力に起因する剥離やクラックの発生を抑制した機能性フィルム、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】機能性フィルムの無機膜が、領域Ｂと、領域Ｂよりも高密度／薄い領域Ａとを有し、領域Ｂ−領域Ａ−領域Ｂの積層構造を１以上有する機能性フィルム、および、支持体を搬送しつつ、搬送方向に配列された複数のプラズマＣＶＤによる成膜手段によって表面温度が２０℃以下にならないようにして同じ無機膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのＨＶＰＥ装置１は、Ｇａ（金属）７ａを収容するタンク（収容部）７を上流側に有し、成長用の基板１１が配置される成長部３ｂを下流側に有する筒状の反応炉２と、ガス導入口６４ａを有する上流側端部６４からタンク７を経由して成長部３ｂに至るように配置され、上流側端部６４からガスを導入してタンク７に供給し、ガスとタンク７内のＧａとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部３ｂに供給する透光性のガス導入管６０と、反応炉２内に配置され、ガス導入管６０の上流側端部６４を成長部３ｂから熱的に遮断する熱遮蔽板９Ａ、９Ｂとを備え、ガス導入管６０は、上流側端部６４と熱遮蔽板９Ｂとの間で屈曲された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】支持体と、無機膜とを有する機能性フィルムにおいて、支持体のダメージが少なく、かつ、無機膜の密着性が良好で、さらに、緻密な無機膜の圧縮応力に起因する剥離やクラックの発生を抑制した機能性フィルム、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】機能性フィルムの無機膜が、領域Ｂと、領域Ｂよりも低密度／薄い領域Ａとを有し、領域Ｂ−領域Ａ−領域Ｂの積層構造を１以上有する機能性フィルム、および、複数のプラズマＣＶＤによって、成膜領域から外部へのガス流を制御しつつ無機膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する誘導電流の影響を排除して均一に熱処理を行うことができる、誘導加熱を利用した熱処理装置を提供すること。
【解決手段】熱処理が施される複数の基板Ｓを収容する処理容器２と、処理容器２内で複数の基板を保持する基板保持部材３と、処理容器２内に誘導磁界を形成して誘導加熱するための誘導加熱コイル１５と、誘導加熱コイル１５に高周波電力を印加する高周波電源１６と処理容器２内に処理ガスを供給するガス供給手段８，９，１０と、処理容器２内を排気する排気手段１１，１２，１４と、処理容器２内で基板保持部材３を囲うように誘導加熱コイル１５と基板保持部材３との間に設けられ、誘導磁界によって形成された誘導電流により加熱され、その輻射熱で基板保持部材３に保持された基板Ｓを加熱する誘導発熱体７とを具備し、誘導発熱体７により、基板Ｓへ誘導電流が流れることが阻止される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより不純物の少ないニッケル膜を高スループットで成膜することができるニッケル膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして、アンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いたＣＶＤにより初期ニッケル膜を成膜する第１工程と、初期ニッケル膜の上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして水素ガスを用いたＣＶＤにより主ニッケル膜を成膜する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、エピタキシャル成長工程前のエッチング工程においてエッチング量の面内均一性を改善することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコン単結晶基板の表面をエッチングするエッチング工程後、前記シリコン単結晶基板の表面に原料ガスを用いてエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル成長工程を行うエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記エッチング工程において、エッチングガスとキャリアガスに前記原料ガスを含めたガスで前記シリコン単結晶基板の表面をエッチングすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高性能の光電変換装置を製造するための結晶質シリコン光電変換層の製膜条件設定方法を提供する。
【解決手段】製膜条件候補に対してＳｉＨ_４流量を増加させて結晶質シリコンからなる光電変換層９２を形成し、該光電変換層９２の高輝度反射領域の面積割合及び基板面内分布を取得する。分布が均一である場合製膜条件候補を最終製膜条件に設定し、分布が不均一である場合放電電極の各給電点に供給される高周波電力密度を調整して最終製膜条件を設定する。また、予め取得した任意のラマンピーク比を有する光電変換層９２についてＳｉＨ_４流量の変化量と高輝度反射領域の面積割合との相関関係に基づいて光電変換層９２のラマンピーク比を取得する。取得したラマンピーク比が設計値を満たす場合製膜条件候補を最終製膜条件に設定し、ラマンピーク比が設計値から外れる場合ＳｉＨ_４流量、ＳｉＨ_４分圧または高周波電力密度を調整して最終製膜条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させるに際し、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンドにおいて基板のダイヤモンドの欠陥に由来する欠陥を極力低減すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板上の欠陥の位置に、幅と深さのアスペクト比（深さ／幅）２以上の溝又は穴を形成した単結晶ダイヤモンド基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶ダイヤモンド膜を形成してなり、前記溝又は穴の部分が空孔として結晶内部に残っていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】２つのプラズマ発生部８１、８２を回転テーブル２の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部８１、８２とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部８１、８２におけるアンテナ８３と直交する方向に伸びるスリット９７を各々のファラデーシールド９５に設けて、各々のアンテナ８３において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハＷ側に通過させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの温度分布を制御し、より膜厚均一性を向上させることが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するガス供給機構と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを下方より加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転制御部と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、ヒータの下部に設けられ、ヒータからの熱を前記ウェーハの裏面に反射するための反射板と、反射板を上下移動させるための上下駆動部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層とＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上記Ａｌ_２Ｏ_３層について、（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定して傾斜角度数分布グラフを作成した場合、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、０〜１０度の範囲内の度数合計が２０〜５０％の割合を占め、さらに、上部層のＡｌ_２Ｏ_３粒について結晶粒内平均方位差を求めた場合、上記０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に存在するＡｌ_２Ｏ_３結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度未満を示し、一方、上記０〜１０度の範囲を外れる傾斜角区分に存在する結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度以上を示す。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法を用いて、例えば太陽電池の発電層となるシリコン膜を成膜するにあたって、シリコン膜の結晶性を制御することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】水素ガスとモノシランガスとを予め混合し、この混合ガスをプラズマ化して、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１を成膜する第１の工程（プリミックス）と、水素ガスとモノシランガスとを別々に供給してプラズマ化し、シリコン膜Ｆ２を成膜する第２の工程（ポストミックス）とを組み合わせる。組み合わせの例としては、基板Ｓ上にプリミックスによりシリコン膜Ｆ１を成膜しそのシリコン膜Ｆ１上にポストミックスによりシリコン膜Ｆ２を成膜する方法、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１及びＦ２を交互に複数回成膜する方法などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させることにより、Ｓ濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3であり、かつ対称反射のＸ線ロッキングカーブの半値全幅が１００秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】安価な支持体を用いて、低コストかつ高い生産性で、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムなど、高性能な機能性フィルムを提供する。
【解決手段】塗布による有機層と、気相堆積法による無機層とを積層してなる機能性フィルムにおいて、有機層のガラス転移温度が１００℃以上、厚さが０．０５〜３μｍであり、かつ、この有機層を、塗料を５ｃｃ／ｍ²以上の塗布量で塗布して、減率乾燥状態での粘度が２０ｃＰ以上、表面張力が３４ｄｙｎ／ｃｍ以下となるようにして形成し、この有機層の表面に、プラズマの生成を伴う気相成膜法によって無機層を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における特徴は、例えば、図２に示すように、処理室２０９の外壁２０５とインナーチューブ２０６の間にガス導入空間２１０を設け、このガス導入空間２１０内に誘導加熱するための加熱体２０７を設けている点にある。これにより、ガス供給部２１１から供給される原料ガスは、まず、処理室２０９の内部に導入される前に先立って、ガス導入空間２１０内に導入され、このガス導入空間２１０に設けられている加熱体２０７によって加熱される。 （もっと読む）

【課題】成膜時の温度制御が可能となり、ウェーハ上に成膜された膜厚のバラツキを極めて少なくし、生産性を高めた半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１１は、ウェーハｗの径より小さく、表面に凸部１２ｂ（温度制御板となる）を有するインナーサセプタ１２と、中心部に開口部を有し、インナーサセプタを開口部が遮蔽されるように載置するための第１の段部と、この第１の段部の上段に設けられ、ウェーハを載置するための第２の段部を有するアウターサセプタ１３を備える。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜の移動度を高める。
【解決手段】高密度プラズマを用いて少なくとも（２２０）の結晶方位配列に成長させるように微結晶シリコン膜を形成する第１の工程を有し、第１の工程時、微結晶シリコン膜の結晶方位配列（１１１）に対する結晶方位配列（２２０）への成長比率が高くなるように、被処理体近傍の温度を３００〜３５０℃の範囲内に設定し、総流量に対する水素ガスの流量比を高めた成膜ガスを供給する。これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜２０を形成して、移動度を高めることができる。 （もっと読む）