【課題】 弾性層から染み出す低分子量成分の電子写真感光体への付着の抑制効果が高く、且つ、耐久性にも優れた表面層を備えた帯電部材を具備することにより、安定して高品位な電子写真画像を与える電子写真画像形成装置を提供すること。
【解決手段】 電子写真感光体と、該電子写真感光体と当接して配置されている帯電部材と、
該帯電部材に電圧を印加して、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段とを具備している電子写真画像形成装置であって、該帯電部材は、導電性支持体、弾性層、保護層及び該弾性層の表面を被覆している表面層とを具備し、該表面層は、ケイ素原子と化学結合している炭素原子を含む酸化ケイ素膜を含み、該酸化ケイ素膜は、特定の組成を有していることを特徴とする電子写真画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を低コストで形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置１００は、反応容器１０１の円筒状基体１２０に対面する一方向に形成された主排気部１０９と、反応容器１０１の主排気部１０９とは異なる方向で、円筒状基体１２０に対面しない領域に形成された端部排気部１１１、１１２とを有している。主排気部１０９と端部排気部１１１、１１２から排気し、その排気バランスを調整することで、円筒状基体１２０の特に長手方向端部でのプラズマの均一性が向上し、堆積膜の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良くさらに低コストで形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置１００では、基体ホルダ１０７の端部から突出する部分より、反応容器１０１の内部へ端部供給ガスを放出させることにより、長手方向のプラズマの均一性が向上する。 （もっと読む）

静止する基板上または連続する基板上に薄膜材料を高速蒸着するための方法および装置を提供する。この方法は、あらかじめ選択された前駆体中間生成物を蒸着チャンバへと供給することと、中間生成物から薄膜材料を形成することと、を含む。中間生成物は、蒸着チャンバの外部で形成され、自由ラジカル等の準安定化学種を含む。中間生成物は、低い欠陥濃度を有する薄膜材料の形成に貢献する準安定化学種を含むよう、あらかじめ選択される。低欠陥濃度の材料を形成することにより、蒸着速度と材料品質の関係は分断され、先例のない蒸着速度が達成される。１つの実施形態において、好適な前駆体中間生成物はＳｉＨ３である。この方法は、あらかじめ選択された中間生成物とキャリアガスとを、好ましくは不活性化状態において、混合することを含む。キャリアガスは、薄膜材料を蒸着するために、好適な中間生成物の基板への送給を導く。 （もっと読む）

【課題】膜中不純物プロファイルがブロードになることを抑制し、シャープなプロファイルを実現する半導体装置の製造方法、および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ボート２１７を上昇して、反応室２０１内に複数のウェーハ２００を搬入する。反応ガスＧＡＳ１〜３を用いてウェーハ２００を処理する。ＧＡＳ１はシリコン原子を含み、例えばＳｉＨ４である。ＧＡＳ２はリン原子を含み、例えばＰＨ３である。ＧＡＳ３はシリコン原子を含み、例えばＳｉ２Ｈ６である。ウェーハ２００に対して少なくともＧＡＳ１とＧＡＳ２とを供給して、ウェーハ２００にリン原子を含む第一シリコン膜を成膜し、その後、反応室を低温化させ、少なくともＧＡＳ３を供給して、少なくとも第一シリコン膜上に不純物原子を含まないか、または第一シリコン膜よりも不純物濃度が低い第二シリコン膜を成膜する。反応室２０１よりボート２１７を降下し処理後のウェーハ２００を搬出する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ装置の噴射孔の閉塞を防ぎ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系透明導電膜の連続的な製膜を可能とする方法を提供する。
【解決手段】有機金属化学気相蒸着法に基づき、基板上に製膜原料を噴射する噴射孔２５ａを備えたＭＯＣＶＤ装置２を用いて、一定量の不純物を含有するジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）と、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）と、水（Ｈ_２Ｏ）とからなる製膜原料を、気相で反応させると共に、上記噴射孔２５ａから基板に向けて噴射させることにより、ｎ型の酸化亜鉛（ＺｎＯ）系透明導電膜を上記基板上に製膜する透明導電膜の製造方法であって、上記不純物として含まれるアルミニウム（Ａｌ）の含有量が、１０ｗｔｐｐｍ未満であるジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）により製膜する。 （もっと読む）

【課題】導電性ダイヤモンド皮膜を基材金属の表面に密着性良く形成することができ、導電性ダイヤモンド皮膜が電極基材から剥離することが抑制されたダイヤモンド電極とその製造方法、ダイヤモンド電極を陽極として用いることで、長期間、高濃度のオゾンを発生できるオゾン発生装置を提供する。
【解決手段】純Ｔｉ、Ｔｉ合金、純Ｎｂ、純Ｔａから選ばれる基材金属からなる電極基材と、電極基材の表面にボロンをドープして形成された導電性ダイヤモンド皮膜よりなり、電極基材と導電性ダイヤモンド皮膜との界面には基材金属種の水素化物が形成されており、Ｘ線回析測定で得られる水素化物の主ピ−クと基材金属の主ピ−クとの強度比が、０．１以上、３．０以下である。 （もっと読む）

【課題】品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体（１５）を異種基板（１０）上に成長させる。半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜（１５）又はウェハは、ＨＶＰＥを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造（１２）上に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】ホウ素ドープダイヤモンド粒子の製造を容易化するために適用することができる、ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法、ホウ素ドープダイヤモンド及び電極を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法を用い、ホウ素ドープダイヤモンドを、タングステン又はその酸化物が少なくとも表面の一部に露出した基板上に成長させることを特徴とするホウ素ドープダイヤモンドの製造方法。前記基板の表面粗さは、０．５μｍ以下であることが好ましい。前記基板として、タングステン又はその酸化物から成る領域と、タングステンを含まない領域とが混在するものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの定性、定量分析を高感度に行うための評価方法、及び、優れたＧＯＩ特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハのＣｕ汚染を検出するシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法において、少なくとも、ウェーハの薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、ウェーハの薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、洗浄によりウェーハの薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、欠陥の少ない堆積膜を、生産性良く形成できる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置は、反応容器１０１と、反応容器１０１の中に設置され、装着された基体１０２を回転可能に支持する基体ホルダ１０７とを有する。堆積膜形成装置は、基体ホルダ１０７の長手方向の一端側を保持し、反応容器１０１に電気的に接続された基体ホルダ保持手段としての回転支持機構１１５をさらに有する。堆積膜形成装置は、基体ホルダ１０７の前記一端側とは反対側の端部に設けられ、基体ホルダ１０７を反応容器１０１に電気的に接触させることを可能とする接触部材１５０を備えている。堆積膜形成装置は、接触部材１５０を反応容器１０１に電気的に接触させるために、基体ホルダ１０７を長手方向に移動させる移動装置１２５をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の高効率化と生産性向上の両立を図る。
【解決手段】一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層を有する。一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。非晶質構造の中に存在している第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層で、光電変換を行う領域の主要部を構成する。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れかつホーニング処理で使用する研磨材やダストの残留を極力低減した基体ホルダを提供することである。
【解決手段】本発明は、シリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる電子写真感光体製造装置用の基体を保持する基体ホルダであって、基体ホルダが、アルミニウム合金からなる基体ホルダ部、高純度アルミニウムからなる接合部材、および、ステンレスからなる凹状部がこの順に設けられ、基体ホルダと接合部とが溶接により接合され、接合部材と凹状部とが摩擦圧接により接合されていることを特徴とする基体ホルダである。 （もっと読む）

【課題】触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置は、錘体８が設けられて張架された触媒体４を反応室１の内部に備えている。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性を向上させることで破壊強度と耐摩耗性に優れ、かつ放電加工等の電気加工を主体とした研磨加工が可能な多結晶・単結晶の高強度ダイヤモンド膜工具やコーティング工具を提供する。
【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくは／および単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させる。また、ボロン添加による導電性付与により電気加工を可能にする。 （もっと読む）

平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
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【課題】実用レベルの発光素子を与えるに十分な低い抵抗率で且つｎ型ＺｎＯと接合したとき優れたダイオード特性を示すｐ型ＺｎＯ単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】ドーパントとして窒素とＩＢ族元素とを含有し，ＩＢ族元素がＣｕ及びＡｇより選ばれる少なくとも１種であり，温度２０℃における抵抗率が０．１〜２０Ω・ｃｍである，ｐ型単結晶ＺｎＯ，並びに，化学気相成長法によるｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法であって，（ａ）（０００１）面を表面とする単結晶ＺｎＯ基板を加熱しつつ，基板の表面にＺｎ源ガス，Ｏ源ガス，アンモニア並びに，Ｃｕ及びＡｇより選ばれるＩＢ族元素源ガスを供給して基板上に，窒素及びＩＢ族元素をｐ型ドーパントとして含んだ単結晶ＺｎＯを成長させるステップと，（ｂ）ｐ型ドーパントを含んだ単結晶ＺｎＯをＯ源ガスの存在下にアニールするステップを含んでなる，ｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法。 （もっと読む）

有機金属化学気相成長の方法は、第１のガスを提供するように濃縮物質源を変換するステップを含み、該物質源は、金、銀、およびカリウムから成る群より選択される少なくとも１つの元素を含む。方法はさらに、亜鉛を含む第２のガスおよび酸素を含む第３のガスを提供するステップと、第１のガス、第２のガス、および第３のガスを、基板に移送するステップと、基板上でｐ型酸化亜鉛系半導体層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によれば、濃縮物質源は、非ハロゲン化および非シリル化源であってもよい。非ハロゲン化および非シリル化濃縮物質源は、固相であってもよく、変換するステップは、物質源を昇華させるステップを含んでもよい。
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【課題】太陽電池の光電変換層への入射光量を多くするために、光閉じ込め効果を発揮するための最適な凹凸形状を備え、かつ、可視光短波長域の吸収が少ない透明導電膜を備える基板を提供する。さらには、その基板を用いた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板は、アルカリ成分を含むガラス板と、ガラス板上に形成され、（i）３５〜１００ｎｍの範囲の膜厚を有し、主成分としての酸化スズを含む第１下地層と、（ii）第１下地層上に形成され、５〜５０ｎｍの範囲かつ第１下地層よりも薄い膜厚を有する非晶質の第２下地層とを含む、凹凸を有する下地膜と、下地膜上に形成され、１０〜２５０ｎｍの範囲の膜厚を有し、主成分として酸化スズを含むノンドープのバッファ層と、バッファ層上に形成され、主成分として酸化スズを含むドープされた透明導電膜と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜のシート抵抗のバッチごとの増加を防止すること。
【解決手段】減圧した反応管３内で気相成長法により基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜製造方法であって、水分供給手段によって水分を供給しつつ、上記成膜を行うことを特徴とする。このポリシリコン膜製造方法によれば、水分供給手段によって水分を供給しているので、成膜されるポリシリコン膜のシート抵抗のバッチごとの増加を防止することができる。 （もっと読む）