【課題】
本発明の目的は、容器の着色の低減ないし容器口部周辺の内壁での着色の過多を緩和することが可能な炭素膜コーティングプラスチック容器の製造方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置を提供することである。さらに着色の少ない容器を提供することである。
【解決手段】
本発明に係る炭素膜コーティングプラスチック容器の製造方法は、プラスチック容器の内部に炭化水素系の原料ガスを供給し、この原料ガスをプラズマ化してプラスチック容器の内表面に炭素膜を成膜して炭素膜コーティングプラスチック容器を得る製造方法であり、原料ガスとして、水素ガス、珪化炭化水素ガス又は珪化水素ガスの少なくともいずれか一種が炭化水素ガスに添加された混合ガスを使用し、この混合ガスをプラスチック容器の内部にて吹き出させる。本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、添加ガス系統を有している。 （もっと読む）

【課題】 耐面圧性を含め密着性の高い硬質炭素膜を実現する。
【解決手段】 基材１０上に、当該基材１０と相性の良い中間層としての金属膜１２が、スパッタリング処理によって形成される。そして、この中間層１２上に、シリコンを含有する高濃度シリコン含有硬質炭素膜（高濃度層）１４が、プラズマＣＶＤ処理によって形成される。さらに、この高濃度層１４上に、当該高濃度層１４よりも少なめのシリコンを含有する低濃度シリコン含有硬質炭素膜（低濃度層と言う）１６が、同プラズマＣＶＤ処理により形成される。そして、高濃度層１４および低濃度層１６が、一連の硬質炭素膜１８を成す。このように硬質炭素膜１８に含まれるシリコンの量が基材１０から遠くなるに連れて減少することで、当該硬質炭素膜１８の耐面圧性を含めた密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド被膜の耐酸化性や潤滑性を向上させる。
【解決手段】 ボロンドープダイヤモンド被膜２０にはボロンが０．５〜１．０原子％の割合でドーピングされているため、そのダイヤモンド被膜２０の表面には、酸化を受けた時にボロンの酸化物（例えばＢ₂ Ｏ₃ ）の層が形成され、その酸化物の層により被膜内部への酸化の進行が抑制されて、被膜２０の耐酸化性が向上するとともに、摩擦係数が小さくなって潤滑性が向上する。特に、本実施例のダイヤモンド被膜２０は結晶粒径が１μｍ以下の微結晶であるため、通常のダイヤモンド被膜に比較して表面が平滑であり、その表面にボロンの酸化物の層が形成されることにより、摩擦係数が一層小さくなって優れた潤滑性が得られる。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド被膜の耐酸化性や潤滑性を向上させる。
【解決手段】 ボロンドープダイヤモンド被膜２０にはボロンが０．５〜１．０原子％の割合でドーピングされているため、そのダイヤモンド被膜２０の表面には、酸化を受けた時にボロンの酸化物（例えばＢ₂ Ｏ₃ ）の層が形成され、その酸化物の層により被膜内部への酸化の進行が抑制されて、被膜２０の耐酸化性が向上するとともに、摩擦係数が小さくなって潤滑性が向上する。これにより、鉄系の材料を含む複合材料の切削加工や、切削点が高温になるチタン合金等の耐熱合金に対する切削加工などにおいても、酸化による被膜２０の早期摩耗や剥離が抑制されて優れた耐久性が得られるようになる。また、潤滑性が良くなることから、摩擦による発熱が抑制され、この点でも被膜２０の耐久性が向上するとともに、被削材の加工面品質が向上する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の構成の複雑化等を招くことなく、Ｓｉがドナーとして作用することによるキャリアの蓄積を防止することができるようにする。
【解決手段】 基板の表面または下地膜の表面にエピタキシャル層を形成する場合、基板の表面または下地膜の表面に存在するＳｉまたはＳｉ化合物を、クリーニング用のガスとしてＡｓの水素化ガスを用いたサーマルクリーニング処理によって除去する。 （もっと読む）

【課題】湿潤条件下での荒フライス切削加工のためにも特に有用である被覆超硬合金切削工具インサートを提供する。
【解決手段】被覆フライス切削加工インサートは、好ましくはかなり高速の切削速度における湿潤条件下での鋳肌のあるまたは鋳肌のない高合金ねずみ鋳鉄のフライス切削加工と、中速の切削速度における湿潤条件下での鋳肌のあるまたは鋳肌のない球状鋳鉄及びコンパクト黒鉛鋳鉄のフライス切削加工と、に特に有用である。このインサートは、低含量の立方晶炭化物と高Ｗ合金結合相とを有するＷＣ−Ｃｏ超硬合金と、柱状結晶粒を有するＴｉＣ_ｘＹ_ｙ内側層とκ−Ａｌ₂Ｏ₃層とＴｉＮ最上層とを含む被覆とする。 （もっと読む）

【課題】有機金属化学蒸着法により高い平坦性で膜を形成することができる有機ニッケル化合物の提供。
【解決手段】本発明の有機ニッケル化合物は、Ｎｉ（Ｒ¹Ｒ²Ｎ）₂で表される有機ニッケル化合物である。但し、式中のＲ¹及びＲ²は水素又は炭素数が１〜４の直鎖若しくは分岐状アルキル基をそれぞれ示し、Ｒ¹とＲ²は互いに同一又は異なっていてもよい。また、本発明のニッケル含有膜の製造方法は、上記有機ニッケル化合物を用いてＭＯＣＶＤ法によりニッケル含有膜を作製することを特徴とする。 （もっと読む）

基体上にダイヤモンド被覆表面を形成する方法。基体の表面を、電子ビームのようなパワー・ビームに露出して表面積及び表面粗さを増大することにより調製する。そのような調製は、ダイヤモンド層を上に接着し、機械的に固定することができる三次元的特殊構造体を表面に与えることもできる。調製した表面に適用されたダイヤモンド層の接着性は増大している。 （もっと読む）

【課題】付着した液体燃料を速やかに蒸発させつつ、デポジットの弾き性、言い換えれば、付着した液体燃料を速やかに蒸発させてデポジットの付着を防止し得る内燃機関用部材、これを用いたピストン、バルブ及び燃料噴射弁、並びに内燃機関用部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素被膜を備えた基材より構成され、炭素被膜がフッ素を含み膜厚が１０μｍ以下の内燃機関用部材である。基材と炭素被膜との間に炭素やケイ素を含む中間層を有する。
内燃機関用部材を用い、冠面に炭素被膜を被覆したピストンである。内燃機関用部材を用い、軸部、傘部及び燃焼室側の面などに炭素被膜を被覆したバルブである。内燃機関用部材を用い、噴射孔に炭素被膜を被覆した燃料噴射弁である。
炭素被膜を気相成膜法により被覆して内燃機関用部材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 フイルム上への連続的に表面処理を行う表面処理装置において、表面処理室間の圧力差に影響を受けることなく、不純物ガスの拡散、混入を防止することが可能であり、また、装置の小型化が可能な表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 チャンバ内に有するロール室及び表面処理室は、シールローラーと、これらに対して非接触で近接配置されたシール機構部とによって仕切られ、シールローラーとシール機構部との間に開口部を有し、シール機構部は、開口部にガスを供給するガス供給部と、開口部からガスを排気するガス排気部とを有する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜に代表される薄膜をガラス板上の一部に選択的に堆積させる新たな方法を提供する。
【解決手段】ガラス板１上の所定領域に形成された成長起点３のみから薄膜が成長を開始するように成分を調整した原料ガスを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）法により、薄膜（例えば酸化錫膜等の透明導電膜）を上記所定領域に選択的に成長させる。成長起点３は微粒子であってもよい。 （もっと読む）

【課題】プレーナドープＨＥＭＴのシートキャリア濃度の面内バラツキを抑えることができる気相成長方法を提供すること。
【解決手段】半導体結晶を成長させる基板３をサセプタ１に保持し、該基板３をサセプタ１に対して自転させ、サセプタ１を加熱し、加熱された基板３上に原料ガス及び希釈用ガスを供給して、プレーナドープ層を有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶を成長する気相成長方法において、成長中断を行い不純物単原子をドーピングするプレーナドープ層の成長時間を、基板３が自転で１回転する時間ｔの整数倍とする。 （もっと読む）

【課題】 水分含有量が６０×１０^−９体積比以下のＣ₅Ｆ₈ガスを用いて、フッ素添加カーボン膜を成膜することにより、熱的安定性に優れたフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】 Ｃ₅Ｆ₈ガスの供給源１と、ウエハＷに対してＣ₅Ｆ₈ガスをプラズマ化させてフッ素添加カーボン膜を成膜する成膜処理部３との間に、親水性又は還元作用のある表層を備えた物質を充填した精製器２を設け、Ｃ₅Ｆ₈ガスを精製器２に通気させることにより、Ｃ₅Ｆ₈ガスの水分を除去し、例えば水分含有量が２０×１０^−９体積比程度のＣ₅Ｆ₈ガスを成膜処理部３に導入し、フッ素添加カーボン膜を成膜する。このようすると、成膜されたフッ素添加カーボン膜に取り込まれる水分量が極めて少なくなり、後の加熱工程にて膜中の水分に起因するフッ素の脱離が発生しにくくなり、膜の熱的安定性が高められる。 （もっと読む）

【課題】高い表面平滑性及び導電性を有するダイヤモンド膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、３×１０^１８ｃｍ^−３以上の窒素を含むことを特徴とする。このダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び０．５％以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたＣＶＤ法により製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】インナチューブの外周面に異物が付着するのを防止する。
【解決手段】処理室４を形成したインナチューブ２と、インナチューブ２を取り囲むアウタチューブ３と、アウタチューブ３の内部を加熱するヒータユニット２０と、複数枚のウエハ１０を保持して処理室４に搬入するボート１１と、処理室４に原料ガス３０を導入するガス導入ノズル２２と、インナチューブ２の筒壁に開設されて処理室４を排気する排気スリット２５とを備えたＣＶＤ装置において、インナチューブ２とアウタチューブ３との隙間５には窒素ガス３１を周方向に噴出する窒素ガス供給ノズル２６が垂直に敷設されている。
【効果】隙間に窒素ガスを充満させることで排気スリットから隙間に排気された処理ガスの隙間での拡散を阻止できるので、異物がインナチューブの外周面に堆積するのを防止でき、堆積に伴うパーティクルの発生を未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 母材上に導電性ダイヤモンド層を被覆した導電性ダイヤモンド被覆基板において、母材基板からのダイヤモンド膜の剥離等を確実に防ぎ、耐久性に優れた導電性ダイヤモンド被覆基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 母材上に導電性ダイヤモンドの層を被覆した基板であって、母材が多孔質であることを特徴とする導電性ダイヤモンド被覆基板。前記母材としては、酸化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化珪素の中から選択される少なくとも１つ以上を含む絶縁性セラミックが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
エピタキシャル成長速度が高められ、プリヒートリングとサセプタとの隙間からのガス漏れに起因したオートドープの抑制効果の低下を防ぎ、これによりエピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、反応ガスの使用量が低減し、下側ドームも曇り難いエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】
プリヒートリング６０とサセプタ２０との隙間ａをカバー部６１により覆うように構成したので、隙間ａからのガス漏れを防げる。その結果、シリコンウェーハＷの表面へのエピタキシャル成長速度が高まり、このガス漏れによるオートドープの抑制効果の低下を防げる。これにより、エピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、しかも反応ガスの使用量が低減し、下側ドーム４の曇りも抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ポリシリコン膜の界面特性を改善させることが可能な半導体素子のポリシリコン膜形成方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体基板を蒸着チャンバーの内部にロードさせた後、前記蒸着チャンバーの内部にＳｉＨ_４またはＳｉ_２Ｈ_６ガスを１５０ｓｃｃｍ以上、且つ２５０ｓｃｃｍ以下程度の流量でフローさせ、前記半導体基板上にアンドープトポリシリコン膜を蒸着する段階を含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板や炭化珪素基板などの窒化物半導体とは格子不整合な材料からなる基板の上に、再現性よく品質の高い窒化物半導体の結晶層が形成できるようにする。
【解決手段】まず、サファイア基板１０１の上に、例えばスパッタ法により、Ａｌ₂Ｏ₃層１０２、ＡｌＯ_xＮ_y層１０３、ＡｌＮ層１０４が形成された状態とする。この後、ＡｌＮ層１０４の上に、亜鉛がドープ（２×１０¹⁸ｃｍ^-3）されたｐ形のＧａＮ（結晶）からなるバッファ層１０５が形成された状態とする。例えば、有機金属気相成長法によりバッファ層１０５が形成できる。 （もっと読む）

【課題】ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積を提供する。
【解決手段】処理システムの低圧堆積プロセスによってシリコン含有膜と基板を堆積するための方法を提供する。シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。この方法は、基板のシリコン表面上にエピタキシャルシリコン含有膜を選択的に堆積するか、基板上にシリコン含有膜を非選択的に堆積するかすることができる。ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。 （もっと読む）