【課題】単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いたエピタキシャル層を有する薄膜半導体基板を、割れを少なく低コストで製造することができる薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜半導体基板の製造方法であって、半導体基板の面内の少なくとも１部にはイオン注入層を形成させないようにして水素イオン又は希ガスイオンの少なくとも一方をイオン注入する工程と、前記半導体基板のイオン注入された側の面上にエピタキシャル層を形成させる工程と、前記半導体基板から前記エピタキシャル層を形成された薄膜を分離させる工程とを行うことを特徴とする薄膜半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

膜の選択的なエピタキシャル形成のための方法および装置であって、ＣＶＤチャンバ（３００）へ、反応種（１０、２０）を別々に注入する。本方法は特に、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の揮発性の組合せを用いた選択成長に有用である。形成プロセスは、選択成長のための前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の同時供給、または、周期的なブランケット堆積および選択的なエッチングの連続的な供給を含む。いずれに場合にも、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）は、より制限された上流の場所よりもむしろ、比較的開いた反応スペース（３４０）において交差する別々の流路に沿って提供される。 （もっと読む）

【課題】気相成長膜を積層形成する所要時間を短縮し、効率的に気相成長法による積層形成の半導体素子を製造することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハＷが挿入されるチャンバ２と、前記チャンバ２内に原料ガス、キャリアガスもしくはドーパントガスのうち少なくともいずれかを導入するガス導入手段３と、前記ガス導入手段３により前記ウェーハＷ上に気相成長膜を形成する気相成長膜形成手段１と、前記チャンバ２内をキャリアガスでパージするパージ手段３と、前記ウェーハＷを所定の回転速度で回転させる回転駆動手段６と、前記ウェーハＷを加熱する加熱手段８と、を備え、前記回転駆動手段６は、前記気相成長膜形成手段１における第一の回転速度が、前記パージ手段における第二の回転速度より速い回転速度に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、気相成長法により下地基板上に、四塩化珪素（ＳｉＣｌ₄）ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶が成長される（ステップＳ２）。この第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長速度が２００（μｍ／ｈ）以上２０００（μｍ／ｈ）以下である。 （もっと読む）

【課題】鉄が添加されており半絶縁性のＧａＮ基板のための窒化ガリウムを形成する方法を提供する。
【解決手段】有機金属塩化水素気相装置１１のサセプタ上に、（０００１）面を有するサファイア基板といった基板１を配置する。次いで、フェロセンといった鉄化合物のソース１３からの鉄化合物ガスＧ_Ｆｅと塩化水素ソース１５からの塩化水素ガスＧ１_ＨＣｌを混合器１６において反応させて、塩化鉄（ＦｅＣｌ_２）といった鉄含有反応物のガスＧ_{ＦｅＣｏｍｐ}を生成する。この生成と共に、鉄含有反応物Ｇ_{ＦｅＣｏｍｐ}、窒素ソース１７からの窒素元素を含む第１の物質のガスＧ_Ｎおよびガリウム元素を含む第２の物質のガスＧ_Ｇａを反応管２１に供給して、鉄が添加された窒化ガリウム２３を基板１上に形成する。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物のＩＩＩ族原料とヒドラジン誘導体を含むＶ族原料とを用いた低抵抗なｐ型窒化物系半導体層を含む窒化物系半導体積層構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族原料としてのＴＭＧａと、Ｖ族原料としてのヒドラジン誘導体と、ｐ型不純物原料とを用いてＧａＮ基板１２上にｐ型ＧａＮ層１４を成長させる工程を有するＧａＮ積層構造１０の製造方法であって、この工程において、水素化合物としてのアンモニアガスを同時に添加することにより半導体層中にＣとＨの取り込みを実質的に防止し、低抵抗なｐ型層を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、第１、第２、および第３ガス材料を含む複数のガス材料を提供することを含む、基板上への薄膜堆積を含んで成るトランジスタに使用するための亜鉛−酸化物系薄膜半導体を製造する方法に関し、第１ガス材料は、亜鉛含有揮発性材料であり、第２ガス材料は、第１又は第２のガス材料が基板の表面にある場合に、第１又は第２のガス材料のもう一方が反応して基板上に材料の層を堆積するように、第１材料との反応性を有しており、第３ガス材料は、不活性であり、そして揮発性インジウム含有化合物が、該第１反応性ガス材料又は補足ガス材料中に導入される。
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【課題】フィルム基板の温度を、基板の温度計測値に基づき目標値に制御する温度制御手段を備えることにより、輻射以外の光を熱と除外して正確な温度制御を可能とする薄膜太陽電池の基板加熱装置を提供することにある。
【解決手段】フィルム状の基板１０上に、少なくとも電極膜及び１つまたは複数の光電変換ユニットをプラズマＣＶＤにより形成してなる薄膜太陽電池において、光電変換ユニットをプラズマＣＶＤにより形成する際に、フィルム状の基板１０を加熱する赤外線ヒータ９と、加熱された基板１０の温度を計測する放射熱温度計１１と、放射熱温度計１１による基板１０の温度計測値に基づき基板１０の温度を目標値に制御する温度制御器１３とを備えている。 （もっと読む）

薄膜製造方法が提供される。基板チャンバ内に提供される。チャンバ内に第１反応ガス及び第２反応ガスが供給される。第１反応ガスが解離されて結晶性ナノ粒子を形成する。第２反応ガスを利用して基板上に非結晶性物質の形成が抑制される。そして、基板上に提供された結晶性ナノ粒子から結晶性薄膜を形成する。
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【課題】薄膜トランジスタの工程を複雑化させることなく、量産性が可能な表示装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】水素化珪素またはハロゲン化珪素を原料ガスとし、周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて微結晶半導体膜を成膜し、当該微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタに接続する表示素子を形成する。周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波を用いたプラズマは電子密度が高く、原料ガスである水素化珪素またはハロゲン化珪素の解離が容易となるため、表示装置の量産性を高めることが可能である。 （もっと読む）

【課題】フッ化物イオンを含有する溶融塩電解浴を用いてフッ素含有物質を電解合成するために使用する導電性ダイヤモンド電極構造体、及び、導電性ダイヤモンド電極構造体を用いてフッ素含有物質を合成する電解合成方法を提供する。
【解決手段】フッ化物イオンを含有する溶融塩電解浴を用いてフッ素含有物質を電解合成するために使用する導電性ダイヤモンド電極構造体であって、導電性電極給電体８と導電性基体の表面に導電性ダイヤモンド皮膜を坦持した導電性ダイヤモンド触媒担持体９とよりなり、導電性電極給電体８の前記電解浴に浸漬する部分に導電性ダイヤモンド触媒担持体９を着脱自在に取り付けたことを特徴とする導電性ダイヤモンド電極構造体、及び、該導電性ダイヤモンド電極構造体を陽極として用いるフッ素含有物質の電解合成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を低温度で結晶成長させる方法
【解決手段】有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】所望のバンドギャップエネルギーを容易に実現できるアモルファスカーボン膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】所定のバンドギャップエネルギーを有するアモルファスカーボン膜を製造するための方法であって、アモルファスカーボン膜を成長させるための原料ガスＧに、パルス状のマイクロ波Ｗを所定のバンドギャップエネルギーに対応するデューティ比で断続的に照射して該原料ガスＧのプラズマＰを生成し、基材Ｂ上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性ダイヤモンド膜の被覆手段としてプラズマＣＶＤ法を適用した導電性ダイヤモンド被覆網状電極、その製造方法などを提供する。
【解決手段】高融点金属で形成された網状基材に導電性ダイヤモンド膜をプラズマＣＶＤ法により被覆する網状電極の製造方法である。真空容器２１内に網状基材１を載置した載置台１１を設け、前記載置台１１に載置された網状基材１の外周を取り囲むように高融点金属で形成された外枠１２を前記載置台１１の外周部に設ける。そして前記真空容器２１内に炭素源を含む原料ガスを供給し、前記載置台１１および外枠１２を包み込むようにプラズマを形成して前記網状基材１に導電性ダイヤモンド膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】加熱されるウェハ面内の温度分布の均一性を向上させ、結晶膜を均一に生成させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、チャンバ１０１内に収容されるウェハ１０２が載置されるサセプタ１０３を有するホルダ１０４と、ホルダ１０４内に設けられ、ウェハ１０２を裏面から加熱するインヒータ１０５及びアウトヒータ１０６と、インヒータ１０５に対向して設けられた冷却ガスを噴射する送気管１０７と、チャンバ１０１外に設けられた、ウェハ１０２の表面温度を計測する温度計測部１０８とが備えられることを特徴とする。これにより、ウェハ１０２上に生じる、温度分布の誤差部分である温度の特異点の位置を把握することができる。そして、温度の特異点を局所的に冷却することでウェハ１０２面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
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【課題】特殊な表面加工設備を用いることなく、優れた密着性を得ることができるダイヤモンド薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基材１にダイヤモンド薄膜２が被覆されたダイヤモンド薄膜素子である。前記基材１は、線膨張係数が１２×１０^-6／Ｋ以下の低熱膨張材で形成され、長さ方向に沿って任意の垂直な横断面の外周が凸状の曲線となる側面（円錐面）部を有し、前記側面部の横断面の周長ｐが９００μm 以下とされる。前記側面部に被覆されたダイヤモンド薄膜の膜厚をｔとするとき、ｔ／ｐが１．０×１０^-4以上、７．０×１０^-3以下とされる。 （もっと読む）

基板を真空中で処理するためのインライン真空処理装置は、少なくとも１つのロードロックチャンバ（１０）と、本質的に同じセットの被覆パラメータで操作される少なくとも２つの後続蒸着チャンバ（４−７）と、少なくとも１つのアンロードロックチャンバ（１０）と、加えて、さまざまなチャンバを通しておよびさまざまなチャンバ内で、基板を移送し、後処理し、および／または取扱うための手段とを含む。そのような処理システムにおいて基板上に薄膜を蒸着する方法は、第１の基板をロードロックチャンバ内に導入するステップと、上記チャンバ内の圧力を下げるステップと、基板を第１の蒸着チャンバ内に移送するステップと、第１の材料の層を被覆パラメータの第１のセットを用いて上記第１の基板上に蒸着するステップと、上記第１の基板を上記インラインシステムの第２の後続蒸着チャンバ内に真空を破壊することなく移送するステップと、上記第１の材料のもう１つの層を実質的に同じセットのパラメータを用いて上記第１の基板上に蒸着するステップとを含む。ステップｆ）と同時に、第２の基板がステップｄ）に従って上記インライン真空システムにおいて処理されている。
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【課題】低温で簡単な工程で製造された優秀な特性を有する低価のｐ型ＺｎＯ半導体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のｐ型ＺｎＯ半導体膜の製造方法は、基板を準備し、チャンバー内に配置する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と酸素前駆体を注入し、原子層蒸着法を利用した亜鉛前駆体と酸素前駆体間の表面化学反応を通じて基板上にＺｎＯ薄膜を形成する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と窒素前駆体を注入し、亜鉛前駆体と窒素前駆体間の表面化学反応を用いてＺｎＯ薄膜上にドーピング層を形成する段階とを含む。半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Ｓｉ、ＳＵＳなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なｐ型の薄膜トランジスタを形成することができ、ＰＮ接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用したＬＥＤなどの光電素子を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜の各部に要求される動きに応じた特性をそれぞれ持たせることにより、低電圧でも、圧電体薄膜の機能を十分に発揮することのできる圧電体薄膜素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】膜厚方向の所定位置より上部電極側４３２における膜厚方向の電気抵抗率ｒ₂に対し、前記所定位置より下部電極側４３１における膜厚方向の電気抵抗率ｒ₁の方を、高くする。また、膜厚方向の所定位置より上部電極側４３２の誘電率ε₂に対し、前記所定位置より下部電極側４３１の誘電率ε₁の方を、低くする。 （もっと読む）

【課題】 シリコンを含有するエピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】 特定の実施形態は、半導体デバイス、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスにおけるエピタキシャル層の形成と処理に関する。特定の実施形態において、エピタキシャル層の形成は、プロセスチャンバ内の基板をシランや高次シランのような二つ以上のシリコン源を含む堆積ガスにさらすことを含んでいる。実施形態は、エピタキシャル層の形成中にリンドーパントのようなドーパント源を流すステップと、リンドーパントを含まずにシリコン源ガスによる堆積を続けるステップとを含む。 （もっと読む）