【課題】キャパシタの強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜が水素バリア膜から発生する水素によって劣化することを確実に防止できるようにする半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１１の上に形成された強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜１８を有するキャパシタ２０と、キャパシタ２０の下側に形成された第１の水素バリア膜１５とを有している。第１の水素バリア膜１５は、フッ素を含む窒化シリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面が平坦な単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板及びその表面上に平坦な堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板を得ることを課題とする。
【解決手段】表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板あるいは基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、例えば、電子感知器、高出力電子機器等の分野や装飾用途（例えば、磨製ジェムストーン）等に使用することができる、ホウ素濃度が均一に分布しているダイヤモンドを提供することである。
【解決手段】本発明は、ＣＶＤにより製造され、ホウ素濃度が均一になっている単結晶ホウ素ドーピングされたダイヤモンド層で、この層は、単一の成長部分から形成されているか；又は、１００μｍを超える厚さを有しているか；又は、１ｍｍ^３を超える体積を有しているか；又は、そのような特徴の組み合せを有するものである。 （もっと読む）

【課題】貫通転位が少なく、平坦性の高いIII 族窒化物半導体結晶を製造すること。
【解決手段】サファイア基板１０の凹凸が設けられている側の表面に、バッファ層を介して、ＳｉをドープしたＧａＮ層１１をＭＯＣＶＤ法によって形成した（図１（ａ））。ＧａＮ層１１のＳｉ濃度は１×１０¹⁸〜１×１０²⁰／ｃｍ³ とし、厚さは１μｍとした。次に、ＧａＮ層１１上に、ＭｇがドープされたＧａＮ層１２をＭＯＣＶＤ法によって形成した（図１（ｂ））。このＧａＮ層１２の形成において、温度、圧力等の成長条件については変更せず、ＧａＮ層１１形成時と同様の成長条件とした。また、Ｍｇ濃度は１×１０¹⁷〜１×１０²⁰／ｃｍ³ となるようにした。以上のようにして形成したＧａＮ層１２は、貫通転位の密度が低く、表面平坦性が高い良質な結晶である。 （もっと読む）

【課題】基板に対する悪影響を抑制でき、かつ、十分にプラズマを閉じ込めることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】高周波電圧が印加される一対の電極５４、５６間にプラズマ化されるガスが供給されると共に、一方の電極５４の表面に沿って基板２が配置される。電極５４、５６間から排出されるガスの流路にプラズマ閉込部６５を備え、プラズマ閉込部６５は、表面にＳ極５８Ｓ及びＮ極５８Ｎがガスの流れＡと交差する方向に一列に交互に配置された磁石部６０を一対有し、一対の磁石部６０はＳ極５８ＳとＮ極５８Ｎとが互いに対向し、かつ、一対の磁石部６０間にガスが流れるように対向配置されている。プラズマ閉込部６５は、さらに、一方の磁石部６０のＳ極５８Ｓ及びＮ極５８Ｎの境界部と、他方の磁石部６０のＳ極５８Ｓ及びＮ極５８Ｎの境界部との間に、ガスの流通を妨げるブロック５９を有する。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。
【解決手段】単層構造の層間絶縁膜である第３の絶縁膜１０７は複数の空孔１２０を有している。第３の絶縁膜１０７における単位体積当たりの空孔占有率は膜厚方向に変化している。 （もっと読む）

【課題】大面積の機能性堆積膜を均一に安定して形成することが可能な堆積膜形成装置を提供する。特に、帯電特性の優れた高品質な電子写真感光体を安価に生産性よく製造する堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】高周波電極が側壁を兼ねた反応容器１０１の中に、原料ガスと放電エネルギーを印加して、基体の表面に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置１００において、排気系に接続された排気部１０９が、反応容器１０１の側壁の一部に設けられ、排気部１０９が基体から死角となるように高周波電極と同電位の衝立部材１１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 安定した表面を有するIII族窒化物基板を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係るIII族窒化物基板は、表面層を有している。当該表面層は、３ａｔ．％の〜２５ａｔ．％の炭素を含み、且つ、５×１０^１０原子／ｃｍ^２〜２００×１０^１０原子／ｃｍ^２のｐ型金属元素を含んでいる。このIII族窒化物基板は、安定した表面を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工において、優れた耐熱塑性変形性、層間密着強度を示す表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】下部層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）下部層は、Ｔｉの炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化物および炭窒酸化物のいずれか１種又は２種以上からなるＴｉ化合物層、（ｂ）上部層は、Ｙ（イットリウム）を０．１〜２原子％含有するとともに、該上部層についてＸ線回折を行ったときにＹ_２Ｏ_３の（８４０）面からの回折強度Ｉ（８４０）の値が最大回折強度を示し、かつ、他のＹ_２Ｏ_３の結晶面で２番目に大きい回折強度Ｉsecとの比の値Ｉ（８４０）／Ｉsecが１．５以上であるＹ_２Ｏ_３分散Ａｌ_２Ｏ_３層、で構成する。 （もっと読む）

【課題】内蔵電界などの生成を抑制すべくｃ軸以外の方位、例えば反転対称性を有する結晶方位などへ配向した、Al_xGa_1-x-yIn_yN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】ｃ軸より８°以上傾斜した方位に配向させ、AlxGa1-x-yInyN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含み、かつＢを１原子％未満で含有させる。 （もっと読む）

【課題】 難削材の高速断続切削で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）Ｃｒ／（Ａｌ＋Ｃｒ）の値（原子比）が０．００１〜０．１であるＡｌとＣｒの複合酸化物層と、改質α型酸化アルミニウム層の積層構造からなる上部層を形成し、さらに、上記ＡｌとＣｒの複合酸化物層と上記改質α型酸化アルミニウム層は、各層を構成する結晶粒について、隣接する結晶粒相互の界面における（０００１）面の法線同士および｛１０−１０｝面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の、それぞれ３５％以上および４５％以上を占める結晶粒界面配列を示す。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ汎用性のある方法で、微結晶シリコン層からなる光電変換層の表面に凹凸を設けることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、基板５０上に第１導電型（例えばｎ型）微結晶シリコン層を形成する工程と、第１導電型微結晶シリコン層上にｉ型微結晶シリコン層を形成する工程と、ｉ型微結晶シリコン層を水素プラズマで処理する工程と、ｉ型微結晶シリコン層上に第２導電型（例えばｐ型）微結晶シリコン層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｓＮ構造を形成するための良好な窒素源を提供する。
【解決手段】窒素原子を用いてＧａＡｓを形成するためにアンモニアを用いる方法である。この方法は、ＧａＡｓ薄膜を有する反応室内にアンモニアの分解を促進する試剤と共にアンモニアを導入する操作５０８を有する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の高温領域に配置されたノズルの内壁において、Ｂ化合物の膜の形成を抑えるようにする。
【解決手段】処理室２０１内に設けられた同一のガス供給ノズル１６６に、少なくとも構成元素としてＢを含むガスと構成元素としてＣｌを含むガスとを同時供給し、ガス供給ノズル１６６内のＣｌの濃度がＢの濃度よりも高くなすように供給してＢドープシリコン膜を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送するための開口部が設けられた成膜室を有しており、かつメンテナンスコストが低い薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は真空容器１０、成膜室１００、カソード電極１２０、アノード電極１３０、及び排気部１４０を備える。成膜室１００は真空容器１０内に配置され、被処理基板２００に成膜処理を行う。また成膜室１００には、被処理基板２００を搬入及び搬送するための開口部１１２が設けられている。カソード電極１２０及びアノード電極１３０は、成膜室１００の中に配置されており、被処理基板２００を介して互いに対向している。排気部１４０は成膜室１００の中に延伸し、カソード電極１２０とアノード電極１３０の間の空間１５０を排気する。そして排気部１４０は、外面が空間１５０に面していない。 （もっと読む）

【課題】基板に製膜される膜の厚さを効果的かつ効率的に均一にすることができる製膜装置の膜厚調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コンベア７によって搬送される基板３に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズル３９を有するインジェクタ３５と、外側に形成される前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７に案内されて吹き付けられた原料ガスを基板３とインジェクタ３５との間から排気する前後一対の排気流路３７と、前後一対の排気流路３７を流れる流体間のバランスを測定する圧力差測定部５３と、圧力差測定部５３が測定したバランスが所定の範囲に収まるように前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量を調整する制御部４９と、が備えられている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量が低減された化合物半導体基板及び化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉから構成される基板１１と、基板１１上に形成され、ＡｌＮから構成される第１の半導体層１２とＧａＮから構成され鉄（Ｆｅ）がドーピングされた第２の半導体層１３とを交互に積層して形成されるバッファ層１４（積層構造体）と、バッファ層１４上に形成され、ＧａＮから構成される第１の成長層としてのチャネル層１５と、チャネル層１５上に形成され、ＡｌＧａＮから構成される第２の成長層としてのバリア層１６と、バリア層１６上に形成され、所定の開口を有する絶縁膜１８と、絶縁膜１８の開口を介してバリア層１６上に形成されるゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、を備える。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）からなる熱伝導体アレイがハウジング（９）内に提供され、前記熱伝導体（２）が第１の電極（１）と第２の電極（６）との間に延在し、熱伝導体がその一端に取り付けられたウェイト（４）によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、ウェイト（４）によって生成されるウェイトフォース（Ｇ）のベクトルが熱伝導体（２）の長手延長方向と４５°以下の角度（α）を形成するように、ウェイト（４）又は熱伝導体（２）が第２の電極（６）に案内されて電気的ループ接触が形成されることを提案する。
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【課題】 ４００℃未満の温度で誘電体上に半導体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ジボランを使用するゲルマニウム膜の低温成長をうまく実現する。最初に、ジボランガスが４００℃未満の温度で反応炉内に供給される。ジボランは、所与の温度でそれ自体が分解し、分解後のホウ素が、誘電体、例えばＳｉＯ_２の表面に析出して核形成部位および／またはシード層を形成する。次に、半導体膜を形成するためのソースガス、例えばＳｉＨ_４、ＧｅＨ_４などが反応炉に供給されて半導体膜を形成する。 （もっと読む）