【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いて、高濃度の窒素原子がドープされたｎ型半導体ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】メチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスを水素で希釈した混合ガス、又はメチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスと炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを原料ガスとして使用し、ガス圧８０Ｔｏｒｒ（１０６６４Ｐａ）以上の条件下で、マイクロ波プラズマ化学気相蒸着法を用いて、基板表面に窒素原子を１０^２０ｃｍ^−３以上含む窒素ドープダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、透明基板を用いた多結晶シリコン薄膜の製造方法及び製造装置であり、ＲＴＰ光源を、熱処理源ではなく、多結晶シリコン蒸着のためのエネルギー源として用いるものであり、その方法は、透明基板上に光吸収層を形成し、ＲＴＰ（Rapid Thermal Process）光源の照射により光吸収層を加熱しながら、光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着することを行うことで、電気的特性が良好な多結晶シリコン薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。
【解決手段】ＢまたはＦでドープすることによりｎ型ＺｎＯを、窒素でドープすることによりｐ型ＺｎＯを堆積させるＰＥＣＶＤプロセス。ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、ＴＣＯ用途に優れた光学的および電気的性質。前記プロセスは、揮発性亜鉛化合物、希釈ガスとしてのアルゴンおよび／またはヘリウム、酸化体としての二酸化炭素およびドーパントまたは反応物の混合物を利用して、所望のＺｎＯ系ＴＣＯを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するＳｉＣ単結晶とそのエピタキシャル成長方法を提供する。かかるＳｉＣエピタキシャル単結晶を用いて作製された、ウエーハと半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の面を、（０００１）面から５．７４度±１度以内または２．８６度±０．７度以内のオフ角に設定して、前記ＳｉＣの基板上にＳｉＣの結晶をエピタキシャル成長させる工程を有しているＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．５度以内または２．８６度±０．５度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．３度以内または２．８６度±０．３度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。ＳｉＣ基板が、ＳｉＣ基板上に改良レーリー法により堆積されたＳｉＣ結晶から作製されたものであるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高速搬送においても放電が安定で、機能性堆積膜を数ｎｍ／ｓｅｃ以上の高速で形成する場合でも、電気的、光学的特性に優れ、量産時の素子の歩留りが向上する堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜を形成する基板４の裏面に、表面に凹凸を有する天板２を接触させ、該天板２の表面凹凸に基板４を沿わせて凹凸形状とする堆積膜形成装置であって、該凹部又は凸部のピッチ、凹部と凸部の高低差と、基板４と平板電極３との最短距離とが特定の関係を満たすように設定する。 （もっと読む）

ドープされた窒化シリコン膜の低温堆積のための方法及び装置が開示される。改善には、低温処理のための均一な熱分配とプロセス化学薬品の均一な分配を与えるＣＶＤチャンバの機械的設計と、基板を加熱し、シリコン含有前駆物質を混合領域がアダプタリングと一つ以上のブロッカープレートによって画成された処理チャンバと排気システムへ流し、該アダプタリングと該排気システムの一部を加熱し、水素、ゲルマニウム、ホウ素、又は炭素含有前駆物質の一つ以上を該処理チャンバへ流すことによって、更に、所望により、窒素含有前駆物質を該処理チャンバへ流してもよいことによって、基板上にシリコンと窒素を含む少なくとも一つの層を堆積させる方法が含まれる。 （もっと読む）

断続的堆積処理において基板においてＳｉ含有膜を選択的に形成する方法を提供する。その方法は、成長表面及び非成長表面を備える段階と、塩素化シランガスのパルスに基板を同時に晒しながら、基板をＨＸガスに晒すことにより、成長表面においてＳｉ含有膜を選択的に形成する段階とを有する。Ｓｉ含有膜は、酸化物、窒化物又は酸窒化物非成長表面でなく、Ｓｉ又はＳｉＧｅ成長表面に選択的に形成されるＳｉ膜又はＳｉＧｅ膜である。
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連続的堆積処理でＳｉ膜を成膜する方法が供される。当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する工程、前記基板を塩素化されたシランガスに曝露することによって塩素化されたＳｉ膜を成膜する工程、及び前記塩素化されたＳｉ膜をドライエッチングすることによって前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程、を有する。Ｓｉ膜は基板上に、選択的又は非選択的に堆積されて良い。堆積は自己制限的であっても良いし、非自己制限的であっても良い。他の実施例は、連続的堆積処理でＳｉＧｅ膜を成膜する方法を供する。
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エミッタ−ベース接合を形成する方法。前記方法は、ベース層（２６）を設けるステップと、一組の処理ガスからなるガスの流れを用いて、ベース層（２６）上にドープしたモノエミッタ層（２８）を成長させるステップとを含み、ガスの流れは、ガスの流れの最初の数秒間、処理ガスにゲルマニウム（Ge）源を添加することを含む。
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ワークピース上にカーボン層を堆積させる方法であって、この方法は、上記ワークピースをリアクタチャンバ内に配置するステップと、カーボン含有プロセスガスを上記チャンバ内に導入するステップと、プラズマＲＦソース電力を再入経路の外部に結合することによって、ワークピースの上にプロセスゾーンを含む上記再入経路内で再入トロイダルＲＦプラズマ電流を生成するステップと、ＲＦプラズマバイアス電力またはバイアス電圧を上記ワークピースに結合させるステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＥ方式及び後続熱処理を用いてコンタクト物質をエピタキシャルシリコンとして形成する場合に発生する後続ＣＭＰ工程でのディッシング現象を最小化させること。
【解決手段】 接合層が形成された半導体基板の上部に層間絶縁膜を形成するステップと、前記層間絶縁膜をエッチングして前記接合層を露出させるコンタクトホールを形成するステップと、前記コンタクトホールの底面の自然酸化膜を除去するための表面洗浄ステップと、固相エピタキシー方式を用いて前記コンタクトホールを埋めるコンタクト層を形成するが、前記接合層とのコンタクト領域ではエピタキシャル層に成長させ、前記コンタクトホールの残りの領域及び前記層間絶縁膜の表面では非晶質層に成長させるステップと、前記コンタクト層の非晶質層を選択的に平坦化させ、セルランディングプラグコンタクトを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＧａＮ層とＧａＮ基板の格子不整合を解消して、発光出力が大きく、しかも寿命が長い半導体発光装置を提供することにある。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層を有する半導体発光装置において、格子定数ａ軸長が０．３１８８ｎｍ以下であるＧａＮ基板上にＡｌＧａＮ層を形成した構造とする。そのために、ＧａＮ基板にＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｂのうち少なくとも一つ以上の元素を５×１０¹⁹ｃｍ^-3以上の濃度で含有させる。これにより、ＧａＮ基板とＡｌＧａＮ層のなす格子不整合を小さくし、クラックや結晶欠陥が発生しないようにする。 （もっと読む）

【課題】高い表面平滑性及び導電性を有するダイヤモンド膜及びその製造方法を提供すること。また、電極材料としてダイヤモンド膜を用いた、高感度かつ低コストの電気化学素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、Ｘ線回折により得られる結晶面（ミラー指数）が（２２０）と（１１１）とに対応するピークの強度比、すなわち（２２０）／（１１１）が、０．４以下であるダイヤモンド膜を提供する。このダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ、炭化水素に対する窒素源ガスの流量比が０．０４以上であるＣＶＤ法により製造することができる。 （もっと読む）

例えば、半導体製造プラントの下流活性流体消費プロセスユニットに、希釈活性流体を送出するための装置および方法。送出システムには、活性流体源と、希釈用流体源と、所定のフローレートで活性流体を分配するための流体フロー計測装置と、流体フロー計測装置によってこのような所定のフローレートで分配される、活性流体源からの活性ガスを希釈用流体と混合して、希釈活性流体混合物を形成するように構成されたミキサと、希釈活性流体混合物における活性流体濃度を測定し、それに応答して流体フロー計測装置を調節し、活性流体の分配レートを制御しかつ希釈活性流体混合物における所定の活性流体濃度を維持するように構成された監視装置と、が含まれる。
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【課題】リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板が、(100)面方位ダイヤモンドであり、気相成長手段により、水素、炭化水素及びリン化合物を気相中に存在させ、気相中の炭素原子に対するリン原子の比が0.1%以上であり、水素原子に対する炭素原子の比が0.05%以上である条件で(100)面方位ダイヤモンドを基板上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】比較的高いレベルの第ＩＩＩ族／第Ｖ族ドーパントを含有するＳｉ含有膜の製造方法は、トリシランおよびドーパント前駆体を使用しての化学蒸着を包含する。少なくとも約３×１０^２０原子ｃｍ^−３の電気的に活性なドーパントを含有する結晶性ケイ素膜を含む、非常に高いレベルの置換型組み込みが、得られ得る。置換的にドープされたＳｉ含有膜は、堆積の間にエッチャントガスを導入することによって、混合基板の結晶性表面上へ選択的に堆積され得る。 （もっと読む）

【課題】発光素子や電子デバイスの基板として用いることができ危険な原料を使うＳｉをドーパントとすることなくｎ型の自立したＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】原料ガスを精製し水や酸素を充分に除去してから所望の量の水あるいは酸素を、原料ガスの、ＨＣｌ、ＮＨ_３あるいは水素ガスに含ませて、塩化物気相成長法（ＨＶＰＥ法）あるいは有機金属塩化物気相成長法（ＭＯＣ法）でＧａＡｓ基板の上にＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＡｓ基板を除去し自立膜を得ることにより、酸素濃度に比例したｎ型キャリアをもつｎ型ＧａＮ基板を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】乾燥条件下での荒フライス削りのために特に有用である被覆超硬合金切削工具インサートを提供する。
【解決手段】好ましくはかなり高速の切削速度における乾燥条件下での鋳肌のあるまたは鋳肌のないねずみ鋳鉄のフライス切削加工と、かなり高速の切削速度における乾燥条件下での鋳肌のあるまたは鋳肌のないノジュラー鋳鉄とコンパクト黒鉛鋳鉄とのフライス切削加工と、に特に有用である被覆フライス切削加工インサートを開示する。このインサートは、低含量の立方晶カーバイドと高Ｗ合金結合相とを含むＷＣ−Ｃｏ超硬合金と、柱状結晶粒を有するＴｉＣ_ｘＮ_ｙ内側層と湿式ブラストされたα−Ａｌ₂Ｏ₃層とを含む被覆とを特徴とする。 （もっと読む）

目的 ホウ素の添加量を多くすることによって十分に抵抗が低いダイヤモンド電極を得ることができ、かつダイヤモンド膜と基板との密着性、電解時の耐剥離性を十分に高めることにより、高性能・高耐久電極の製造方法を提供することを目的としている。構成 本発明の基板および該基板に被覆したダイヤモンド層からなる構造の電極は、基材及び該基材がダイヤモンドで被覆された電極において、該ダイヤモンドがホウ素を含み、該ホウ素の濃度が１００００ｐｐｍ以上、１０００００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。また 前記基材が、絶縁体によって形成されていることが好ましい。
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【課題】 ５００℃程度以下の低温基板温度で低抵抗率を有する結晶性SiC膜を効率的に作製しうる方法を提供する。
【解決手段】 基板上に結晶性SiC膜を堆積させるに際して、基板温度を５００℃以下、好ましくは３００℃以下、として、好適にはシラザン類を用いて窒素をドーピングする。堆積は好適にはCVD法、そしてさらに好適には触媒CVD法による。シラザン類としては、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサエチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、もしくはジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。 （もっと読む）