【課題】ＣＭＯＳトランジスタのソース−ドレイン置換技術に関し、装置一式を利用して基板材料に窪みをエッチングして、その後、応力を有する異なる材料を堆積することに関し、大気に曝すことなく、エッチングとその後の堆積とを行う方法の提供。
【解決手段】エッチングおよびデポジションによりＣＭＯＳトランジスタの接合領域を形成する方法であって、
第１接合領域２７０を形成すべくゲート電極１９０の隣の基板１２０の第１箇所と、前記基板１２０に第２接合領域２８０を形成すべく前記ゲート電極１９０を介して前記第１箇所とは反対側に位置する前記基板１２０の第２箇所とを除去する工程と、前記第１接合領域２７０と前記第２接合領域２８０とに結晶質材料のエピタキシャル厚みを有する層を形成する工程とを含み、前記除去する工程と前記形成する工程は同一のチャンバ内で前記チャンバの封止を破ることなく行う。 （もっと読む）

【課題】極めて電気抵抗の低いホウ素ドープ導電性ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法及び金属基板上に薄膜を一体構成した電極材料を提供する。
【解決手段】炭素源として炭化水素を、ホウ素源として有機ホウ素化合物を用い、反応調整ガスとしてアルゴンガスを混在させ、高周波プラズマＣＶＤにより基板上にホウ素ドープダイヤモンドライクカーボンを形成させる。 （もっと読む）

【課題】 基板表面や対向面の状態によらず、形成するシリコン膜の表面の平坦性を向上させる。
【解決手段】 基板が収容される処理室と、処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、処理室内に少なくともホウ素含有ガスを供給するホウ素含有ガス供給系と、基板が収容された処理室内にホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給させ、基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質させた後、シリコン含有ガス供給系からシリコン含有ガスを供給させると共に、ホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給させ、改質された基板の表面上にシリコン膜を形成するよう制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、反応室の前記排気口上に、ウェーハ支持部材の水平位置より下方から酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜種を効率よく生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができるプラズマ処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を収納して被処理体３上に薄膜を成膜する反応チャンバー１と、反応チャンバー１内に配置され、被処理体３を保持するステージ４と、反応チャンバー１内に第１のガスを供給する第１のガス供給部１０と、反応チャンバー１内に第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２のガス供給部１４と、反応チャンバー１内に高周波放電を発生させる高周波プラズマ源７とを備えるプラズマ処理装置を用い、反応チャンバー１内において、高周波放電によってプラズマ化された第１のガスと、プラズマ化が抑制された第２のガスとを接触させて分解反応を起こさせ、該分解反応に基づいて、ステージ４に保持された被処理体３上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ドーパント濃度の制御性に優れ、高品質なｐ型ＺｎＯ系結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、分子構造中に酸素原子を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用いてＺｎＯ系結晶層を成長する単結晶成長工程を有し、上記単結晶成長工程は、ＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）を供給する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極３と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口４ａが形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極４とを備え、第２電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置１を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 （もっと読む）

【課題】新規な中間層を基材とＤＬＣ膜との間に形成し、これにより、基材に対するＤＬＣ膜の密着力が高い被覆部材を提供すること。
【解決手段】ＤＬＣ被覆部材１００は、基材２００と、基材２００の表面を覆う中間層３００と、中間層３００の表面を覆うＤＬＣ膜４００とを含む。中間層３００は、第１中間層３０１と、第２中間層３０２と、第３中間層３０３と、第４中間層３０４と、第５中間層３０５とを備え、５層構造を有している。５層の層３０１〜３０５は、いずれもＳｉが添加されたＤＬＣからなる。層３０１〜３０５の中では、第１中間層３０１のＳｉ濃度が最も高く、次いで第５中間層３０５のＳｉ濃度が高い。また、第２、第３および第４中間層３０２，３０３，３０４のＳｉ濃度は、第１および第５中間層３０１，３０５のＳｉ濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層に導電性を持たせつつもバッファ層上に形成されるデバイス層において良好な結晶性を得ることができる積層半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。前記中間層の上にＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させてデバイス層を形成する。前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。前記第１のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 （もっと読む）

【課題】ドープされる元素の濃度と成長速度とのバッチ間均一性が良好な膜を作製することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製品基板に対して処理を行うステップと、反応炉内に処理後の製品基板を収容した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで、反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第１パージを行うステップと、反応炉内から処理後の製品基板を取り出した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第２パージを行うステップと、を有し、第２パージにおける反応炉内の圧力変化量を、第１パージおける反応炉内の圧力変化量よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】相手部材の材質によらずに、その相手部材の摩耗を抑制することができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】摺動部材１００は、鋼材などを用いて形成された基材２００と、基材２００の表面を被覆するＦｅ−ＤＬＣ膜３００とを備えている。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、摺動部材１００の摺動面１０１の少なくとも一部を形成し、相手部材４００の表面と摺動する。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、Ｆｅが添加されたＤＬＣからなる堆積膜である。この実施形態では、Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００におけるＦｅの濃度はたとえば約３ａｔ．％である。相手部材４００は、非鉄系の軟質材料（たとえばＣｕ材料など）を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲートバルブを介して基体を搬送機から処理室へ移動させる際に、基体へのダスト付着を効率良く抑制することにより、堆積膜の品質向上を図るとともに、優れた生産性を有する堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】２つの弁体は、処理室１６０及び／又は搬送機１２０のそれぞれが有する容器側から順に、第１の弁体１２３及び第２の弁体１２４とする。処理室と搬送機が接続されていない場合であって、処理室が１つの弁体のみを有する場合は、第１の弁体を全閉状態とし、処理室が２つの弁体を有する場合は、少なくとも第２の弁体を全閉状態とする。搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、第１の弁体を全閉状態とし、搬送機が２つの弁体を有する場合は、少なくとも第２の弁体を全閉状態とする。排気工程は、第１の弁体を全閉状態とし、第２の弁体を全開状態にして行う。 （もっと読む）

【課題】混合基板の選択された領域上に、Ｓｉ含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース（塩素など）を使用する化学気相成長方法を提供すること。
【解決手段】ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。この選択的堆積方法は、半導体製造などの様々な用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの気流を基板上に効率よく集めて、エピタキシャル膜の成長速度を増大させることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の上部に設けられて反応ガス２５をチャンバ１内に供給する供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７を支持する回転筒２３とを有する。回転筒２３の回転によってサセプタ７を回転させながら、半導体基板６上に所定の膜が成膜される。ライナ２は、サセプタ７の周縁部上部を包囲するとともに、サセプタ７と一緒に回転するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡易に、特性の均一性と画像特性を同時に向上させる方法を提供する。
【解決手段】 リング状部材１００の外周面に、周方向の３箇所の位置に凸部１０３を有し、リング状部材１００を変形させて、凸部１０３が円筒状基体１０５および補助基体１０８の内面に接触しない状態で、リング状部材１００を所定の位置に配置し、その後、リング状部材１００を変形させて、凸部１０３が円筒状基体１０５および補助基体１０８の内面に接触した状態で基体ホルダ４１８に円筒状基体１０５、リング状部材１００および補助基体１０８を設置する。 （もっと読む）

【課題】 反応容器の中の不純物量の変動に影響されずに、休止後の再稼動時であっても、生産性を低下させない堆積膜形成方法を提供することにある。更に、特性バラツキを低減した堆積膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な真空処理容器を用いて堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜の形成を休止し（Ｓ５２１）、前記真空処理容器の中の不純物の量がほぼ飽和するまで前記真空処理容器を大気開放する（Ｓ５２２）。その後、ほぼ飽和した不純物の量に対応して予め定めた堆積膜形成条件（通常とは異なる堆積膜形成条件）を、再稼働時の堆積膜形成条件とする（Ｓ５３２）。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状部位にもリーク電流が小さく高誘電率のジルコニア系膜を確実に成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とをこの順に供給して被処理体上にＺｒＯ膜を形成する第１工程と、前記処理容器内にジルコニウム原料とシリコン原料と酸化剤とをこの順で供給して被処理体上にＳｉがドープされたＺｒＯ膜を形成する第２工程とを、それぞれの回数を調整して実施することにより、膜中のＳｉ濃度を制御しつつ所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】経時安定性の高い導電性酸化亜鉛膜を得る。
【解決手段】Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる１つ以上の元素をドーパントとして含む導電性酸化亜鉛膜において、膜中に水素を含むものとし、その水素の含有量を３×１０²¹ atoms/cm³以下とする。 （もっと読む）

【課題】均一性の高いＳｉ又はＳｉＧｅを基板表面上に堆積する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長プロセスにおいて、輸送量制限領域又はその近傍で、薄膜の堆積を行うことを可能にする化学前駆体を利用する。このプロセスによれば、堆積速度が大きく、さらに組成的にも厚み的にも、通常の化学前駆体を用いて調整した膜より均一な膜を生成することができる。好ましい実施の形態では、トリシランを使用して、トランジスタゲート電極などの様々な用途で半導体産業において有用なＳｉ含有薄膜を堆積する。 （もっと読む）