【課題】比誘電率を低く抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率が小さいアモルファスカーボン膜及びその膜を備えた半導体装置、並びにアモルファスカーボン膜を成膜する技術を提供する。
【解決手段】成膜時にＳｉ（シリコン）の添加量を制御しながらアモルファスカーボン膜を成膜しているので、比誘電率を３．３以下の低い値に抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率の小さいアモルファスカーボン膜を得ることができる。従ってこのアモルファスカーボン膜を、半導体装置を構成する膜として用いた場合に膜剥がれなどの不具合が抑えられ、その結果、低誘電率であり、かつＣｕなどの金属に対するバリア性を有するといった利点を生かすことができる。 （もっと読む）

原子層堆積技術を開示する。ある特定の例示的実施形態においては、この技術は、ひずみ薄膜を形成する方法によって実現することができる。この方法は、基板表面に少なくとも１つの第１種原子および少なくとも１つの第２種原子を有する１つまたはそれ以上の前駆物質を供給して、それによって基板表面上に前駆物質の層を形成するステップを備える。この方法は、さらに、基板表面に第３種のプラズマ生成した準安定原子を照射するステップであって、この準安定原子が基板表面から少なくとも１つの第２種原子を脱離させて、少なくとも１つの第１種の原子層を形成するようにしたステップも備える。少なくとも１つの第１種の原子層における所望応力量は、原子層堆積プロセスにおける１つまたはそれ以上のパラメータを制御することによって得ることができる。
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【課題】ＳｉＯ_x膜、ＳｉＯＮ膜などのシリコン化合物薄膜の形成において、所望の屈折率と所望の希土類添加状態とが実現できるようにする。
【解決手段】まず、内部を所定の圧力に減圧した後、ガス導入部１０６からガスを導入し、プラズマ生成室１０１で第１プラズマを発生させる。また、ガス導入部１３３からＡｒなどのスパッタガスを導入しスパッタ室１０３内で第２プラズマを発生させる。このように２つのプラズマを生成した状態で、第１プラズマとソースガス導入部１０７から供給されるシリコンソースガスとにより、成膜室１０２内の設置されている基板１０５の表面にＰＥＣＶＤ法により薄膜を形成させる。同時に、スパッタ室１０３において、第２プラズマにより希土類元素ターゲット１２１をスパッタし、このことにより発生した元素を基板１０５に形成されている薄膜に添加させる。 （もっと読む）

金属炭化物薄膜を形成する方法が提供される。好ましい実施形態によれば、金属炭化物薄膜は、反応空間中で基板を、金属源化学物質、還元剤および炭素源化学物質の空間的にかつ時間的に分離された気相パルスと交互的かつ逐次的に接触させるステップによって、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成される。この還元剤は、好ましくは水素の励起された種およびケイ素含有化合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】機械研磨によってダイヤモンド基板の表面形状を制御し、厚膜気相合成ダイヤモンド膜成膜に適したダイヤモンド基板を提供することを目的とする。
【構成】ダイヤモンド基板の表面に突設する複数の凸出部が形成され、前記凸出部がダイヤモンド基板の主面部に形成されているダイヤモンド基板である。また本発明に係るダイヤモンド基板において、凸出部の上面部に現れた模様の平面視面積が、ダイヤモンド基板の主面部の面積に対して１０％以上を占有していることが好ましい。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板（１４）を容器内に配置し、膜用前駆ガスを各管（２０）を通じて容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から各管（２２）を通じて抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスに所定の周波数と出力レベルの連続したパルスとしてマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく材料の蒸着中にパルスの周波数および／または出力レベルを変える。 （もっと読む）

【課題】ガラス生産プロセス中にフロートバス内で移動しているガラスリボン上に、少なくとも１３０Å／秒の高い堆積速度で、相当の厚さの金属酸化物コーティング、特に酸化スズコーティングを堆積する化学蒸着方法及び、該方法により被覆されたガラスを提供する。
【解決手段】被覆される金属酸化物に対応する金属の四塩化物、酸化スズコーティングに際しては四塩化スズを用い、酸素源としては有機酸素含有化合物、好ましくはβ水素を有するアルキル基を有するエステルを用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板Ｗの自然酸化膜を低温で除去することが可能であり、単結晶のＳｉＧｅ膜を成長させることが可能な、膜形成装置３を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗ上の自然酸化膜を揮発性物質に変換するための三フッ化窒素ガス供給手段３５および水素ラジカル供給手段３０と、シリコン基板Ｗを加熱する手段と、を備えたエッチング室２０と、シリコン基板Ｗ上にＳｉＧｅ膜を成長させるための原料ガスの供給手段５０を備えたＳｉＧｅ成長室４０と、エッチング室２０からＳｉＧｅ成長室４０に対して、シリコン基板Ｗを管理雰囲気下で移送する基板移送室１６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に基底面転位の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板１上に、異なる窒素濃度をもつ複数の層を有して基底面転位密度を抑制する抑制層２と抑制層２上に形成された活性層３とを有する炭化珪素単結晶薄膜を形成してなるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、特に抑制層２が基板１側から活性層３側へと階段状に窒素濃度が低減した構造を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法。 （もっと読む）

【課題】フロートガラス製造過程中に大気圧化学気相堆積（ＡＰＣＶＤ）によって高堆積速度でガリウムまたはアルミニウムドープ酸化亜鉛膜を作り、比較的安価な前駆体物質を利用し、望ましい低抵抗率特性を有する被覆ガラス物品を生産する。
【解決手段】コーティングがその上に堆積されることになる基材表面を有し、その表面が少なくとも４００℃の温度にあるような高温ガラス基材を提供することによって、低抵抗率のドープされた酸化亜鉛被覆ガラス物品が形成される。基材表面に、亜鉛含有化合物、酸素含有化合物及びアルミニウムまたはガリウム含有化合物が方向付けられる。亜鉛含有化合物と、酸素含有化合物と、アルミニウムまたはガリウム含有化合物とが、アルミニウムドープ酸化亜鉛コーティングまたはガリウムドープ酸化亜鉛コーティングが５ｎｍ／秒超の堆積速度で基材表面上に形成されるのに十分な時間の間、混合される。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内におけるドーパントの均等な配列とを有するドープIII−Ｎ結晶層又はドープIII−Ｎバルク結晶を提供すること。
【解決手段】ドープIII−Ｎ結晶層又はドープIII−Ｎバルク結晶を製造する方法において、ドープIII−Ｎ結晶層又はドープIII−Ｎバルク結晶が、リアクタ内で基板又はテンプレート上に堆積し、リアクタ内に、少なくとも１つのドーパントが、少なくとも１つのIII族材料とともに混合した状態で供給される。この方法によれば、成長方向及びそれに垂直な平面においてそれぞれドーパントが非常に均質に分布されたIII−Ｎバルク結晶及びIII−Ｎ単結晶基板を分離させて得ることができる。同様に、成長方向及びそれに垂直な平面において非常に均質な電荷キャリア及び／又は電気抵抗率を分布させることができる。さらに、非常に良好な結晶品質を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】その欠点を矯正し、多孔性の基材が、制御された微細構造の物質で高密度化されることを可能とする化学気相浸透方法の提供。
【解決手段】浸透条件を、化学蒸着浸透プロセスの開始および終わりにおいて、少なくとも１つの浸透パラメーター、すなわち、ガス相の滞留時間、圧力、温度、ガス相の前駆体含有量、およびガス相の任意のドーパントの濃度を変化させることによって修飾し、変化させ、それにより、浸透条件を、基材内に沈積した物質の微細構造を制御するための基材の孔サイズの変化に適合させることができ、特に一定の微細構造を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】セレン化亜鉛多結晶により形成されたレンズを炭酸ガスレーザ用の光学部品に使用する場合に、被処理物を適切に加工することが容易になるセレン化亜鉛多結晶およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】セレン化亜鉛多結晶をＣＶＤ法により合成する際、亜鉛蒸気生成室４内において発生した、金属亜鉛６からの亜鉛蒸気を、キャリアガスとともに、反応室１２へ供給する。金属セレン９が収容された溶融浴１０内に、アクセプター不純物の原料を収容させた状態で、水素ガスをセレン化水素合成室５へと供給し、セレン化水素合成室５内において合成されたＨ_２Ｓｅガスを、未反応の水素ガスとともに、反応室１２へ供給する。そうすると、反応室１２において、亜鉛蒸気とセレン化水素との反応により、セレン化亜鉛多結晶が合成される際に、セレン化亜鉛多結晶内にアクセプター不純物がドープされたセレン化亜鉛多結晶が合成される。 （もっと読む）

【課題】
第１のプラズマ処理工程とその工程より放電開始電圧が高い第２のプラズマ処理工程を同一プラズマ反応室内において行う場合に、第２のプラズマ処理工程において均一なプラズマを電極間に発生および維持させるためには、電極間に高電圧を印加する必要があり、プラズマへの投入電力量が大きくなる。
【解決手段】
放電開始電圧が高い条件の第２のプラズマ処理工程においてパルス変調された交流電力を用いることにより、均一なプラズマを電極間に発生および維持させ、かつ、電極間に投入される電力量を低減することが可能となる。これにより、プラズマ処理速度を低下させ、その処理量の制御が容易となる。
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【課題】同一のプラズマ反応室内において、少なくとも２のプラズマ処理工程を行う場合、その装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。これにより、装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

ハイドライド気相エピタキシャル成長法（ＨＶＰＥ）を用いたアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜の成長方法が開示され、その方法は、ＨＶＰＥ反応系内に耐腐食性材料を使用し、該耐腐食性材料を含んでいるＨＶＰＥ反応系の領域はハロゲン化アルミニウムと接触する領域であることを特徴とする使用工程と、アルミニウムを含む原料を有する原料ゾーンを所定の温度以上にまで加熱する工程と、耐腐食性材料を含むＨＶＰＥ反応系内でアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜を成長する工程とを施す。
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クラスターツールを使用し、エピタキシャル膜形成の前に第１のガスを使用して第１の処理チャンバ内で基板を前洗浄し、第１の処理チャンバから真空下で移送チャンバを通して第２の処理チャンバへ基板を移送し、第１のガスを使用せずに第２の処理チャンバ内で基板上にエピタキシャル層を形成するためのシステム、方法及び装置が提供される。多数の付加的な態様が開示される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣエピタキシャル成長層２の成長工程が、積層に伴ってマイクロパイプが閉塞される第１のエピタキシャル成長層２ａを成長する閉塞層成長工程と、第１のエピタキシャル成長層２ａの途中に不純物濃度が３×１０^１９ｃｍ^−３以上の第２のエピタキシャル成長層２ｂを少なくとも一層成長する歪み層成長工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層の改質κ（カッパ−）型酸化アルミニウム層が優れた粒界面強度を有する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、下部層が、３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層、上部層が、１〜１５μｍの平均層厚を有し、かつ化学蒸着した状態でκ（カッパ−）型の結晶構造を有すると共に、それぞれ隣接する結晶粒相互の界面（結晶粒界面単位）における（００１）面の法線同士の交わる角度が１０°以下で、かつ（０１０）面の法線同士の交わる角度が５５°以上６５°以下である結晶粒界面単位が、全結晶粒界面単位の４０％以上の割合を占める結晶粒界面配列を示す改質κ（カッパ−）型Ａｌ_２Ｏ_３層、以上で構成された硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

ＡｌＧａＩｎＮシステムにおける化合物及びアロイに基づいてレーザー及び白色光を生成する発光ダイオードのための非極性エピタキシャルヘテロ構造体を成長させる方法が、一般式のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）に表現される一つまたは多重のヘテロ構造体層の気相蒸着段階を含み、ここで（a）‐ランガサイト（Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４）基板を使用してＡ^３Ｎ構造体を成長させる段階が、ヘテロ構造体において欠陥密度及び機械的ストレスを減少させる目的に適用される。
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