【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池のバックシート、食品や医薬品等の包装分野に用いられるガスバリアフィルムと製造方法に関するものであって、そのガスバリア層が、基材であるプラスチックフィルムとの密着力に優れるガスバリアフィルムと、その製造においては、インラインでの形成が可能で、高い生産能率を有する生産方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】基材となるプラスチックフィルムの片面、もしくは両面にプラズマ化学的気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）により形成された、ＳｉＯｘＣｙ膜からなる密着層の膜の組成が、基材表面から膜表面に向けて傾斜的に変化していき、その上にガスバリア層をこの順に、減圧環境化のインライン成膜にて形成するガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームの発生を抑制することができるシリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体ウエハ１０にシリコンプリカーサと過酸化水素とを含む成膜用ガスを供給して、半導体ウエハ１０の溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を成膜する。制御部１００は、反応管２内に複数の半導体ウエハ１０を収容し、反応管２内を１１３Ｐａ〜６６５０Ｐａに設定する。また、制御部１００は、過酸化水素の流量をシリコンプリカーサの流量の３倍〜２０倍に設定する。 （もっと読む）

【課題】食品、日用品、医薬品などの包装分野や、太陽電池関連部材や電子機器関連部材などの分野において、通常の加工を施してもガスバリア性が劣化しない、特に高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】ガスバリア性積層フィルム１０は、プラスチックフィルムからなる基材層１の、一方の表面上に第一のプライマー層２と第一のガスバリア層３と第一のガスバリア被膜層４とを、もう一方の表面上に第二のプライマー層５と第二のガスバリア層６と第二のガスバリア被膜層７とを、それぞれ順次積層して構成され、各層が特定の材料から構成され、プライマー層、ガスバリア層およびガスバリア被膜層の厚さが特定の範囲を満たす。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層するにあたり、処理ガスが各々供給される処理領域同士の間に分離ガスを供給して処理ガス同士が処理雰囲気において互いに混合することを防止しながら、分離ガスの供給流量を抑える。
【解決手段】処理領域Ｐ１、Ｐ２の間に分離ガスノズル４１、４２を配置し、分離ガスノズル４１、４２から分離ガスを各々供給して処理領域Ｐ１、Ｐ２同士を分離する。この時、分離ガスノズル４１、４２における回転テーブル２の回転方向下流側に、回転テーブル２の上面との間に狭隘な空間Ｓ１を形成するための第１の天井面４４を設ける。また、この第１の天井面４４における回転テーブル２の回転方向上流側に、第１の天井面４４よりも高い第２の天井面４５をこの第１の天井面４４に隣接するように設ける。 （もっと読む）

【課題】絶縁性薄膜を成膜した場合であっても、アノードの機能を長時間維持できる圧力勾配型プラズマガンを提供する。
【解決手段】軸１０１に沿って順に配置された、カソード１と、第１および第２中間電極２，３と、アノード４とを有する。第１および第２中間電極２，３とアノード４はそれぞれ、プラズマを通過させるための所定の大きさの貫通孔２ａ、３ａ、４ａを軸１０１を中心として備えている。アノード４には、第２中間電極３とは逆側の側面の少なくとも一部を覆うアノードカバー３０が着脱可能に固定されている。アノードカバー３０は、貫通孔４ａの中心に向かって突出するつば部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性を備え、基材、ポリマー層及びガスバリア層間の密着性が向上し、屈曲耐性及び環境耐性に優れたガスバリア積層体とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材Ｆ上に、少なくともガスバリア層Ｇ−１、Ｇ−２とポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３とを有し、該ポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３の少なくとも１層が該ガスバリア層Ｇ−１、Ｇ−２の少なくとも１層に隣接し、該ポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３の該ガスバリア層Ｇ−１、Ｇ−２との接触界面における平均炭素含有量が該ポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３の平均炭素含有量より小さいガスバリア積層体１。 （もっと読む）

【課題】形成した絶縁膜のリーク電流を抑制することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理室にそれ単独で固体となる第１の元素を含む第１の処理ガスをＣＶＤ反応が生じる温度条件下で供給することで、前記基板上に前記第１の元素を含む第１の層を形成する工程と、前記処理室にそれ単独では固体とならない第２の元素を含む第２の処理ガスを供給することで、前記第２の処理ガスと前記第１の層を反応させ前記第１の元素および前記第２の元素を含む第２の層を形成する工程と、を１回ずつ含むサイクルを１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、所定膜厚の前記第１の元素および前記第２の元素を含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良質な膜を簡便に形成する膜形成方法および膜形成装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の膜形成方法は、少なくとも１つの有機官能基と、加水分解を起こす１つの官能基と、を含む有機ケイ素化合物を、大気雰囲気において基板の表面に供給する第１の工程と、前記有機ケイ素化合物を前記基板の前記表面に供給後、前記有機官能基を酸化し、前記基板の前記表面上にケイ素と酸素とを含む層を形成する第２の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に窒化物半導体層を形成するに際し、基板に被着した堆積物の除去が容易な窒化物半導体積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層構造体の製造方法では、第１および第２の面１１ａ、１１ｂと第１熱膨張係数α１を有する基板１１の第２の面１１ｂに、第1保護膜３１を形成する。第１保護膜３１が形成された基板１１の第１の面１１ａに、第１熱膨張係数α１と異なる第２熱膨張係数α２を有する第１窒化物半導体層１２を形成する。第１窒化物半導体層１２に、第２保護膜３４を形成する。第１保護膜３１を除去し、基板１１の第２の面１１ｂを露出させる。露出した基板１１の第２の面１１ｂに、第２熱膨張係数α２に略等しい第３熱膨張係数α３を有する第２窒化物半導体層１３を形成する。第２保護膜３４を除去し、第１窒化物半導体層１２を露出させる。 （もっと読む）

【課題】短時間のエッチングで低反射化が可能な低反射基板の製造方法を得る。
【解決手段】低反射基板の製造方法は、（１００）単結晶シリコン基板１ａを挟んだ両面の上に不純物拡散層２を形成する工程と、両面に形成された不純物拡散層の上に５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜３を形成する工程と、一方の上のシリコン酸化膜に対してブラスト加工を施すことにより、シリコン酸化膜を貫通して不純物拡散層に達する開口４を形成する工程と、基板をシリコン酸化膜が耐性を有するアルカリ水溶液に浸漬して開口を介したアルカリ水溶液による不純物拡散層のエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜と基板との間にアンダーカットを形成する工程と、引き続きアルカリ水溶液により、アンダーカットの空間的な広がりに依存しつつシリコン（１１１）面を露出させる異方性エッチングを行う工程と、その後にシリコン酸化膜を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】２つのプラズマ発生部８１、８２を回転テーブル２の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部８１、８２とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部８１、８２におけるアンテナ８３と直交する方向に伸びるスリット９７を各々のファラデーシールド９５に設けて、各々のアンテナ８３において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハＷ側に通過させる。 （もっと読む）

【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むこと。
【解決手段】高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法、及びそれを実現する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】再現性良く良好な膜質を得ることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、加熱部を備えた基板載置部と、前記基板載置部を支持し、前記基板載置部と共に回転可能な回転軸部と、前記加熱部に電力を供給する供給線と、前記供給線の一端に接続され、充電器を内蔵する温度制御部と、前記温度制御部に電力を供給する電力供給部とを有し、前記加熱部を所望の温度まで上昇させる際には、前記温度制御部と前記電力供給部を接続し、前記温度制御部を経由して前記電力供給部から前記加熱部へ電力を供給し、前記所望の温度に到達した後、前記温度制御部と前記電力供給部を切り離し、前記充電器から前記加熱部へ電力を供給するよう制御する制御部を有する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに載置した基板を速やかに昇温させることができる技術を提供すること。
【解決手段】複数の処理領域に反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向において処理領域の間に位置する分離領域と、前記載置領域の他面側を熱輻射により加熱することにより前記基板を加熱する加熱部と、を備える基板処理装置において、前記回転テーブルは、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位であるテーブル本体と、から構成され、前記基板載置部はテーブル本体よりも熱容量の小さい材質により構成される。これによって加熱部から基板への熱伝導性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】安価な支持体を用いて、低コストかつ高い生産性で、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムなど、高性能な機能性フィルムを提供する。
【解決手段】塗布による有機層と、気相堆積法による無機層とを積層してなる機能性フィルムにおいて、有機層のガラス転移温度が１００℃以上、厚さが０．０５〜３μｍであり、かつ、この有機層を、塗料を５ｃｃ／ｍ²以上の塗布量で塗布して、減率乾燥状態での粘度が２０ｃＰ以上、表面張力が３４ｄｙｎ／ｃｍ以下となるようにして形成し、この有機層の表面に、プラズマの生成を伴う気相成膜法によって無機層を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】大気中で熱処理を実施することにより、トンネル炉等の気密性の低い簡易な設備を用いて行うことができるフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法の提供。
【解決手段】フッ素ドープ酸化錫膜を形成する基体表面の温度（成膜面温度）が５００℃以上となる条件で、ＣＶＤ法を用いてフッ素ドープ酸化錫膜を該基体上に形成し、該成膜面温度が２８０℃以下になるまで冷却した後、該成膜面温度を２８０〜５４０℃の温度域に大気中で加熱した後、該成膜面温度を２８０℃以下に冷却するフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法であって、大気中での加熱時において、フッ素ドープ酸化錫膜から酸素の脱離が起こり、かつ、該フッ素ドープ酸化錫膜への酸素の再吸着が起こらないように、２８０℃と該成膜面の最高到達温度との間の温度域における積分温度値を設定することを特徴とするフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法。 （もっと読む）