【課題】表面平坦性と水蒸気バリア性が向上した粘土薄膜基板、および、その粘土薄膜基板を用いた表示素子を提供する。
【解決手段】粘土薄膜基板は、粘土粒子が配向して積層した構造を有する粘土薄膜１１の少なくとも片面に、ガスバリア無機質層１２が積層されている。また、他の粘土薄膜基板においては、粘土粒子が配向して積層した構造を有する粘土薄膜の少なくとも片面に、平坦化無機質層が積層され、該平坦化無機質層の上に、ガスバリア無機質層が積層されている。ガスバリア無機質層は、窒素を含む酸化珪素膜よりなり、平坦化無機質層は、炭素を含む酸化珪素膜よりなる。これらの粘土薄膜基板は、エレクトロルミネッセンス表示素子および液晶表示素子の基板に好適に使用できる。 （もっと読む）

本発明は、気体放電の非熱プラズマによる、気相からのナノ粒子の堆積、及び、それに続く基材粒子へのナノ粒子の付着に関する。本発明は、固体バルク材料の流動性を高めるために使用することができる。特に、製薬産業は、その乏しい流動性により処理上の問題を引き起こす、粉末状の中間及び最終生成物を多数利用する。微粒子材料を用いると、ファン・デル・ワールス力のため、好ましくない接着効果が第１に起こる。この効果は、処理される材料の表面にナノ粒子を塗布することにより軽減できる。本発明は、ナノ粒子を製造し、基材表面に付着させるという結合プロセスによって特徴付けられる。さらに、非熱プラズマを用いることで、製薬産業でしばしば使用される感温材料を処理することが可能となる。 （もっと読む）

均一な表面及び安定した組成を有する大面積のバナジウム酸化物薄膜の製造方法である。これにより、バナジウム−有機金属化合物ガスをチャンバに注入し、バナジウム−有機金属化合物ガス分子が基板の表面に飽和吸着された吸着物を形成する。次いで、チャンバに酸素−前駆体を注入し、吸着物と表面飽和反応させてバナジウム酸化物薄膜を製造する。
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【課題】 結晶質炭素材料又は非晶質炭素材料等の炭素材料からなる基材上に酸化膜又は窒化膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 単結晶ダイヤモンド基材上にダイヤモンド薄膜が形成されたダイヤモンド基板等の炭素材料からなる基板の表面に、プラズマ処理、ラジカル処理、薬液処理又はこれらを組み合わせた処理を施すことにより、酸素及び／又は窒素を吸着させる。その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少なく使用寿命の長いプラズマエッチング用シリコン電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に平行に貫通細孔５が設けられているプラズマエッチング用シリコン電極基板２において、前記シリコン電極基板２の少なくとも下面８の全面に平均粒径：１μｍ以下のシリコン化学蒸着膜１１が被覆してなるプラズマエッチング用シリコン電極板。 （もっと読む）

連続的堆積処理でＳｉ膜を成膜する方法が供される。当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する工程、前記基板を塩素化されたシランガスに曝露することによって塩素化されたＳｉ膜を成膜する工程、及び前記塩素化されたＳｉ膜をドライエッチングすることによって前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程、を有する。Ｓｉ膜は基板上に、選択的又は非選択的に堆積されて良い。堆積は自己制限的であっても良いし、非自己制限的であっても良い。他の実施例は、連続的堆積処理でＳｉＧｅ膜を成膜する方法を供する。
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【課題】 ダイヤモンドは炭素原子の間隔が狭くて他の元素が格子点を置換して浅いレベルのドナー、アクセプタを作るのが難しい。ドーピングの方法を工夫して低抵抗のｎ型、ｐ型のダイヤモンドを作ること。
【解決手段】 炭素原子５つ取りだした空孔に価電子数合計が１９になる４つの原子を入れることによってｐ型ダイヤモンドを作る。炭素原子５つ取りだした空孔に価電子数合計が１９になる４つの原子を入れることによってｎ型ダイヤモンドを作る。 （もっと読む）

本発明は、一実施形態では、合成ダイヤモンド、および複数の種ダイヤモンド上でそうしたダイヤモンドを成長させ、その成長ダイヤモンドにイオンを注入し、複数の種ダイヤモンドから成長ダイヤモンドを分離する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックやウエハ支持装置などの製品をハロゲン含有ガスやプラズマ環境などの腐食環境においても耐用的に使用可能とする保護膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたはこれらの組合せの少なくともいずれか一からなる保護膜１２を製品１０の少なくとも表面に被覆形成する。この保護膜１２は実質的にクラックを生じない。一例として、熱分解窒化ホウ素からなる基板上に３〜２００μｍの膜厚で保護膜1を形成する。保護膜１２は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】インナー及びアウター部材と、これら部材間に介在するゴム状弾性体を備えたゴムブッシュにおいて、上記部材のゴム状弾性体間との摺動面にＤＬＣのような硬質炭素薄膜を形成し、このような硬質炭素薄膜に好適な特定の潤滑油組成物と組合わせることによって、極めて優れた低摩擦特性を示すゴムブッシュを提供する。
【解決手段】枠材３（アウタ部材）に取付けられたゴム状弾性体４の挿通孔４ａ内に回転自在に支持された軸２（インナー部材）の表面に硬質炭素薄膜を被覆する一方、ゴム状弾性体４に、ＯＨ基を有する添加剤を含有する潤滑油組成物を混合する。 （もっと読む）

【課題】
高温、かつ、還元性ガスや反応性ガス雰囲気下で、長時間使用された場合であっても消耗等に起因するクラックや剥離等の損傷が生じることがなく、耐久性に優れた炭素複合材料を提供すること。
【解決手段】
炭素基材と前記炭素基材の表面に形成された炭化タンタル層とからなる炭素複合材料であって、前記炭化タンタル層を構成する結晶のＸ線回折による分析で、（２００）面に相当するピークと（１１１）面に相当するピークとのピーク強度比：Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が、０．２〜０．５であるか、又は、（１１１）面に相当するピークと（２００）面に相当するピークとのピーク強度比：Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が、０．２〜０．５であることを特徴とする炭素複合材料。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法による単結晶の製造方法、特に、気相合成法を利用したダイヤモンド単結晶の製造方法において、比較的短時間に低コストで大型のダイヤモンド単結晶を得ることが可能な新規な方法を提供する。
【解決手段】（１００）面が優先的に成長する単結晶のエピタキシャル成長法において、（１）単結晶の｛１００｝基板上に結晶を成長させ、（２）成長した結晶の側面に、成長方向の｛１００｝面と異なる他の｛１００｝面に平行な表面を形成し、（３）形成された｛１００｝面上に結晶を成長させる、ことによる単結晶の製造方法であって、上記（２）及び（３）の工程を１回又は２回以上行う。ダイヤモンド単結晶支持体として、結晶載置部が支持体の外周縁部に対して隆起した形状をなし、該載置部を支持体の外周縁部から離隔した位置に有し、該載置部が凹部によって形成されている金属製支持体を用いる。 （もっと読む）

【課題】 一定の肉厚を有するＳｉＣ部材を製造することができると共に、異なる肉厚を有するＳｉＣ部材を同時に製造でき、更に原料効率の良い、ＳｉＣ部材の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】 有底中空形状に炭素材で形成された内側ケース２と、前記内側ケース２を覆う外側ケース３と、前記外側ケース３の外周囲に配置され、前記内側ケース２及び外側ケース３を加熱する加熱手段４と、前記内側ケース２にＳｉＣ膜を析出させるための原料を供給する原料供給パイプ５とを少なくとも備えるＳｉＣ部材の製造装置であって、前記内側ケース２の側壁に所定の間隔をもって複数の開穴２ａが形成されると共に、原料供給パイプ５を内側ケース２の内側に配置し、前記内側ケース２の内底面にＳｉＣ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】第２の反応ガスをプラズマ化して発生されたラジカルのフラックス、すなわち、イオンビームを中性ビーム化して被処理基板に照射するようにした中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明による中性ビーム蒸着装置を利用した蒸着方法は、被処理基板に化学的に吸着されない物質を含む第１の反応ガスを被処理基板がローディングされた反応チャンバ内に供給して化学的に吸着されない物質を含む第１の反応物吸着層を被処理基板上に化学的に吸着させて形成する段階と、第１の反応物吸着層が形成された被処理基板上に第２の反応ガスにより生成された中性ビームを照射して化学的に被処理基板上に吸着されない物質を第１の反応物吸着層から除去して第２の反応物吸着層を形成する段階と、を備える。本発明による中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を利用することによって、チャージングによる損傷なしに工程を実行することができる。 （もっと読む）

プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップを有する。処理チャンバ内に、第１の処理材料が導入され、処理チャンバ内に、第２の処理材料が導入される。第２の処理材料の導入の間、処理チャンバには、６００Ｗを超える電磁力が結合され、基板の表面での第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進するプラズマが発生する。第１の処理材料と第２の処理材料の交互の導入により、基板上に膜が形成される。
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流動懸濁物又はエアロゾルから固体粒子をフィルター上に蒸着し、次いで固体粒子を接着剤を用いて第二基材に接着することからなる薄膜材料形成法。
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【課題】サセプタ上の表面粗さを適正化することにより、サセプタ上の堆積膜の成長速度を減少させ、気相エッチング回数を低減させ得るＳｉのエピタキシャル成長用のサセプタを提供する。
【解決手段】少なくとも１つのザグリを有するＣＶＤ−ＳｉＣ被覆黒鉛基材からなるＳｉのエピタキシャル成長用のサセプタであって、ザグリ面以外の表面の算術平均粗さＲａが０．１〜１μｍのものである。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板上に、ｐ型不純物として炭素が添加されたＩｎＧａＡｓを主成分とするｐ型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記ｐ型伝導層がアンチモンを０．５〜１０モル％含有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノファイバー自身の強度を実質的に低下させることなく、しかも好適な強度を有する複合材料を与えることができるカーボンナノファイバーを提供する。
【解決手段】 表面に炭素膜を有するカーボンナノファイバー。該表面炭素膜において、炭素同士の結合が室温のＸ線光電子分光分析でｓｐ３結合／ｓｐ２結合比が５％〜９０％である。 （もっと読む）

緻密化のための１つ以上の多孔質基材（１０）がオーブン内に入れられ、そこに、少なくとも１種の気体の炭化水素Ｃ_xＨ_y（ここで、ｘおよびｙは整数であり、ｘは１＜ｘ＜６を満たす）を含む熱分解炭素前駆体ガスが、メタン及び不活性ガスから選択される少なくとも１種のガスを含むキャリヤーガスと共に入れられる。入れられたガスの残留成分と共に、水素を含んだ反応生成物を含有した排ガスがオーブンから取り出され、排ガスから取り出され且つ熱分解炭素前駆体試薬ガスを含有したガス流の少なくとも一部が、オーブン内に入れられる反応ガスへと再循環される（回路８０）。再循環は、排ガスに含有された重質炭化水素の除去（処理４０）の後に実施される。 （もっと読む）