【課題】グラファイト基板上にダイヤモンド層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド層を、ＣＶＤプロセスによりグラファイト基板に安定的に付着させることができ、この際、グラファイト基板を、ＣＶＤプロセスの前に、以下の前処理工程に供する。エッチングガス雰囲気中において、真空中、＞５００℃、好ましくは＞８００℃の温度で表面を洗浄し、固着していない粒子を機械的に除去し、微小のダイヤモンド粒子により、前記基板の表面に播種し、および、吸着された炭化水素および吸着された空気を除去するために、Ｔ＞５００℃、好ましくはＴ＞７００℃の温度Ｔで、真空中での少なくとも１回の脱気処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】発光効率や寿命などの特性を向上させた発光素子などの半導体装置を工業的に安価に得ることが可能な２インチ以上の大口径ＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】主表面を有するＧａＮ基板１であって、低欠陥結晶領域５２と、当該低欠陥結晶領域５２に隣接する欠陥集合領域５１とを備える。低欠陥結晶領域５２と欠陥集合領域５１とは主表面から当該主表面と反対側に位置する裏面にまで延在する。主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］がオフ角方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】十分微細なパーティクルを検出することができる程度に高精度に平坦化された表面を有し、かつ、ダミーウエハはもちろん、高い表面平坦性が要求されるパーティクルモニタウエハとしても、比較的多くの回数にわたって繰り返し利用することができるモニタウエハ、およびこのようなモニタウエハの作製方法を提供する。
【解決手段】モニタウエハは、ＣＶＤ法で形成されたＳｉＣ結晶からなるＳｉＣウエハと、このＳｉＣウエハ上の最表層に設けられ、非透明性を有する膜と、を有する。非透明性を有する膜は、低圧気相成長法で形成された多結晶Ｓｉ膜である。 （もっと読む）

本発明は、表面が耐食性であるとともに十分に延性でもあり、クラック又はその他の耐食性を弱らせ又は損なう脆弱部を生じることなく表面又は物体全体を機械的に加工できるようにする物体に関する。表面層は、タンタルなどの耐熱金属を少なくとも８０％含有することが好ましく、コア要素と表面層との間に必要な延性及び接着能力を有する合金層が生成される。
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１つの実施形態は、単結晶膜を選択的に堆積するための方法を提供する。この方法は、第１の表面形態を有する第１の表面およびこの第１の表面形態とは異なる第２の表面形態を有する第２の表面を含む基体を準備する工程を含む。シリコン前駆体［１０８］およびＢＣｌ_３［１３４］は相互混合され、これにより供給ガスが形成される。この供給ガスは、化学気相成長条件［１２２］下でこの基体へ導入される。Ｓｉ含有層は、供給ガス［１２０］を導入することにより、第２の表面上に堆積することなく、第１の表面上に選択的に堆積される。 （もっと読む）

本発明は第１および第２物質からなる基板の表面を原子層堆積プロセスを用いて保護物質の薄膜で選択的に被覆する方法を与える。 （もっと読む）

本発明は、低圧においてダイヤモンドの光学的性質を改善する方法に関し、特に、ＣＶＤダイヤモンドを成長させるステップと、ダイヤモンド安定領域外の約１〜約７６０ｔｏｒｒの圧力において還元雰囲気中、約５秒〜約３時間の時間の間、ＣＶＤダイヤモンドの温度を約１４００℃〜約２２００℃に上昇させるステップとを含む所望の光学的品質のＣＶＤダイヤモンドの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入を低減された膜を有する半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。さらには、歩留まり高い半導体装置の作製方法を提案する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層に接して、プラズマＣＶＤ装置を用いて絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法において、当該絶縁膜の不純物を含まない膜でプラズマＣＶＤ装置の反応室の内壁をコーティングした後、反応室に基板を挿入し、基板上に上記絶縁膜を成膜することにより、不純物を低減した絶縁膜を基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【目的】形成されたＳｉＣ被膜を基材から割れを生じることなしに簡単に分離することができるＣＶＤ−ＳｉＣ単体膜の製造方法を提供する。
【構成】黒鉛基材を基材保持冶具に載置し、基材面にＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜した後、該ＳｉＣ被膜を黒鉛基材と分離してＳｉＣ単体膜を得る方法において、黒鉛基材として、所定の形状に成形した黒鉛材に、天然黒鉛粉と液状樹脂からなる混合物を塗布し、焼成して得られる脆弱層を形成してなる黒鉛基材を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

Ｓｉ基板上にＳｉＣ含有フィルムを成長させるための方法が開示される。ＳｉＣ含有フィルムは、例えば、プラズマスパッタリング、化学気相成長法または原子層堆積により、Ｓｉ基板上に形成することができる。このようにして成長されたＳｉＣ含有フィルムは、半導体結晶の成長用の高価なＳｉＣウェハーの代わりに提供される。
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【課題】ダイヤモンド生成工程の際の放熱ホルダ上におけるダイヤモンド膜の剥離等による不良発生や、異常成長等を防ぐことを目的とする。
【解決手段】表面にダイヤモンドが蒸着しないホルダを準備し、もしくはダイヤモンドが蒸着した場合でも前記ホルダ温度１３００℃〜室温では蒸着したダイヤモンドが剥離せず、またダイヤモンド及び＼炭化物が異常成長しないホルダを準備した後、ダイヤモンドを成膜する基板を該ホルダ上に設置した後、該基板上にダイヤモンドの成膜を行うことを特徴とするダイヤモンド製造方法及び製造装置である。前記ホルダの基板近傍が表面粗さＲａ０．０１μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、蒸気成長カーボンナノファイバーのような炭素材料の表面を改質する方法を提供するものであり、その方法では、ケイ素は化学蒸着法を用いて蒸気成長カーボンナノファイバー上に蒸着される。得られるケイ素−炭素合金は再充電可能なリチウムイオン電池のアノードとして用いうる。 （もっと読む）

指向された反応物質流、および、この流れに対して移動する基板による低大気圧化学蒸着が記述される。故に、このCVD構成を用い、所望レベルの被覆均一性を獲得し乍ら、比較的に高い析出速度が達成され得る。孔質の粒子性剥離層の如き剥離層上にひとつ以上の無機層を載置する析出手法が記述される。幾つかの実施例において、上記剥離層は、基板上へと被覆されるサブミクロン粒子の分散液から形成される。記述されるプロセスは、剥離層の使用により分離されてケイ素箔体とされ得るケイ素薄膜の形成に対して有効であり得る。上記ケイ素箔体は、ディスプレイ回路もしくは太陽電池の如き、種々の半導体系デバイスの形成に対して使用され得る。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材表面に高純度で高い耐食性を得ることが可能なＳｉＣ膜を形成した耐食性部材を提供する。
【解決手段】耐食性部材において、カーボン基材の表面に、３Ｃと、６Ｈまたは４Ｈの結晶構造を含むＳｉＣ膜を備え、ＳｉＣ膜において、ＳｉＣ膜の最表面における６Ｈまたは４Ｈの割合が、カーボン基材側の面における６Ｈまたは４Ｈの割合より大きい。 （もっと読む）

光誘起化学気相蒸着を使用してナノ粒子上のコーティングを成長させた。エアロゾル化したナノ粒子を気相コーティング反応物と混合し、コーティング反応器に導入し、ここで、混合物を紫外光に曝露した。タンデム型微分移動度分析を使用して、初期粒径の関数としてのコーティングの厚さを決定した。
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【課題】簡単な１段階の操作により高活性で再現よく炭素担持貴金属触媒を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭素担体に貴金属錯体の蒸気を接触させてその表面に金属ナノ粒子が担持された貴金属ナノ粒子触媒を得る。貴金属錯体としては、貴金属のアセチルアセトナート錯体が、炭素担体としては、活性炭、不定形炭素、グラファイトおよびダイヤモンドから選ばれた少なくとも１種が好ましく使用される。 （もっと読む）

【課題】水素分離精製用膜材料としてバナジウムまたはバナジウム合金を、化学気相析出（CVD）法を用いて、基材に任意の形状で析出させる。
【解決手段】第１の反応容器１と、第１の反応容器１内に配置され、開口部において多孔質基板３で第１の反応容器１と仕切られた第２の反応容器２と、第１の反応容器１内にバナジウム原料９をキャリアガス１０により供給する原料ガス供給手段４と、第１の反応容器１内のガスを排気する第１の排気手段５と、第２の反応容器２内のガスを排気する第２の排気手段６とからなり、第２の排気手段６の排気力を第１の排気手段５の排気力より強くし、化学気相析出法により多孔質基板３表面および／または多孔質基板３中にバナジウムを析出させることを特徴とする化学気相析出法を用いた水素透過膜製造装置である。 （もっと読む）

本発明は、ＡＦＭプローブのような改良されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）機器を製造する様々な方法及び技術を意図している。まず、ＣＮＴは、基材のような所定の位置に形成される。次にＣＮＴ及び基材は、ＣＶＤ又は他の適当な方法によって保護層で覆われる。続いて、ＣＮＴのある長さがエッチング又は他の適当な方法によって露出され、形成された露出長さは、ＣＮＴ機器の所定の用途に適した長さになる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉウェハの抵抗異常やノンドープ不良を回避できる気相成長用サセプター及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長用サセプター１は、黒鉛基材の表面にＣＶＤ法により炭化ケイ素膜２，３が少なくとも２層以上被覆されており、前記炭化ケイ素膜３の最表層膜３ａが、純化処理されており、前記純化処理されている表面の不純物量が、すべての元素において１×１０^１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下である。また、気相成長用サセプター１の製造方法は、座ぐり凹部が形成された黒鉛基材の表面１ａに、ＣＶＤ法により炭化ケイ素膜を複数回被覆する炭化ケイ素膜被覆工程と、炭化ケイ素膜被覆工程において被覆された最表層の前記炭化ケイ素膜を、純化処理する最表層炭化ケイ素膜純化処理工程とを有し、炭化ケイ素膜被覆工程と、最表層炭化ケイ素膜純化処理工程とが同一炉内で行われる。 （もっと読む）