【課題】ホウ素ドープダイヤモンド粒子の製造を容易化するために適用することができる、ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法、ホウ素ドープダイヤモンド及び電極を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法を用い、ホウ素ドープダイヤモンドを、タングステン又はその酸化物が少なくとも表面の一部に露出した基板上に成長させることを特徴とするホウ素ドープダイヤモンドの製造方法。前記基板の表面粗さは、０．５μｍ以下であることが好ましい。前記基板として、タングステン又はその酸化物から成る領域と、タングステンを含まない領域とが混在するものを用いることができる。 （もっと読む）

ワークピース上に反応ガスから層を析出するためのＣＶＤ反応器であって、反応器壁１１と反応器床１２とによって仕切られた、細長い、鉛直方向に延びる反応器室１０と、反応器床１２の領域内で反応器室１０内に入る、反応ガスを反応器室１０内に流入させるための流入導管３４と、反応器床の領域内で反応器室１０から出る、反応器室１０から使用済反応ガスを流出させるための中心の流出導管３１と、反応器室１０の中心に配置されて中心軸線を中心として回転可能な多階層状のワークピース収容体２１と、を具備するＣＶＤ反応器。
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高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い¹³C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。 （もっと読む）

【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板の表面損傷を除去するために有効な新規な方法および表面損傷が除去された単結晶タイヤモンドを基板としたCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドにイオン注入を行って表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をグラファイト化させた後、エッチングして表面層を除去する。この様にして得られた単結晶ダイヤモンドは、表面粗さを増加させることなく、切断、研磨などによって生じた表面損傷部がほぼ完全に除去され、また、表面と交差する転位もほとんど存在しないものとなるので、処理された単結晶ダイヤモンドを基板として、CVD法によってダイヤモンドを成長させることによって、転位の伝播や新たな転位の発生を著しく抑制することができ、形成される単結晶ダイヤモンドの結晶性を著しく改善することができる。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜の耐酸化性を向上させることにより半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜と前記絶縁膜に囲まれた金属膜とが露出する基板を加熱した状態で収容する成膜室３１Ｓと、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４と励起した窒素とを前記成膜室３１Ｓへ供給して加熱下である基板Ｓの表面に硼窒化ジルコニウム膜を成膜する成膜部とを備えた半導体装置の製造装置であって、前記成膜部が、成膜時間が経過するに連れて前記励起した窒素の供給量を低くすることを要旨とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸基板にスパッタバッファを介して結晶性の良いＧａＮを得る。
【解決手段】エッチングによりサファイア基板に凹部を設け、且つその凹部はサファイア基板の主面とほとんど平行となっており、当該エッチングにより形成された凹部の底面に影響されたエピタキシャル成長が生ずる。スパッタ装置の対応可能温度は５００℃程度であるため、加熱処理を行うことが少なかった。荒れた凹部の底面が表面の半分以上の基板を用いる場合は、当該凹部底面に影響されたエピタキシャル成長が生じ、良好な単結晶が形成されなかった。そこで水素雰囲気下、１０００℃以上１５００℃以下の加熱処理を行うことで、当該凹部の底面の原子配列の乱れを正すことができ、スパッタバッファを介して結晶性の良いIII族窒化物系化合物半導体が得られることを見出した。 （もっと読む）

【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性を向上させることで破壊強度と耐摩耗性に優れ、かつ放電加工等の電気加工を主体とした研磨加工が可能な多結晶・単結晶の高強度ダイヤモンド膜工具やコーティング工具を提供する。
【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくは／および単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させる。また、ボロン添加による導電性付与により電気加工を可能にする。 （もっと読む）

金属源前駆体および式Ｉ：
Ｃｅ（Ｌ）_ｘ （式Ｉ）
［式中、Ｌはβ−ジケトナートであり、ｘは３または４である］に従うセリウムのβ−ジケトナート前駆体を用いる化学相成長法により、高κ誘電性膜の形成と安定化の方法を提供する。さらに、式Ｉに従うセリウム前駆体を用い、半導体装置の高κゲート特性を改善する方法を提供する。また、酸化ハフニウム、酸化チタン、またはそれらの混合物を含み、さらに、誘電率を維持または増加させる量のセリウム原子を含有する高κ誘電性膜を提供する。 （もっと読む）

平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
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【課題】実用レベルの発光素子を与えるに十分な低い抵抗率で且つｎ型ＺｎＯと接合したとき優れたダイオード特性を示すｐ型ＺｎＯ単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】ドーパントとして窒素とＩＢ族元素とを含有し，ＩＢ族元素がＣｕ及びＡｇより選ばれる少なくとも１種であり，温度２０℃における抵抗率が０．１〜２０Ω・ｃｍである，ｐ型単結晶ＺｎＯ，並びに，化学気相成長法によるｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法であって，（ａ）（０００１）面を表面とする単結晶ＺｎＯ基板を加熱しつつ，基板の表面にＺｎ源ガス，Ｏ源ガス，アンモニア並びに，Ｃｕ及びＡｇより選ばれるＩＢ族元素源ガスを供給して基板上に，窒素及びＩＢ族元素をｐ型ドーパントとして含んだ単結晶ＺｎＯを成長させるステップと，（ｂ）ｐ型ドーパントを含んだ単結晶ＺｎＯをＯ源ガスの存在下にアニールするステップを含んでなる，ｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属焼結多孔質体の表面に所望する機能を持つ薄膜を成膜するために用いる金属焼結多孔質部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属焼結多孔質体表面に薄膜を形成する製造方法において、金属粉末を焼結させて得た金属焼結多孔質体の表面を平滑に仕上げた後、その平滑面に皮膜を形成し一体化させる薄膜成膜用金属焼結多孔質部材の製造方法。また、上記金属焼結多孔質体の一表面を、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下になるまで平滑に仕上げる薄膜成膜用金属焼結多孔質部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に透明導電酸化物層を有する透明導電膜において、導電性を低下させずに光線透過率が向上する透明導電膜を提供する。
【解決手段】少なくとも１層からなる透明導電酸化物層１上に、該透明導電酸化物の片面または両面にはカーボン層２が形成され、該カーボン層が、メタン・二酸化炭素・水素のうちから選択した１種類以上のガスを用いて高周波プラズマＣＶＤ法により製膜され、且つ各ガスの体積が下式のいずれか１つを満たすことを特徴とする透明導電膜の製造方法。
０．７≦メタン／（メタン＋水素）≦１．０
０．６≦メタン／（メタン＋二酸化炭素）≦１．０
０．０４≦二酸化炭素／（水素＋二酸化炭素）≦０．１０ （もっと読む）

【課題】特性の向上を図ることが可能な基板、エピタキシャル層付基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、{０００１}面の＜１−１００＞方向におけるオフ角度θが０°超え８°以下の六方晶系ＳｉＣ基板としての基板２と、基板２の表面に形成されたＳｉＣエピタキシャル成長層としての耐圧保持層２２およびｐ領域２３と、耐圧保持層２２およびｐ領域２３の表面に形成された絶縁膜としての酸化膜２６と、酸化膜２６の下の領域（ｐ領域２３の上層）と酸化膜２６との界面（ＭＯＳ界面）に流れる電子を供給するため、上記領域と隣接する位置に形成された導電領域としてのｎ^＋領域２４とを備える。 （もっと読む）

金属材料で作られた電極（３）が、誘電体材料（２）の層上に形成される。少なくとも１つの電極（３）の最下層は、誘電体材料（２）の層と直接接触する触媒材料（４）を構成する。ナノワイヤ（６）は、触媒（４）を用いることにより、電極（３）間に、誘電体材料（２）の層に並行して成長する。次いで、２つの電極（３）を接続するナノワイヤ（６）は、単結晶半導体材料で作られ、誘電体材料（２）の層と接触する。
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【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、平板多角形（平坦六角形状を含む）状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有し、Ｚｒを含有するα型Ａｌ_２Ｏ_３を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】処理パラメータの変動をあまり受けない、化学蒸着用の前駆体物質のより制御可能な計量を行う。
【解決手段】加工物３０上に層を生成する方法であって、層を生成する少なくとも１つの成分を計量し、この成分は計量の際に液相中に存在し、次の処理工程において、異なる凝集状態に少なくとも部分的に変わる方法。 （もっと読む）

【課題】各種金属、特にＡｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ或いは、ＣｌＦ、ＣｌＦ_３、ＣｌＦ_５、ＨＣｌ等のガスに対して耐食性に優れ、乾式洗浄の時に使用されるガスに対して耐エッチング性に優れているＣＶＤ装置用冶具を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ−ＳｉＣは、ＣＶＤ法により形成されたβ−ＳｉＣを構成する結晶のうち、ＳｉＣ（１１１）面の占める比率が０．５以下であり、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２００）面のピーク強度が１．０未満であり、かつ、ＳｉＣ（２００）面の占める比率が、ＳｉＣ（２２０）面の占める比率、ＳｉＣ（３１１）面の占める比率及びＳｉＣ（２２２）面の占める比率のそれぞれより大きい。耐食性ＣＶＤ−ＳｉＣ被覆材は、ＣＶＤ−ＳｉＣがＳｉＣまたは炭素質材からなる基材上に被覆されたＣＶＤ−ＳｉＣ被覆材である。 （もっと読む）

【課題】
電気化学的用途における電気回路に低価格な塗装を提供でき、それらの電気導電性および／又は耐腐食性を強化することができる技術が望まれている。
【解決手段】
溶射技術を用いて高い導電性材料および耐腐食性材料、もしくは高導電性材料および耐腐食性材料に先行する初期物質を耐腐食性金属基板の表面上に被覆し、耐腐食性金属基板の全表面より少ない当該耐腐食性金属基板表面の一部を覆う複数スプラットを当該耐腐食性金属基板表面上に生成する方法。 （もっと読む）