【課題】 種々の気体を長期間に渡って確実にシールすることが可能なシール材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 三次元プラズマイオン注入成膜法を用いて、ゴムにより形成されるパッキン本体１の表面をダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜で被覆する。ダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜は、フッ素含有水素化アモルファス炭素、水素化アモルファス炭素を含む。三次元プラズマイオン注入成膜法は、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン注入によりパッキン本体１の表面にイオン注入層を形成する工程と、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン成膜によりイオン注入層上にダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、エピタキシャル膜の膜厚の均一化を図れるサセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】サセプタ２は、基板ウェーハが載置されるウェーハ載置部２１を有する。このウェーハ載置部２１は、基板ウェーハの形状に対応した凹形状を有し、基板ウェーハの外周縁部を支持する第１凹部２１１と、この第１凹部２１１よりも中心側下段に形成される第２凹部２１２とで構成される。このうち、第１凹部２１１の底面は、外周端縁から内周端縁に向かうにしたがってサセプタ２の厚み寸法が小さくなるように傾斜している。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面へのＳｉＣの転写を防止すると共に、均一な組成のＳｉＣ薄膜を得ることができるサセプタおよび化学気相成長方法を提供する。
【解決手段】ＴａＣ被膜４ａによって被覆された黒鉛部材２ａと、ＳｉＣ被膜３ａによって被覆された黒鉛部材２ｂとを組み合わせ、一体化したサセプタを用いる。黒鉛部材２ａの外形形状は、例えば円盤状であり、その表面はＴａＣ被膜４ａによって被覆されている。黒鉛部材２ｂの外形形状は、例えばリング状（枠状）であり、その表面はＳｉＣ被膜３ａによって被覆されている。基板１が黒鉛部材２ａの主面上に配置された状態において、基板１によって被覆された部分を除く黒鉛部材２ａの主面を黒鉛部材２ｂが被覆するように構成されている。 （もっと読む）

単結晶性半導体ナノ粒子を包含する、ナノ粒子を製造するための方法並びに装置を提供する。該方法は、プリカーサ分子を含有するプリカーサガスの存在下で、制限された高周波プラズマを発生させて、ナノ粒子を形成する段階を含む。10nm以下の径を持つフォトルミネッセンス性の珪素ナノ粒子を含む、単結晶性半導体ナノ粒子を、これらの方法に従って製造することができる。
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【課題】 微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を均一性よく被覆できるＣＶＤ装置及びＣＶＤ成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ装置は、微粒子１を載置する容器２と、前記容器２を収容するチャンバー３と、前記容器２に載置された微粒子１を加熱するヒーター４と、前記チャンバー３内に原料ガスを導入するガス導入機構と、を具備し、サーマルＣＶＤ法を用いることにより、前記微粒子１の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 珪素の高い初期効率を維持しつつ、サイクル性に優れ、充放電時の大きな体積変化を減少させたリチウムイオン二次電池負極用の活物質として有効な珪素複合体、及びその製造方法、並びにこの珪素複合体を負極活物質として用いた非水電解質二次電池用負極材を提供する。
【解決手段】 珪素粒子の表面を少なくとも部分的に炭化珪素層で被覆してなることを特徴とする珪素複合体、珪素粉末を９００℃乃至１４００℃で有機炭化水素ガス及び／又は蒸気で熱化学蒸着処理を施したのち、表面の過剰な遊離炭素層を加熱によって酸化除去することを特徴とする珪素複合体の製造方法、及びこの珪素複合体を用いた非水電解質二次電池用負極材。 （もっと読む）

【課題】 鉄系材料との反応を抑制し、切削抵抗を低減できるダイヤモンド部材とその製造方法とを提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド1の表面に薄膜2が形成されたダイヤモンド部材である。この薄膜は次の(A)または(B)のいずれかで構成する。その薄膜の厚さを薄膜構成原子の数で1〜100原子とする。
(A)周期律表4a族元素の炭化物、窒化物、炭窒化物の少なくとも一種
(B)フッ素または酸素
ダイヤモンド表面に上記の薄膜を形成することで、ダイヤモンドと被削材との直接接触を回避または抑制することができる。そのため、本発明部材を切削工具に適用した場合、ダイヤモンドで鉄系材料を高精度に加工することができる。 （もっと読む）

本発明は、
−ケイ素イオンまたはゲルマニウムイオンのビームを使用して、基材を照射することによる核生成サイト（４）の形成と、
−形成された核生成サイト上でのナノストラクチャー（８）の成長
とを含むナノストラクチャーの形成方法に関する。
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化学蒸着法を用いて炭化ケイ素リングを製造するための改良方法。円筒状管を蒸着基板として用い、円筒状管の内面若しくは円筒状マンドレルの外面又は両方に蒸着した結果として生じる材料をスライス又は切断して所望のリング寸法及び形状にする。結果として生じるリングは、完成品に対して実質的に平坦に配向する結晶成長を有する。また、本発明は、窒素ドープ化炭化ケイ素材料、並びに炭化ケイ素構造体の平面に対して、及び互いに実質的に平行な結晶粒成長軸を有し、さらに結晶粒の結晶粒成長軸に対して実質的にランダムである回転配向を有する炭化ケイ素構造体にも関する。

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１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ｉｉ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
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【課題】高速性、均一性に優れ、原料ガスの使用効率を高めて成膜コストを低減することを可能とした成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】反応容器１と、該反応容器１内に設けられ、対向して設けられた少なくとも一対の基体７を支持するための支持体６と、該基体７を加熱する手段と、前記一対の基体７間に形成された空間に原料ガスを吐出するためのガス吐出口８ａと、ガスの排出口９と、前記支持体６を同一方向に回転させる手段とを具備することを特徴とし、前記加熱する手段が高周波誘導加熱であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体表面に塗布される潤滑層において、潤滑剤が保護層に結合するのを阻害する不純物を除くことにより、結合潤滑層を厚くする方法であって、蒸着速度を制御することができる量産にも適した磁気記録媒体の製造方法、並びに製造装置を提供することである。
【解決手段】 基板上に各種の下地層、磁気記録層、保護層および潤滑層が積層された磁気記録媒体を製造する方法において、前記保護層および前記潤滑層を、それぞれ保護層を形成する真空槽および潤滑層を形成する真空槽で連続して形成し、前記保護層を形成する真空槽と前記潤滑層を形成する真空槽とが相互に遮断されており、前記保護層および前記潤滑層を孤立した状態で形成することを特徴とする方法。 （もっと読む）