本発明は、第１の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第１の表面の上のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層とを有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料に関する。
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単結晶半導体材料の製造方法は、テンプレート材料を用意し、テンプレート材料の上面にマスクを形成し、マスクを使用してテンプレート材料上に複数のナノ構造を形成し、ナノ構造上に単結晶半導体を成長させることを含む。
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【課題】カーボンナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を提供する。
【解決手段】マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素であって、下側導体と称する初期導体２１０と、前記初期導体に配置された誘電層２３０と、前記誘電層上の上側導体と称する第２の導体２２０と、一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる誘電層における空洞２４０とを含む、要素に関連する。上側導体２２０は下側導体２１０の上方にブリッジを形成しており、空洞２４０はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベント２４３を形成している。 （もっと読む）

原子層堆積技術を開示する。ある特定の例示的実施形態においては、この技術は、ひずみ薄膜を形成する方法によって実現することができる。この方法は、基板表面に少なくとも１つの第１種原子および少なくとも１つの第２種原子を有する１つまたはそれ以上の前駆物質を供給して、それによって基板表面上に前駆物質の層を形成するステップを備える。この方法は、さらに、基板表面に第３種のプラズマ生成した準安定原子を照射するステップであって、この準安定原子が基板表面から少なくとも１つの第２種原子を脱離させて、少なくとも１つの第１種の原子層を形成するようにしたステップも備える。少なくとも１つの第１種の原子層における所望応力量は、原子層堆積プロセスにおける１つまたはそれ以上のパラメータを制御することによって得ることができる。
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【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】 自然酸化膜を除去するためにＺｒＢ_２等の二硼化物単結晶からなる基板を熱処理する際に、硼素抜けによるＺｒ等元素の偏析を抑制して、基板表面の化学量論組成比を基板自体の化学量論組成比となるように安定に制御した表面処理方法を提供すこと。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、熱処理装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＴｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｈｆ及びＺｒのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板を加熱して基板の表面の自然酸化膜を除去する工程１と、次に熱処理装置内に硼素化合物を供給するとともに基板を加熱して基板の表面の硼素欠損部に硼素を補充する工程２とを具備する。 （もっと読む）

ＭＯＣＶＤによって成長させられるＮ面ＧａＮ膜の平滑な高品質膜のヘテロエピタキシャル成長のための方法を開示する。誤配向基板の使用、およびおそらく基板を窒素化させるステップは、本明細書で開示されるような、平滑なＮ面ＧａＮおよび他のＩＩＩ族窒化物膜の成長を可能にする。本発明はまた、Ｎ面ＧａＮをデバイス応用に対して容認不可能にする、典型的な大型（μｍサイズの）六方晶特徴を回避する。本発明は、Ｎ面デバイスの開発を可能にする、平滑な高品質膜の成長を可能にする。
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【課題】結晶品質に優れ、かつクラックのないＡｌＮ系III族窒化物単結晶厚膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得る場合に、通常の成長条件で厚膜層の形成を行う第１の工程と、その時点で形成されている厚膜層を第１の工程における厚膜層の形成温度Ｔ１以上の高温状態Ｔ２で保持することを主目的とする第２の工程とを適宜のタイミングで切り替えつつ繰り返し行うようにする。これにより、それぞれの第１の工程において厚膜層に内在する歪を第２の工程で逐次に緩和させつつ厚膜層を形成することができる。厚膜層の形成後に面内方向に作用する引張応力を、あらかじめ緩和させた状態の厚膜層を形成することができるので、厚膜層におけるクラックの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】機械研磨によってダイヤモンド基板の表面形状を制御し、厚膜気相合成ダイヤモンド膜成膜に適したダイヤモンド基板を提供することを目的とする。
【構成】ダイヤモンド基板の表面に突設する複数の凸出部が形成され、前記凸出部がダイヤモンド基板の主面部に形成されているダイヤモンド基板である。また本発明に係るダイヤモンド基板において、凸出部の上面部に現れた模様の平面視面積が、ダイヤモンド基板の主面部の面積に対して１０％以上を占有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 フッ素ガスやフッ素系樹脂を用いず、また高価な気相蒸着装置を用いず、簡便かつ効果的な基体表面処理方法を提供する。また、耐水効果に極めて優れた固形物、蛍光体含有組成物を提供する。また、発光特性に優れた蛍光体を効果的に利用しうる発光装置、画像表示装置、および照明装置を提供する。
【解決手段】 下記（１）および（２）の工程を含むことを特徴とする基体表面処理方法。好ましくは（１）および（２）の工程を不活性ガスの雰囲気下で行う前記基体表面処理方法。
（１）フッ化黒鉛を加熱する工程
（２）（１）で得られた生成物を基体と接触させる工程 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板上に特性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体を形成することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することである。
【解決手段】 二硼化物単結晶から成る基板表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、次に塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングした後に窒化ガリウム系化合物半導体を成長する。 （もっと読む）

【課題】画カブリ等の画像ノイズを防止した、非晶質カーボンを表面保護層とする高耐刷である有機感光体を得る事を目的とする。
【解決手段】導電性支持体２上に形成された電子写真感光層７の表面に、少なくとも炭化水素系ガスを含む原料ガスの雰囲気下で、導電性支持体２にパルス高周波電圧と負のパルスバイアス電圧とを重畳して印加して非晶質カーボンからなる表面保護層５を形成した電子写真感光体１であって、原料ガスの圧力が９０Ｐａ以上２００Ｐａ以下の範囲で表面保護層５が形成された構成を有することにより、画カブリの発生を防止した、高耐刷性の電子写真感光体が得られる。 （もっと読む）

【課題】従来の気相結晶成長法を用いて水晶成膜用基板上に形成した水晶ウエハより水晶片を製造する方法では、例えば平板状の水晶成膜用基板主面全面上に所望の厚みの水晶ウエハを形成しても、この水晶ウエハの厚みは、厚い場合でも百数十μｍであり、水晶デバイス内に搭載するサイズの水晶片に機械的な切断加工を施すことが非常に難しい。
【解決手段】水晶片の主面外形形状と同外形形状の平坦面が頂部に形成された凸部が、一方の主面上にマトリックス状に形成されている水晶成膜用基板を用いて、気相結晶成長装置の結晶成長室内に、前記水晶成膜用基板を配置する工程と、水晶成膜用基板に形成したバッファ層の上に水晶片を、気相結晶成長法により成長させる工程と、水晶成膜用基板を結晶成長室内より取り出し、水晶片をバッファ層ごと水晶成膜用基板から個々に分離するする工程とを備えた水晶片の製造方法。 （もっと読む）

【課題】しわの発生を抑制しつつ、鉛直面内に立てて搬送される可撓性基板の撓みや位置ズレを修正することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】可撓性基板１の進行方向を調整するウェブエッジガイド装置２１を成膜室６ａ、６ｂ、・・・、６ｎの下流側に配置し、ウェブエッジガイド装置２１は、可撓性基板１の進入方向に対して垂直な面に沿って可撓性基板１を幅方向全体に渡って旋回させることにより、可撓性基板１の進行方向を調整する。 （もっと読む）

【課題】その欠点を矯正し、多孔性の基材が、制御された微細構造の物質で高密度化されることを可能とする化学気相浸透方法の提供。
【解決手段】浸透条件を、化学蒸着浸透プロセスの開始および終わりにおいて、少なくとも１つの浸透パラメーター、すなわち、ガス相の滞留時間、圧力、温度、ガス相の前駆体含有量、およびガス相の任意のドーパントの濃度を変化させることによって修飾し、変化させ、それにより、浸透条件を、基材内に沈積した物質の微細構造を制御するための基材の孔サイズの変化に適合させることができ、特に一定の微細構造を維持することができる。 （もっと読む）

本出願は、成長の媒体としての希ガスの存在下でMOVPEによって基板上に窒化インジウムを成長させるための方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、得られる基板が０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法であって、ａ．クロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１０００℃より高いが２０００℃より低い温度に基板を加熱することを含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は０．１ｔｏｒｒ〜７６０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法に関する。本発明はまた、得られる基板が０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法であって、ａ．非塩素化ケイ素含有ガスと、塩化水素と、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１０００℃より高いが２０００℃より低い温度に基板を加熱することを含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は０．１ｔｏｒｒ〜７６０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法に関する。 （もっと読む）

【課題】抵抗率のばらつきが少ないリンが高濃度にドーピングされた低抵抗リンドープダイヤモンド薄膜付きダイヤモンド単結晶の製造方法及び低抵抗リンドープダイヤモンド薄膜付きダイヤモンド単結晶を提供する。
【解決手段】原料ガス中のリン原子／炭素原子比を３％以上の条件で抵抗率３００Ωｃｍ以下の低抵抗リンドープダイヤモンドエピタキシャル薄膜２１を｛１１１｝単結晶基板１０の主面に成長させる方法であって、主面のオフ角は０．５０°以上２．７５°以下である。また、低抵抗リンドープダイヤモンド薄膜付きダイヤモンド単結晶２０は、｛１１１｝単結晶基板１０の主面のオフ角が０．５０°以上２．７５°以下であって、且つ、低抵抗リンドープダイヤモンドエピタキシャル薄膜２１の抵抗率が３００Ωｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド基板上にダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状（モフォロジー）を簡単に制御できる方法を提供する。
【解決手段】基板支持体７が、基板載置面７ａの周囲に基板囲繞部７ｂを備えた導電性材料からなる支持体７であって、基板囲繞部７ｂを含む基板支持体７は一体であるか又は基板囲繞部の天面７ｄから所定厚み部分が分離可能とされた構造であり、基板囲繞部の天面を含む部材７ｂの厚さを調整することによって、ダイヤモンド成長面の形状を制御してダイヤモンド成長を行うダイヤモンド製造方法、並びに、基板載置面７ａの周囲に基板囲繞部７ｂを備えた導電性材料からなる基板支持体７であって、基板囲繞部７ｂを含む基板支持体７は一体であるか又は天面７ｄから所定厚み部分が分離可能とされた構造であるダイヤモンド製造用基板支持体７。 （もっと読む）

電解槽（１２５）は電解液（１２３）を保持するための容器を備える。導電的にドーピングした単結晶ダイヤモンド陽極電極（１１０）は電解液（１２３）内に位置するように配置されている。導電性陰極電極（１２０）も同様に配置されている。電源（１３０）に接続するために、導体は電極に連結されている。電解液（１２３）が電極を通過して流れるように、容器に電解液入口（１５０）と電解液出口（１５５）が取り付けられている。一実施形態では、陽極電極（１１０）を陰極（１２０）電極の下流に配置し、酸素および／またはオゾンの生成によって水を含む電解液（１２３）が精製されるようになっている。
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