【課題】表面のオフ角のばらつきが小さい大面積の窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シード基板上に半導体層を成長させて窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶製造方法において、前記シード基板は同一材料の複数のシード基板を含み、前記複数のシード基板のうち少なくとも１つは他のシード基板とオフ角が異なり、前記複数のシード基板上に単一の半導体層を成長させたときに、前記単一の半導体層のオフ角分布が前記複数のシード基板のオフ角分布よりも少なくなるように、半導体結晶製造装置内に前記複数のシード基板を配置して、前記単一の半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】ダイアモンドおよびダイアモンド含有材料と支持体の良好な接着力の確保が可能な被膜を提供する。
【解決手段】０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの層を含んで成る被膜および／または０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成している一炭化タングステン（ＷＣ）の層を含んで成る被膜が単独に、あるいは多層にダイアモンドまたはダイアモンド含有材料の上に施される。 （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】
反応容器内に被処理基材を保持し、その容器内に導入した有機金属化合物のガスから炭化水素系ガスプラズマを発生させることにより、１５〜４０ａｔ％の水素を含有するアモルファス状炭素・水素固形物の微粒子を気相析出させると同時に金属の超微粒子を共析させて、金属粒子含有アモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜を形成し、その後、この膜を酸化処理して金属酸化物部粒子を生成させることを特徴とする半導体加工装置用部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶自立基板を効率良く製造できる方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶等からなるベース基板１１を準備する工程、準備した前記ベース基板１１の単結晶面上に厚さ１０ｎｍ〜１．５μｍの窒化アルミニウム単結晶層１２を形成する薄膜エピタキシャル成長工程、前記工程で得られた窒化アルミニウム単結晶層１２の上に、窒素含有量が前記窒化アルミニウム単結晶層よりも少ない窒化アルミニウム多結晶層１３を形成する多結晶層成長工程、及び前記工程で得られた積層基板から前記ベース基板１１を除去するベース基板除去工程を含んでなる、積層体１４の製造工程の後、第二の窒化アルミニウム単結晶１５を層状に成長させる工程、さらに該窒化アルミニウム単結晶層１５の少なくとも一部を分離して、自立基板として使用可能な窒化アルミニウム単結晶基板１６を得る工程を含む、窒化アルミニウム単結晶自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部２を有する絶縁層１２２が表面に形成された被処理体Ｗに第１の金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、絶縁層の表面に親水化処理を施して親水性の表面にする親水化工程と、親水化処理の行われた絶縁層の表面に第１の金属を含む第１の金属含有原料を用いて成膜処理を施すことにより第１の金属を含む薄膜を形成する薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板が存在しない状態で処理容器内をＣｌおよびＦの少なくとも一方を含むガスに曝露させる前処理工程（工程１）と、その後、処理容器内に基板を搬入する工程（工程２）と、基板が搬入された処理容器内に、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板１２は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材１０と、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１１とからなり、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）≧５０μｍで面取りされている。 （もっと読む）

【課題】過度に複雑な、成長後の加工処理(post growth processing)が最小限に抑えられ、第２のいっそう厚い層と比べて非常に異なる特性を有する薄いダイヤモンド層を有する構造体を合成することが可能となる方法を提供する。
【解決手段】互いに接触している少なくとも２つの層（２０，２２）であって、各々の層は広いバンドギャップの材料でできており、各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違している前記少なくとも２つの層（２０，２２）を有する生成物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマイクロカプセルは、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの内部チャネルを触媒反応器として用いるために特定の前処理を通じてカーボンナノチューブの内部チャネルにのみ金属触媒ナノ粒子を担持させることで、多様な触媒反応に応用できる金属触媒ナノ粒子が担持された高性能カーボンナノチューブ触媒及びこの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は金属触媒ナノ粒子がカーボンナノチューブの内部チャネルの表面にのみ選択的に担持されたカーボンナノチューブ触媒及びこの製造方法に関するものであり、より詳しくは、特定の前処理を通じてカーボンナノチューブの内部表面に欠陥を形成した後、前処理されたカーボンナノチューブに気相の金属前駆体を流し、化学気相蒸着法でカーボンナノチューブの内部チャネルにのみ金属触媒ナノ粒子が担持され得るように製造した優れた選択的触媒反応活性及び耐久性を有する金属触媒ナノ粒子が担持されたカーボンナノチューブ触媒及びこの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム基板上に成長された活性層を含み発光強度を向上可能なウエハ生産物を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０５において、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮといったIII族窒化物からなるバッファ層１３を酸化ガリウム基板１１の主面１１ａ上に摂氏６００度で成長する。バッファ層１３を成長した後に、水素及び窒素を含むガスＧ２を成長炉１０に供給しながら、摂氏１０５０度で酸化ガリウム基板１１及びバッファ層１３を成長炉１１の雰囲気にさらす。III族窒化物半導体層１５の堆積は、改質されたバッファ層上に行われる。改質されたバッファ層は例えばボイドを含む。III族窒化物半導体層１５はＧａＮ及びＡｌＧａＮからなることができる。これらの材料でIII族窒化物半導体層１５を形成するとき、改質されたバッファ層１４上に良好な結晶品質が得られる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の温度調節をしつつ、絶縁基板を有する配線基板の静電気破壊の発生を低減することを目的とする。
【解決手段】第１方向Ｄ１に延びた配線Ｚが配置された絶縁基板１０を有する配線基板３０を配置可能なテーブル面４０Ｓと、テーブル面４０Ｓに形成されるとともに第１方向Ｄ１と交差する方向に延びた直線状の溝部４１と、溝部４１に形成されるとともにガスが注入される注入口４２Ａと、溝部４１に形成されるとともに注入口４２Ａから注入されたガスを排出する排出口４３Ａと、を有するテーブル４０を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】合成皮革との剥離性の向上が可能であるとともにエンボス加工の賦型率を向上可能なエンボス付き離型紙の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸を有するエンボス付き離型基材１と離型基材１の表面上にＣＶＤ法により形成された剥離層２とを備えるエンボス付き離型紙の製造方法において、凹凸を、所定の温度に冷却したエンボスロール５０を熱溶融樹脂１３と接触させ、熱溶融樹脂１３を冷却固化するチルロールエンボス法により形成する。 （もっと読む）

一実施形態では、シャワーヘッドを備えた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバの処理領域内のサセプタ上に１枚または複数の基板を設置するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ中へとシャワーヘッドを通して第１のガリウム含有前駆物質および第１の窒素含有前駆物質を流すことによって、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いて基板の上方に窒化ガリウム層を堆積するステップと、大気に１枚または複数の基板を曝すことなくＭＯＣＶＤチャンバから１枚または複数の基板を取り除くステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するために、処理チャンバ中へと塩素ガスを流すステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するステップの後で、ＭＯＣＶＤチャンバ中へと１枚または複数の基板を搬送するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いてＧａＮ層の上方にＩｎＧａＮ層を堆積するステップとを備えた、化合物窒化物半導体デバイスを製造するための方法を提供する。
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【課題】 ダイヤモンド皮膜と多孔性基材表面との間にボイドがないか、極めて少なく、また、多孔性基材表面にダイヤモンドの連続的な皮膜が形成された、生産性良く製造できるダイヤモンド被覆構造体、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のダイヤモンド被覆構造体は、多孔性基材が、一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を核として成長したダイヤモンド皮膜によって被覆されている。本発明のダイヤモンド被覆構造体は、一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を主体とする分散溶液を多孔性基材に付着させた後、ナノダイヤモンド粒子を核として成長させて製造できる。 （もっと読む）

【課題】刃の厚さを極薄に形成しても剛性を充分に確保でき、耐摩耗性が高められ、安定して精度よく被切断材を切断加工できる切断ブレード、切断ブレードの製造方法及び切断加工装置を提供する。
【解決手段】円形薄板状をなす基材１の外周縁部の切刃を用いて、被切断材を切断加工する切断ブレード１０であって、前記基材１が、ダイヤモンドで形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表層に到達する転位の密度を、簡便かつ効果的に低減することができるＧａＮ系化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の主面上に形成される緩衝層２０と、緩衝層２０上に形成されるＧａＮ系半導体単結晶の活性層３０とを備え、基板１０の主面に平行な任意の方向に屈曲する屈曲転位が活性層３０内における緩衝層２０と活性層３０との界面近傍に存在することを特徴とするＧａＮ系半導体基板。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の主方位面の一部を覆うマスク材１０２と、基板１０１の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜１０３とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜１０３は、マスク材１０２の上に形成され、ダイヤモンド薄膜１０３の結晶方位は基板１０１の結晶方位とそろっている。ダイヤモンド基板１０１に存在する貫通転位１０４ａは、マスク材１０２で覆われていない部分のダイヤモンド基板１０１の主方位面を介してダイヤモンド薄膜１０３まで貫通するが、貫通転位１０４ｂは、マスク材１０２によってダイヤモンド薄膜１０３への伝播が遮られるため、ダイヤモンド薄膜１０３の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上する。 （もっと読む）