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CVD (106,390) | 基体 (14,903) | 材質 (8,740) | 金属、合金からなるもの (1,088)

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【課題】大幅な低フリクション化を図ることができるのはもちろんのこと、量産化が可能となるとともに、製造コストを低減することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】部材1,2間への高面圧の印加によって、局所的固体接触が摺動界面で起こり、摺動部材の摺動面で微視的摩耗が生じる。摺動部材1の潤滑膜11には、炭素系分子12が、単体あるいはその単体の集合体として含有されている。炭素系分子12が、上記微視的摩耗によって、潤滑膜11から露出し、その一部がそこから遊離し、摺動界面に供給される。そのような炭素系分子12は、転動可能な中空構造を有するから、摺動界面で分子レベルのボールベアリングとして作用する。この場合、炭素系分子が少なくとも一つ存在すると、存在しない場合と比較して、局所的フリクションを低減することができる。 (もっと読む)


本発明は、ミクロ/ナノ固体もしくはミクロ/ナノ液体を備えたミストの準備方法、およびミストガス放電による新規の材料の形成方法を提供し、また、進歩性を有する方法による新規の材料の形成装置を提供する。本発明の利点は、従来のガスと比較して、ミストがより広範な範囲の元素および化合物から選択され、より広範な範囲の適切な温度および圧力を有することである。ミストAI(m)の存在により、密閉容器中では、単位体積当たりのミストの濃度は、単位体積当たりのガスの濃度に比べて遥かに高い。特定の状態においては、物理的/化学的反応がより簡単に実施され、新規の材料がより高い効率で形成される。
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基板上へのテルル含有膜の堆積のための方法および組成物を開示している。リアクタおよびこのリアクタ内に配置された少なくとも1つの基板を準備する。テルル含有前駆体を供給してリアクタへ導入し、少なくとも100℃の温度に維持する。テルルを堆積プロセスにより基板上に堆積させて基板上に薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 窒素を含有する酸化亜鉛膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒素及び酸素の混合ガスを、非平衡大気圧プラズマ化して反応性ガスとし、気化した有機亜鉛化合物と混合させ、該有機亜鉛化合物を分解し、基板上に堆積させる窒素含有酸化亜鉛膜の製造方法である。
本発明により製造した酸化亜鉛薄膜は、窒素を含有することでp型特性を実現する薄膜になりうる可能性がある。よって、これを用いてなる半導体製品は、酸化亜鉛が透明であることから、発光部材としての適用を期待できるものである。 (もっと読む)


耐プラズマコーティング材料、耐プラズマコーティング、及びそのようなコーティングをハードウェア部品上に形成する方法。一実施形態では、ハードウェア部品は静電チャック(ESC)であり、耐プラズマコーティングはESCの表面上に形成される。耐プラズマコーティングは、熱溶射以外の方法によって形成され、これによって有利な材料特性を有する耐プラズマコーティングを提供する。
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【課題】工具、金型、摺動部品などに好適に用いられ、環境にも配慮した潤滑油を用いても耐久性を向上させることができる被覆部材を提供する。また、その被覆部材を工具あるいは金型として用いて行う金属材料の加工方法を提供する。
【解決手段】被覆部材10は、潤滑油基油に、アミノ基、カルボキシル基、水酸基およびカルボン酸エステル基のうちの少なくとも一種が結合した炭素原子を1以上有する炭化水素系添加剤21を配合してなる潤滑油20の存在下で使用され、基材11と、珪素を含み基材11の表面に形成され相手材と摺接する硬質非晶質炭素膜12と、を備えることを特徴とする。被覆部材10が工具または金型であれば、金属材料と、工具または金型と、の摺接面間に炭化水素系添加剤21を配合してなる潤滑油20を供給して金属材料の加工を行う。 (もっと読む)


【課題】大面積の機能性堆積膜を膜厚方向に安定して形成することが可能な方法を提供する。特に、帯電特性の優れた高品質な電子写真感光体を安価に生産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】真空気密可能な反応容器に、基体を設置し、ケイ素原子を含む原料ガスを高周波電力により分解し該基体上に堆積膜形成を行う堆積膜形成方法において、堆積膜形成工程中に前記反応容器と排気手段とを接続する排気配管内に三フッ化塩素を含むガスを供給することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】液中プラズマを用い基材をマスキングして成膜を行うことで、従来と同様の形状はもちろん、従来とは異なる形状の被覆膜をも得られる液中プラズマ成膜方法、それにより成膜される被覆膜および液中プラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】原料を含む液体Lに、基材Sと基材Sの被成膜面Sを覆う複数の貫通孔をもつマスク2とを配設する配設工程と、液体Lに気泡Bを発生させる気泡発生工程と、前記原料からなるプラズマを気泡Bに発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマを内包する気泡Bをマスク2を通じて被成膜面Sに接触させて、被成膜面Sに原料の分解成分を堆積させる。配設工程におけるマスク2の配設状態によっては、従来の気相プラズマで形成されるようなセグメント形態の膜とは異なる形態の被覆膜が得られる。 (もっと読む)


【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を低コストで形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置100は、反応容器101の円筒状基体120に対面する一方向に形成された主排気部109と、反応容器101の主排気部109とは異なる方向で、円筒状基体120に対面しない領域に形成された端部排気部111、112とを有している。主排気部109と端部排気部111、112から排気し、その排気バランスを調整することで、円筒状基体120の特に長手方向端部でのプラズマの均一性が向上し、堆積膜の均一性が向上する。 (もっと読む)


【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良くさらに低コストで形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置100では、基体ホルダ107の端部から突出する部分より、反応容器101の内部へ端部供給ガスを放出させることにより、長手方向のプラズマの均一性が向上する。 (もっと読む)


本発明は、YSZ/X/YSZ材料であって、XがYSZとは異なる材料である少なくとも3層のスタックを、基板上に、CVD(化学気相堆積)堆積する段階を含む、SOFC電池用電解質の製造方法に関する。
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【課題】Si基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、SiNx層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si(111)基板1上に、TiおよびVのいずれか1種以上からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜を窒化して、TiN、VNおよび両者の化合物のいずれか1種以上からなる窒化物中間層2を形成する工程と、前記窒化物中間層上に、GaN(0001)、AlN(0001)およびInN(0001)のうちの少なくともいずれか1種以上からなる窒化物半導体単結晶層3を形成する工程とを経て、窒化物半導体基板を作製する。 (もっと読む)


未焼成セラミック体を形成するための工具ダイが記載されている。この工具ダイは、基体上に堆積された耐摩耗性被覆を有し、約0.03μmから約0.8μmRqまでの範囲の平均粗さを与える形態を有する外面または自由面を有する。ある実施の形態において、この耐摩耗性被覆は、微細な粒状材料と粗い粒状材料の多数の交互の層を有する。工具ダイおよび耐摩耗性被覆を製造する方法も提供される。
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【課題】画像欠陥の改善を図り、真空処理特性、製品品質および良品率の向上によるコスト低減を達成することができる真空容器及び堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空容器は、円筒状基体101を設置した基体ホルダーが設置される減圧可能な容器と、容器内を大気状態から排気する排気手段とを有する。真空容器は、基体ホルダーの内部空間内に、排気手段に接続されている排気ポート106aを有する。 (もっと読む)


【課題】導電性ダイヤモンド皮膜を基材金属の表面に密着性良く形成することができ、導電性ダイヤモンド皮膜が電極基材から剥離することが抑制されたダイヤモンド電極とその製造方法、ダイヤモンド電極を陽極として用いることで、長期間、高濃度のオゾンを発生できるオゾン発生装置を提供する。
【解決手段】純Ti、Ti合金、純Nb、純Taから選ばれる基材金属からなる電極基材と、電極基材の表面にボロンをドープして形成された導電性ダイヤモンド皮膜よりなり、電極基材と導電性ダイヤモンド皮膜との界面には基材金属種の水素化物が形成されており、X線回析測定で得られる水素化物の主ピ−クと基材金属の主ピ−クとの強度比が、0.1以上、3.0以下である。 (もっと読む)


【課題】気体と直接接触する環境下における耐ドレンエロージョン性及び耐ファウリング性に優れた回転機械用の部品を提供する。
【解決手段】金属基材1の表面1a上に、耐エロージョン性に優れたTiN、TiAlN、CrN、TiC、TiCN、ZrNの内の少なくとも1種以上からなる硬質皮膜2と、耐摩耗性に優れたふっ素含有ダイヤモンドライクカーボンからなるファウリング防止皮膜3とが積層されてなる。ファウリング防止皮膜3は、硬質皮膜2側からファウリング防止皮膜3の表面に向かうに従ってふっ素濃度が高くなるように、膜厚方向で濃度勾配が設けられ、表面におけるふっ素濃度が10〜40質量%の範囲である傾斜組成膜である。 (もっと読む)


【課題】クラスターイオンビームにより、自形面を持ち、10μm四方の最大高さで1μmを超えるダイヤモンド被覆膜表面を平滑化し、切削抵抗が少なく、切り屑排出性に優れ、切れ味の良いダイヤモンド被覆切削工具及び製造方法を提供。
【解決手段】超硬合金製の基体に、原子間力顕微鏡観察像において、10μm四方における最大高さが1μm以上のCVD法により形成された多結晶質ダイヤモンド被覆膜を形成した後、ダイヤモンド被覆膜4の垂直面7に対し、入射角θを60°超80°未満でガスクラスターイオンビーム1を照射して、少なくとも長手方向長さが5μm以上の複数の平行溝(研磨痕)2を形成し、かつ、10μm四方における最大高さで0.5μm以下又は中心線平均粗さで0.1μm以下に研磨する。また、超硬合金製の切削工具基体の切れ刃12の逃げ面13又はすくい面11を平滑化する。さらに切れ刃12′の丸み半径を10μm以下とする。 (もっと読む)


【課題】特に光学積層膜を設計どおりに再現性よく得ることができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に原料ガスを導入する工程と、高周波電力を印加する工程を複数回繰り返す事により、基板上に複数の堆積膜を積層する堆積膜形成方法であって、(1)反応容器体積とガス圧力とガス流量から計算されるガス滞留時間の5倍以上の時間、一定流量のガスを流しつづけ、反応容器内のガス分布を安定化させる安定化工程211と、安定化工程211後に高周波電源から電力を印加して放電を開始し、基板上に堆積膜を形成する膜堆積工程212と、を有し、(2)膜堆積工程212は、電力の立ち上がり工程201と、インピーダンス整合工程203と、安定放電工程205と、電力をオフする立ち下がり工程204と、からなり、立ち上がり工程201とインピーダンス整合工程203と立ち下がり工程204の合計時間が、1秒以上、10秒以下である。 (もっと読む)


【課題】ゲートバルブを介して接続されたチャンバの間をキャリアが通過する際のキャリアに加わる衝撃を緩和することを可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】ゲートバルブ70aを介して接続された複数のチャンバ70b,70cと、複数のチャンバ70b,70c内で成膜対象となる基板80を保持するキャリア25と、キャリア25を複数のチャンバ70b,70cの間で順次搬送させる搬送機構とを備え、各チャンバ70b,70c内には、水平軸回りに回転自在に支持された複数のベアリング75がキャリア25の搬送方向に並んで設けられ、これら複数のベアリング75の上をキャリア25が移動可能とされており、なお且つ、ゲートバルブ70aを介して接続されたチャンバ70b,70cのそれぞれ入側と出側に位置するベアリング75a,75bは、緩衝機構を有する支軸に回転自在に取り付けられている。 (もっと読む)


【課題】堆積膜形成面内における膜厚や膜特性の均一性に優れ、欠陥の少ない堆積膜を、生産性良く形成できる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置の反応容器は、基体ホルダ107の長手方向に移動または伸縮可能な導電性棒状体123を備えている。基体が装着された基体ホルダ107の長手方向一端側を基体ホルダ保持手段115が保持すると、導電性棒状体123が移動または伸縮して、基体ホルダ保持手段115と逆側となる基体ホルダ107の他端側に位置する反応容器に接触し、電気的に接続される。更に導電性棒状体123は、基体ホルダ保持手段115と逆側となる基体ホルダ107の他端側にも接触しており、基体ホルダ107の長手方向両端は反応容器と電気的に接続状態となる。また、基体ホルダ107の搬入、搬出時には導電性棒状体は格納されるため、基体搬送機構による自動搬送が可能である。 (もっと読む)


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