【課題】電極保護膜として用いた場合に電極の放電開始電圧を低くでき、且つ、製造コストが低い酸化マグネシウム膜を提供すること。
【解決手段】酸化マグネシウム膜１は、酸化マグネシウム薄膜部４と、その表面から成長して酸化マグネシウム薄膜部４と一体になっているウィスカー５とを有している。酸化マグネシウム膜１は、基材２の表面に、大気開放下での化学気相析出法（ＣＶＤ法）によって酸化マグネシウム薄膜部４を形成し、この表面からウィスカー５を成長させることにより形成される。この酸化マグネシウム膜１を電極保護膜として用いたプラズマ生成電極は、放電開始電圧が従来よりも３０％以上低減されている。 （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】
反応容器内に被処理基材を保持し、その容器内に導入した有機金属化合物のガスから炭化水素系ガスプラズマを発生させることにより、１５〜４０ａｔ％の水素を含有するアモルファス状炭素・水素固形物の微粒子を気相析出させると同時に金属の超微粒子を共析させて、金属粒子含有アモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜を形成し、その後、この膜を酸化処理して金属酸化物部粒子を生成させることを特徴とする半導体加工装置用部材の製造方法。 （もっと読む）

プロセスチャンバと、プロセスチャンバへの前駆体ガス入口と、送出口と、プロセスチャンバ内に配置されたプラズマ源とを備える、材料を移動する基材上に蒸着するＰＥＣＶＤ装置が提供される。プラズマ源は、１つ以上の負グロー領域と、１つ以上の陽光柱とを生成する。少なくとも１つの陽光柱は、基材に向かって配置される。プラズマ源、および前駆体ガス入り口は、互いにおよび基材に対して関連して配置され、それにより前駆体ガスは基材に隣接した陽光柱内に注入される。装置は、前駆体ガスを、負グロー領域から離れて陽光柱内に導くように提供される。
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【課題】本発明は、625〜800℃の温度で化学蒸着によって切削工具インサート上に結晶質α−Al₂O₃層を堆積する方法による切削工具に関する。
【解決手段】本発明の方法は、X+Y+Z≧1及びZ>0好ましくはZ>0.2であり、0.1〜1.5μmのTiC_XN_YO_Zの層を堆積する工程、0.5〜3vol％のO₂好ましくはCO₂とH₂またはO₂とH₂を含有するガス混合物中で任意に0.5〜6vol％のHClの存在する中において約0.5〜4分の短い時間625〜1000℃で前記層を処理する工程、及び40〜300ミリバールの処理圧力と625〜800℃の温度で、処置した前記層を、H₂中に2〜10vol％のAlCl₃と16〜40vol％のCO₂とを含有するガス混合物と、0.8〜2vol％の硫黄含有剤好ましくはH₂Sとに、接触させることによって前記Al₂O₃層を堆積させる工程を含む。本発明は、本発明のα−Al₂O₃層の少なくとも1層の被膜を有する切削工具インサートも含む。 （もっと読む）

【課題】配向基板上に高速、安価で容易にエピタキシャル薄膜を成長させる。
【解決手段】配向基板上に、燃焼化学蒸着法（ＣＣＶＤ）などを用いてペロブスカイト系誘電層を形成する。ＣＣＶＤ装置１００の供給端１０２に供給される前駆物質は、別の供給口１０６から供給される酸素と反応し、生成物を基板Ｓに堆積させる。コンデンサにおける誘電体としては、ＭｇＯ単結晶基板を用い、有機金属化合物を前駆物質としてＳｒＴｉＯ_３を形成するほか、ＢａＳｒＴｉＯ_３形成技術などを得る。 （もっと読む）

【課題】製造装置の小型化を図り、基板の汚染を防ぎ、かつ基板のシワの発生を防止可能とする薄膜積層体の製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板２の表面に薄膜形成するための成膜部と、搬送されるフィルム基板を成膜部内でガイドするように、フィルム基板の成膜面２ａに当接して配設される少なくとも１本のガイドロール８とを備え、ガイドロールにおける長手方向の中央部８ａの直径が、その長手方向の両端部８ｂの直径よりも小さく形成され、ガイドロールの両端部とフィルム基板とが当接し、ガイドロールの近傍でフィルム基板の幅方向の両端部にそれぞれ当接して配設されるテンションロール９，１０が、フィルム基板に前記幅方向の張力を加えるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基材とダイヤモンド膜との界面で剥離が生じにくいダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド被覆工具は、基材と、基材の表面を被覆したダイヤモンド膜とを含むダイヤモンド被覆工具であって、基材の表面は、算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが１μｍ以上１００μｍ以下であり、ダイヤモンド膜は、基材と接する部分から結晶成長方向に伸びる空隙を複数有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの作動面にコーティングを有している、ピストンリングのような摺動要素に関し、このコーティングは接着層（１０）と、金属を含有する、好ましくはタングステンを含有するＤＬＣ層（１２）と、金属を含まないＤＬＣ層（１４）と、を内側から外側へ備え、金属を含まないＤＬＣ層の厚さの、金属を含有するＤＬＣ層の厚さに対する比が０．７〜１．５の範囲であり、及び／又は、コーティングの厚さ全体に対する比が０．４〜０．６の範囲であることを特徴とする。
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【課題】 鋼、鋳鉄等の高速ミーリング切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）ＴｉＮ層からなる下部層、（ｂ）微粒縦長成長結晶組織を有するＴｉＣ層と、粒状結晶組織のＴｉＣ層、ＴｉＮ層、ＴｉＣＮ層の何れかからなるＴｉ化合物層、との交互積層構造からなる中間層、（ｃ）酸化アルミニウム層、を硬質被覆層として蒸着形成した、あるいは、必要に応じ、ＴｉＣＯ層、ＴｉＣＮＯ層の何れかからなる密着層を、上記（ｂ）中間層と（ｃ）酸化アルミニウム層との間に介在形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

基板上に材料を堆積及び結晶化する方法が開示され、特定の実施態様において、その方法は、堆積され、吹きつけられる種及びエネルギー輸送種を有するプラズマの生成を含んでもよい。第一の期間の間、基板にバイアス電圧は印加されず、プラズマ堆積を通じて種が基板上に堆積する。第二の期間の間、基板に電圧が印加され、堆積した種に向かって及び内部にイオンが引き付けられ、それにより堆積した層が結晶化する。このプロセスを十分な厚みが得られるまで繰り返すことができ、他の実施態様では、バイアス電圧又はバイアスパルス継続時間を変更して、生ずる結晶化の量を変えることができる。他の実施態様において、ドーパントを用いて、堆積した層をドープしてもよい。
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【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、２５０℃〜３５０℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、ＣＶＤでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、摩耗および腐食からの保護が改善された、基板上のコーティングシステムに関する。本発明に従い、基板をダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）層でコーティングする。このＤＬＣ層を、ＤＬＣコーティング材料と異なる材料を用いたさらなる層でコーティングすることにより、ＤＬＣ層のピンホールを閉じる。
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【課題】基材とＤＬＣ被膜との密着力および耐食性が高い摺動部材、および当該摺動部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】摺動部材１は、プラズマ窒化処理により表層に窒化層２０が形成されたステンレス鋼製の基材３と、直流プラズマＣＶＤ法により基材３の表面に形成されたＤＬＣ被膜２１と、ＤＬＣ被膜２１により形成された摺動面２２とを含む。プラズマ窒化処理は、基材３の温度が４５０℃以下、処理室内の圧力が６００Ｐａ以上、処理室内に導入する窒素ガスおよび水素ガスを含む処理ガス中の窒素ガス濃度が８０vol％以上１００vol％未満の条件下で、処理室内にプラズマを発生させることにより行われる。また、ＤＬＣ被膜２１の成膜処理は、基材３の温度が４５０℃以下の条件下で行われる。 （もっと読む）

【課題】金属を含む部材からの汚染が防止され、且つ、メンテナンス時における副生成物の除去が容易なシリコンウェーハの処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０と、チャンバー２０に取り付けられ金属を含む材料からなる複数の部材とを備える。前記複数の部材のうち、副生成物の付着が相対的に多い排気配管４１及びイグゾーストキャップ４２にはＤＬＣコーティングが施され、副生成物の付着が相対的に少ない他の部材には石英コーティングが施されている。本発明によれば、副生成物の付着のしやすさに応じてコーティング材料を選択していることから、金属汚染を防止しつつ、メンテナンス時において副生成物を容易に除去することが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、マルチゾーン金属コーティングを備える基材を調製するためのプロセスであって、任意で前記金属材料とは相違する組成を有する金属外層を含む金属材料を温度Ｔ１へ加熱する段階と、アルミニウム、マグネシウム、及び／又は亜鉛のコーティングを蒸着させる段階と、及び温度Ｔ２へ冷却させて前記蒸着を持続する段階とを含むプロセスに関する。本発明はさらに、前記プロセスを用いて入手できるマルチゾーン金属コーティングを備える基材に関する。
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第１材料／第２材料のナノコンポジットを製造するための方法が開示される。本方法は、電気化学的に活性な及び電気化学的に不活性な材料を含有する前駆体を用意する工程を含むことができる。その後、前駆体は、エアロゾルガス中に懸濁されてエアロゾルを生成することができ、高磁場領域を有するプラズマを提供することができる。エアロゾルはプラズマの高磁場領域を通過することができ、エアロゾル中の前駆体の少なくとも一部が気化する。続いて、高磁場領域において気化した前駆体は、高磁場領域から取り出され、そして少なくとも１つの電気化学的に活性な材料を含有する第１材料／第２材料のナノコンポジットに凝縮される。
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【課題】良好な初期なじみ性および耐摩耗性を有するなじみ層を提供し、これにより、摺動時におけるなじみ性を向上させることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】アウタークラッチプレート３５の表面（基材２Ａの表面）は、ＤＬＣ膜１５によって被覆されている。ＤＬＣ膜１５上には、直流パルスプラズマＣＶＤ法によるＤＬＣの堆積層であるなじみ層１６が形成されている。なじみ層１６は、Ｎ（窒素）、Ｈ（水素）およびＳｉ（シリコン）を含有している。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面温度を上げないで表面の膜を加熱処理する方法として、加熱した熱容量の大きい固体を瞬時に接触させ離す方法がある。例えば基板に加熱したローラを回転させ線接触させる。しかし、基板のたわみやゴミなどで、基板の支持台との熱接触が均一にできないという課題がある。このために、大面積基板の均一な再現性のある熱処理が可能でなかった。
【解決手段】支持台と基板の間に粘性材を挿入する。均一な再現性のある熱接触が可能となった。屈曲可能なシート状の樹脂基板上の塗布膜に回転加熱ローラを接触させて膜を焼成する熱処理が可能となった。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマイクロカプセルは、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持台の上に基板を置き、基板を支持台から加熱するのでなく高温のガスを吹き付けることにより基板上の膜を高温アニールして膜を形成する、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成するときに基板と支持台の密着がゴミや空気、基板ゆがみのために不完全であった。このために、大面積基板の均一な再現性のある熱処理が可能でなかった。
【解決手段】支持台と基板の間に粘性材を挿入する。均一な再現性のある熱接触が可能となった。屈曲可能なシート状の樹脂基板でも高温ガスを吹き付ける熱処理が可能となった。 （もっと読む）