【課題】 本発明は、簡易に、特性の均一性と画像特性を同時に向上させる方法を提供する。
【解決手段】 リング状部材１００の外周面に、周方向の３箇所の位置に凸部１０３を有し、リング状部材１００を変形させて、凸部１０３が円筒状基体１０５および補助基体１０８の内面に接触しない状態で、リング状部材１００を所定の位置に配置し、その後、リング状部材１００を変形させて、凸部１０３が円筒状基体１０５および補助基体１０８の内面に接触した状態で基体ホルダ４１８に円筒状基体１０５、リング状部材１００および補助基体１０８を設置する。 （もっと読む）

【課題】生産コストを低くできるプラズマ処理装置及び基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバー１と、チャンバー１内に配置され、基材２を保持する基材ホルダー３と、チャンバー１に繋げられ、チャンバー１内にエッチング用の処理ガスを導入するガス導入経路と、チャンバー１内に５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源４と、を具備し、高周波電源４から供給された高周波出力によりチャンバー１内に前記エッチング用の処理ガスのプラズマを発生させて基材２の表面層を除去する。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置において、受光面となる半導体基板の表面をウィスカー群（ナノワイヤー群）で被覆されるようにして、表面反射を低減させる。すなわち、半導体基板の受光面側に、ウィスカー状の成長表面を有する半導体層を設ける。当該半導体層は、任意の凹凸構造を有することになるので、半導体基板での表面反射を低減させ、変換効率を向上させる効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により大面積で高透過率、低抵抗率の透明導電膜を得ること。
【解決手段】ＣＶＤ反応容器の第１の領域にショウノウを配置する工程と、ＣＶＤ反応容器の第２の領域にグラフェンシートを形成する基板を配置する工程と、第１の領域を加熱して、ショウノウを蒸気化し、ＣＶＤ反応容器内において、不活性ガスのキャリアガスを第１の領域から第２の領域に向けて流すことにより、加熱された第２の領域に配置された基板（Ｎｉ）上にショウノウの蒸気を導く工程と、加熱された第２の領域に配置された基板上において、ショウノウの蒸気を熱分解して、基板上に、グラフェンシートを得る工程を有する。そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプローブの先端部に抵抗率が１０^−２Ω・ｍ以下、硬度が６００Ｈｖ以上のＤＬＣ膜を被覆する技術及びプラズマ処理装置を提供し、この導電性ＤＬＣを被覆したコンタクトプローブ及びこのプローブを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】コンタクトプローブ基材の先端部に加わる高電界を緩和する構造の支持手段にコンタクトプローブ基材を挟止し、プラズマ処理装置内で前記プローブ基材表面をクリーニングする工程と、前記基材表面に窒素イオンと炭素イオンを照射して基材金属の窒化物と炭化物の混合被膜を形成する工程と、炭化水素ガス放電プラズマを発生させ、コンタクトプローブの先端部に導電性ＤＬＣ被膜を形成する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】別途加熱手段を設けることなく、真空室に送り込む原料ガスを加熱するとともに、基板を適切に加熱することで、安定して基板上に膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを内部に配置するとともに所定の真空度を維持し得る加熱室１３を有して、熱化学気相成長法により基板Ｋに原料ガスＧを供給してカーボンナノチューブを成長させる熱ＣＶＤ装置であって、基板Ｋの上方で且つ加熱室１３内に配置されて基板Ｋを加熱する加熱装置２１と、この加熱装置２１の上方に配置されて加熱装置２１により加熱される渦巻状の被加熱部３３を有するとともに基板Ｋの下方から原料ガスＧを供給するガス供給管３１とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 比較的高い成膜速度で、特性ムラおよび欠陥の少ない良好な堆積膜を形成する。
【解決手段】 円柱状または円筒状の複数の基体の外周面に堆積膜を形成する堆積膜の形成方法であって、複数の前記基体を、各中心軸を平行にして、隣り合う前記基体間で前記外周面同士を間隙をおいて対向させた状態で、反応室内に配置する第１ステップと、該反応室内に前記堆積膜の原料ガスを連続的に供給するとともに排出する第２ステップと、隣り合う前記基体を前記中心軸回りに互いに逆方向に回転させて、前記間隙に流れ込む前記原料ガスの流れを生じさせる第３ステップと、対向する前記外周面間に電圧を印加して前記原料ガスを分解し、分解生成物からなる堆積膜を前記外周面に堆積させる第４ステップと、を含むことを特徴とする堆積膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来、困難とされていた無極性高分子材や平滑金属材等に対して、簡易な装置・方法により、安定した接着性や塗膜密着性の確保が可能となり、接着・塗装工程の生産性を格段に向上させることができる接着方法を提供すること。
【解決手段】被着体対の被接着面の少なくとも一方を火炎処理により表面改質処理後、接着剤を塗布して前記被着対を接着する方法。表面改質処理を、液状で熱分解性の表面改質剤を、可燃性ガスと酸化性ガスとを混合させた燃料ガスの燃焼火炎をキャリヤーとして、火炎バーナ２９から被着体Ｓの被接着面に吹き付けておこなう。その際、表面改質剤を、ナノポンプ１５を介して、火炎バーナ２９への可燃性ガス、前記酸化性ガス又は前記燃料ガスのガス供給路の途中に供給することにより気化（霧化を含む。）させて、火炎バーナ２９に燃料ガスとともに供給する。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ皮膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされたＤＬＣ皮膜であって、表面エネルギーが５２〜７４ｍＪ／ｍ^２またはエチレングリコールの接触角が２７〜５１度であるＤＬＣ皮膜。前記ＤＬＣ皮膜は、Ｘ線散乱スペクトルにおいてグラファイト結晶ピークを有する。予め作製されたＤＬＣ皮膜にプラズマ処理を施して、表面エネルギーを制御することによりＤＬＣ皮膜を製造するＤＬＣ皮膜の製造方法。前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。 （もっと読む）

【課題】 均一成膜及び成膜面積の大面積化を可能とし、基材表面の全面への同時成膜を可能とする成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、成膜炉１と、送り出しリール２１と巻取りリール２２とからなる一対の回転電極リール２と、プラズマ電源３と、原料ガス供給手段４と、排気手段５と、を備える成膜装置を用いたプラズマＣＶＤ法による成膜方法であって、リール間基材部６３の全面が原料ガスに接するように導電性基材６を該送り出しリール２１から送り出し該巻取りリール２２で巻取りながら、該プラズマ電源３から該回転電極リール２に負電圧を印加して該リール間基材部６３の該基材表面に沿ってプラズマシースＰを形成するとともに、該原料ガスを該プラズマシースＰで活性化して該基材表面に接触させることにより該基材表面に該膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 超音波ホーンの損耗を防ぐことにより高寿命化する。
【解決手段】 多結晶材料からなる超音波ホーン基材１の表面をダイヤモンドライクカーボンからなる皮膜２で覆うことにより非晶化し、ホーン表面における不規則な超音波の集中を防止する。 （もっと読む）

【課題】 膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を形成することができる電子写真感光体の形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】 基体ホルダー１０２に円筒状基体１０１、補助基体１０３を順に設置し、円筒状基体１０１と補助基体１０３が装着された基体ホルダー１０２を減圧可能な反応容器の中の接地接続された受け台１０７に設置し、反応容器の中に原料ガスを導入し、円筒状基体１０１を取り囲むように設置された電極に高周波電力を印加することにより、円筒状基体１０１の上に堆積膜の形成を行う電子写真感光体の形成方法において、補助基体１０３を加圧手段（バネ１０６）により円筒状基体１０１の長手方向へ加圧し、補助基体１０３を円筒状基体１０１へ押圧した状態で堆積膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】 低コストで、優れた性能をもつシリコン系薄膜を提供するために、タクトタイムが短くて、高速の成膜速度で特性のすぐれたシリコン系薄膜と、それを含む半導体素子。さらにこのシリコン系薄膜を用いた密着性、耐環境性などに優れた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｉ型半導体層と前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面領域であって前記ｉ型半導体層と前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面から１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の界面領域の微結晶が（１００）面に優先配向しており、前記ｉ型半導体層の層厚方向における前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合である（２２０）面の配向性が前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層又は前記ｎ型半導体層側では小さく、前記下地層から離れるに伴って大きくなるように変化する。 （もっと読む）

【課題】基材に対する密着力が高いＤＬＣ膜を有し、基材の材料選択の幅が広い被覆部材を提供すること。
【解決手段】被覆部材１００は、基材２００と、基材２００の表面を覆う中間層３００と、中間層３００の表面を覆うＤＬＣ膜４００とを含む。中間層３００およびＤＬＣ膜４００は、基材２００の温度が３００℃以下に維持された状態で形成されている。また、中間層３００は、金属窒化物を含む。中間層３００における硬さＨ２のヤング率Ｅ２に対する比は、基材２００における硬さＨ２のヤング率Ｅ２に対する比よりも大きく、ＤＬＣ膜４００における硬さＨ４のヤング率Ｅ４に対する比よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】透明性を向上させたＳｉＮxＯyＣz膜、および成膜速度を向上させた薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】被成膜基材２にＲＦバイアスを印加し、１ターンのコイル６にＩＣＰ出力を印加して誘導結合プラズマを発生させ、誘導結合プラズマによって有機金属を含む原料ガスを分解するＣＶＤ法を用いることによりＳｉＮxＯyＣz膜を形成する。ＳｉＮxＯyＣz膜は、x、y及びzそれぞれが下記式（１）〜（３）の範囲である。０．２＜x＜１．５・・・（１）、０．３＜y＜０．８・・・（２）、０．０３＜z＜０．４・・・（３） （もっと読む）

【課題】低摩擦摺動材料用の潤滑油として用いた際に極めて低い摩擦係数を示す潤滑油組成物、及び前記潤滑油組成物とＤＬＣ皮膜を摺動面に有する摺動部材とを組み合わせることにより、低摩擦性かつ耐摩耗性に優れた摺動機構を提供すること。
【解決手段】分子内に、窒素（Ｎ）原子及び／又は酸素（Ｏ）原子を有し、硫黄（Ｓ）原子を有してもよい有機モリブデン化合物であって、硫黄含有量が、化合物基準で０．５質量％以下であることを特徴とする有機モリブデン化合物を含む、低摩擦摺動材料用潤滑油組成物、及びこれを用いた摺動機構である。 （もっと読む）

【課題】高価な装置を用いずに透明性に優れた酸化マグネシウム膜を効率良く簡便に形成すること。
【解決手段】原料水溶液として、酢酸マグネシウム四水和物１０ｇを水１９０ｇに溶解し、さらにエチレングリコールを２ｇ添加したものを用意する。原料水溶液を原料霧化装置２の霧化容器２１内に入れると共に、反応空間６１の底部にセットした基板８をヒータ７によって４００℃まで昇温させる。超音波振動子２２を作動させて原料水溶液を霧化し、空気に原料水溶液のミストをキャリアさせた原料ガスを反応空間６１に供給する。基板８の表面に沿って原料ガスが流れると、基板８の表面に酸化マグネシウム膜が形成される。形成された膜は、膜厚が厚くなっても透過率が低下しないことが確認された。また、エチレングリコールの代わりにジエチレングリコールを用いても同じ結果が得られることが確認された。 （もっと読む）

【課題】銅基材に対し簡単な方法で密着性の高い炭素薄膜を積層できる炭素薄膜付銅材の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素薄膜付銅材（10）の製造方法は、銅基材（1）を、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、該銅基材（1）の表面に前記金属を含む化成皮膜からなる下地層（2）を形成する下地層形成工程と、前記工程により下地層（2）を形成した銅基材（1）を炭化水素ガスが存在する雰囲気中で４５０℃〜銅基材の融点未満に加熱し、下地層（2）上に炭素薄膜（3）を形成する炭素薄膜形成工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】作動時に６００ＭＰａあるいはそれ以上の高い摺動面圧が作用する部材に使用しても、成膜した硬質炭素膜層の剥離が生じないようにした硬質炭素膜層を備えた層構造体を開示する。
【解決手段】基材２の上にＴｉ層３、中間層４および硬質炭素膜層５をこの順で積層してなる層構造体１において、中間層４はＳｉとＣの混合成分層であってＴｉ層３の上に形成される第１の層４１とその上に形成される第２の層４２とで構成される。第１の層４１はＣ量に対するＳｉ量の組成比が３０〜６０ｍａｓｓ％の層であり、第２の層４２は第１の層４１から硬質炭素膜層５に向かうに従いＣ量に対するＳｉ量の組成比が減少していく傾斜層であり、硬質炭素膜層５の直下においてＣ量に対するＳｉ量の組成比５〜２０ｍａｓｓ％である。 （もっと読む）

【課題】実質的に純粋な、同形の金属層を１以上の基体上に金属含有前駆体の分解によって堆積する方法を提供する。
【解決手段】堆積プロセスの間、一または複数の基体は前駆体の分解温度より高い温度に維持され、一方、周囲の環境は前駆体の分解温度より低い温度に維持される。前駆体は輸送媒体、たとえば蒸気相の中に分散される。蒸気相はその中に液体も含有し、該蒸気相中の金属含有前駆体（一または複数の金属含有前駆体）の濃度は、金属前駆体（一または複数の金属前駆体）について飽和またはそれに近い状態にある。輸送媒体と基体との間の上述の温度の制御を確保することによって、かつ輸送媒体について飽和状態を維持することによって、堆積された金属薄膜の品質は顕著に改善され、かつ副生金属粉塵の生成は大きく低減されまたは実質的になくされる。 （もっと読む）