【課題】実際の燃料電池の使用環境に即した条件下においても優れた導電性および耐食性を示す燃料電池用セパレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池用セパレータ４０は、ステンレス鋼からなる基材４１と、基材の少なくとも電極に対向する表面に形成され、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する配向性非晶質炭素膜４２と、基材と配向性非晶質炭素膜との界面に生成され両者の構成原子をそれぞれ一種以上含む混合層４３と、混合層から配向性非晶質炭素膜内に突出し、平均長さが１０〜１５０ｎｍである複数の突起４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新規の構造を有し、高い導電性を示す配向性の非晶質炭素膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】配向性非晶質炭素膜は、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する。この膜は、Ｃｓｐ^２を含む炭素環式化合物ガスならびにＣｓｐ^２と窒素および／または珪素とを含む含窒素複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上の化合物ガスと窒素ガスとを含む反応ガスを１５００Ｖ以上で放電させる直流プラズマＣＶＤ法により形成できる。 （もっと読む）

【課題】高面圧が外周摺動面に加わった場合であっても、硬質炭素膜の剥離を著しく低減できるピストンリングを提供する。
【解決手段】ピストンリング基材１と、ピストンリング基材１の少なくとも外周摺動面に設けられた下地膜２と、下地膜２上に設けられた厚さ１μｍ以上７μｍ以下の硬質炭素膜３とを有する。第１のピストンリング１１は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられたＣｒ膜２ａと、Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂとからなるように構成し、第２のピストンリング１２は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられた第１Ｃｒ膜２ａと、第１Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂと、Ｃｒ−Ｎ膜２ｂ上に設けられて硬質炭素膜３の厚さを１００としたときの厚さが２〜５の範囲の第２Ｃｒ膜２ｃとからなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、成膜後に改質し用途適正を向上させてなるＤＬＣ被覆部材とそれの有利な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、膜厚３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この部材表面における厚膜ＤＬＣを、水素が１３〜３０原子％で残部が炭素からなり、かつ共析金属微粒子を含む微粒子堆積層とし、この層の残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜にて形成する。 （もっと読む）

【課題】 膜厚や膜質の均一性に優れた堆積膜を形成することが可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により該円筒状基体上に堆積膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッジ部を有する各種ワークをプラズマ浸炭方法で浸炭を行う際、エッジ部と平坦部との炭素濃度の差が小さく、冷却時にエッジ部に生じる網状の炭化物の生成を抑制し、さらに特許文献１に記載の方法における課題も同時に解決すること。
【解決手段】真空炉内に、エッジ部を有するワークを収容し、該真空炉内に浸炭性ガスを供給してグロー放電するプラズマ浸炭処理（浸炭処理工程）を施した後、引き続きアルゴンに代表される不活性ガスを含む中性あるいは還元性のガスプラズマ処理によりワーク表面層の炭素をワーク内部に拡散させる工程（拡散工程）を有することを特徴とする、エッジ部を有するワークの浸炭方法。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド膜の耐剥離性を高めた、金型等として用いられるダイヤモンド被覆部材を提供する。
【解決手段】鉄鋼材料からなる母材表面に、中間層を介して、０．５〜５μｍの膜厚のダイヤモンド膜が被覆形成されたダイヤモンド被覆部材であって、前記母材の表面は、Ｒａ：０．５〜３μｍで、かつ、Ｒｚ：５μｍ以下である表面粗さを有し、また、前記中間層は、Ｒｚ：５μｍ以下の表面粗さを有し、かつ、その熱膨張係数が、ダイヤモンド膜の熱膨張係数以上であって７．８×１０^−６／Ｋ以下であるＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４等の材質で構成される。 （もっと読む）

【課題】 成長領域に供給された原料ガスが予熱領域へ侵入するのを防ぎ、均質で安定した組成の超電導薄膜を成膜可能なＣＶＤ装置、及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】 ２枚の遮蔽板によってテープ状基材の走行方向に３分割された反応室と、これら２枚の遮蔽板で挟まれた成長領域に原料ガスを噴出する原料ガス噴出部と、反応室内のガスを排気するガス排気部と、テープ状基材を加熱するサセプタと、遮蔽板とサセプタの間に形成されたテープ状基材が走行するための開口部を備え、反応室内でサセプタ直上を走行するテープ状基材の表面に原料ガスを供給し化学反応させることにより、このテープ状基材の表面に超電導薄膜を成膜するＣＶＤ装置において、サセプタに略直角に遮蔽ガスを噴出する遮蔽ガス噴出部を備えている。 （もっと読む）

【課題】 導電性と耐食性に優れた炭素皮膜をステンレス鋼の表面に形成する方法を提供する。
【解決手段】 ステンレス鋼板に例えば９．０％以上の冷間圧延処理を施し、表層部のオーステナイト組織の一部を応力誘起マルテンサイト組織に変態させ、次いで表面にエッチングなどの前処理を施した後、プラズマＣＶＤ法により炭素皮膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１の硬質材料複合層を含む単層又は多層の層系で被覆された、金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの被覆物品、並びにこのような物品の被覆法に関する。本発明は、このような物品のために、単層又は多層であってかつ少なくとも１の硬質材料複合層を有する層系であって、該複合層が主相として立方晶ＴｉＡｌＣＮ及び六方晶ＡｌＮを含み、かつ平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴とする層系を開発するという課題に基づく。前記課題には、このような被覆を廉価に製造するための方法の開発も包含される。本発明による硬質材料複合層は、主相として立方晶ＴｉＡｌＣＮ及び六方晶ＡｌＮを含んでおり、その際、該立方晶ＴｉＡｌＣＮは、≧０．１μｍの結晶子サイズを有する微晶質ｆｃｃ−Ｔｉ_1-xＡｌ_xＣ_yＮ_z（ここで、ｘ＞０．７５、ｙ＝０〜０．２５であり、かつｚ＝０．７５〜１である）であり、かつその際、該複合層は粒界領域内にさらに非晶質炭素を０．０１％〜２０％の質量割合で含有している。被覆は、本発明によれば、ＬＰＣＶＤ法で７００℃〜９００℃の温度でかつ１０²Ｐａ〜１０⁵Ｐａの圧力で、付加的なプラズマ励起なしで行われる。本発明による硬質材料層は、平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴としており、かつ特にＳｉ₃Ｎ₄及びＷＣ／Ｃｏ刃先交換型切削チップ及び鋼部材上の摩滅防止層として使用可能である。
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【課題】低摩擦摺動材料用の潤滑油として用いた際に極めて低い摩擦係数を示す潤滑油組成物を提供すること、及び該潤滑油組成物を用いて、特定の低摩擦摺動材料の皮膜を摺動面に有する摺動部材とを組み合わせることにより、低摩擦性に優れた摺動機構を提供すること。
【解決手段】特定のリン−亜鉛含有化合物、および特定の硫黄含有化合物から選ばれる添加剤を配合してなる低摩擦摺動材料に用いられる潤滑油組成物、及び相互に摺動する２つの摺動部材の摺動面に、前記潤滑油組成物を介在させた摺動機構であって、２つの摺動部材のうち少なくとも一方の摺動面が、水素を５〜５０ａｔｏｍ％含有するＤＬＣ皮膜が形成されている摺動機構である。 （もっと読む）

【課題】ピンホールによる流体の浸入が少ない耐久性に優れたダイヤモンド被覆電極を提供する。
【解決手段】１層のダイヤモンド層２４ａ・・の膜厚Ｔｃが３０〜４０ｎｍの超微結晶であるため、ピンホールそのものが小さくなるとともに表面の撥水効果が高くなって電解液等の流体の浸入が抑制される。また、核付け処理を繰り返して超微結晶ダイヤモンド多層コーティング処理を実施し、所定膜厚Ｔｄのダイヤモンド多層膜２２ａ・・を所定の積層数Ｎ（≧３）だけ形成するため、ダイヤモンド多層膜２２ａ・・の密着性が向上し、単に種結晶生成処理および結晶成長処理を繰り返すだけで目的とする総膜厚Ｔｔとする場合に比較して被膜強度が高くなり、ピンホールによる流体の浸入が抑制されることと相まって剥離に対して優れた耐久性が得られるようになる。ダイヤモンド多層膜２２ａ・・の間にグラファイト層を設けることも、剥離に対する耐久性向上に有効である。 （もっと読む）

【課題】長尺のテープ状基材に対して安定した組成のＹ系超電導層を形成できるとともに、装置の小型化と生産性の向上を図ることができる超電導線材の製造方法及びＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基材導入領域においてテープ状基材を移動させながら加熱する第１工程と、成膜領域においてテープ状基材を移動させながら成膜温度に加熱するとともに、このテープ状基材表面にＹ系超電導層を成膜する第２工程と、を有する超電導線材の製造方法において、第１工程では、テープ状基材の表面温度が成膜温度よりも３０℃を超えて高くならないように温度制御を行う。第２工程では、成膜されるＹ系超電導層内に含まれるＢａとＹの原子比をＸ_Ｂａ／Ｘ_Ｙ、ＣｕとＹの原子比をＸ_Ｃｕ／Ｘ_Ｙ、ＣｕとＢａの原子比をＸ_Ｃｕ／Ｘ_Ｂａとしたときに、Ｘ_Ｂａ／Ｘ_Ｙ＞１．０、Ｘ_Ｃｕ／Ｘ_Ｙ＜３．０、Ｘ_Ｃｕ／Ｘ_Ｂａ＞１．２となるように原料ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】気化室に対して改質剤化合物を供給する際の温度変化の影響を排除し、ひいては、燃料ガス中に含まれる改質剤化合物の濃度変化が少ない表面改質装置等を提供する。
【解決手段】改質剤化合物を貯蔵するための貯蔵室と、所定温度下に蒸発させ、気体状態の改質剤化合物を生成するための気化部と、気化部に、キャリアガスを導入し、気体状態の改質剤化合物を、噴射部に移送するための移送部と、改質剤化合物を含む燃料ガスに由来した火炎を吹き付けるための噴射部と、を含む表面改質装置等であって、気化部が、少なくとも第１の気化室及び第２の気化室を含む複数の気化室を備えるとともに、当該第１の気化室及び第２の気化室を交互使用するための切替装置を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

薄膜を形成するための蒸着反応器および方法。蒸着反応器は、円の孤に沿って配列された、第１の部分から第３の部分を備える。第１の部分は、第１の部分内の凹部に物質を注入するための少なくとも１つの第１の注入部を有する。第２の部分は、第１の部分に隣接しており、第１の部分の凹部に連通可能に接続された凹部を有する。第３の部分は、第２の部分と隣接しており、第２の部分の凹部と連通可能に接続された凹部と、蒸着反応器から物質を排出するための排出部とを有する。
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【課題】フィラメント状のカソード電極の寿命を高めると共に、高硬度で緻密な炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧した成膜室１０１内に炭素を含む原料の気体Ｇを導入し、この気体Ｇを通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極１０４と、その周囲に設けられたアノード電極１０５との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体Ｇを加速して基板Ｄの表面に照射することによって、基板Ｄの表面に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法であって、カソード電極１０４を回転させながら炭化処理した後に、この炭化処理されたカソード電極１０４を用いて、炭素膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】高硬度で緻密な炭素膜を均一な厚みで形成することが可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧された成膜室１０１内に炭素を含む原料の気体Ｇを導入し、この原料の気体Ｇを、通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極１０４と、その周囲に設けられたアノード電極１０５との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体を基板Ｄの表面に加速照射するときに、マグネット１０９によって成膜室１０１内の励起空間に磁場を印加すると共に、この励起空間の周囲に配置されたマグネット１０９を周方向に回転させながら、炭素膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイヤモンド薄膜の生長装置に関する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド薄膜の生長装置は、入気口及び排気口を有する反応室と、前記排気口によって前記反応室に連接された真空装置と、前記入気口と対向して間隔を置いて前記反応室の中に設置された支持体と、前記入気口と前記支持体との間に設置されたホットフィラメントと、を含む。前記ホットフィラメントが少なくとも一つのカーボンナノチューブワイヤからなり、該カーボンナノチューブワイヤが複数のカーボンナノチューブからなる。 （もっと読む）

基板（３）に上の多層コーティング及び多層コーティングを製造するための方法が提供される。前記コーティングは前記コーティングを通る原子の拡散を最小化するように構成され、前記方法は、基板を反応空間に導入し、前記基板上に第１の材料（１）の層を堆積し、及び前記第１の材料（１）の層上に第２の材料（２）の層を堆積することを含む。前記第１の材料（１）及び第２の材料（２）のの層の堆積は、前記反応空間に前駆体を交互に導入することを含み、続いてそれぞれの前駆体導入後にパージングすることを含む。前記第１の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される前駆体、前記第２の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される他の前駆体である。境界領域が、酸化チタン及び酸化アルミニウムの間に形成される。
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【課題】電極保護膜として用いた場合に電極の放電開始電圧を低くでき、且つ、製造コストが低い酸化マグネシウム膜を提供すること。
【解決手段】酸化マグネシウム膜１は、酸化マグネシウム薄膜部４と、その表面から成長して酸化マグネシウム薄膜部４と一体になっている酸化マグネシウム板状結晶５の集合体６とを有している。酸化マグネシウム膜１は、熱分解により酸化マグネシウムを生成するマグネシウム化合物の溶液を基材２の表面に塗布して熱処理することにより形成した下地層３の表面に、大気開放下での化学気相析出法（ＣＶＤ法）によって酸化マグネシウム薄膜部４の表面に酸化マグネシウム板状結晶５を成長させることにより形成される。この酸化マグネシウム膜１を電極保護膜として用いたプラズマ生成電極は、放電開始電圧が従来よりも３０％以上低減されている。 （もっと読む）