【課題】ロールから引き出す連続した基板に半導体の結晶膜を成長させるには、高気密の大気遮断機構が必要である。結晶を成長させるために、それを７００℃以上の高温で可能にさせる第１の課題がある。また半導体ｐｎ接合を切断すると切断面にそれが現れてリークパスとなる。切断してもｐｎ接合端面が切断面に現れない製造方法が第２の課題である。第１、第２の課題を同時に解決する必要がある
【解決手段】シリコン基板を使わないで金属基板の上に半導体膜を積層して、安価で堅牢な太陽電池を製作する。そのために、鉄板をリング状の突起で押さえて機密なＣＶＤ反応室を作り半導体シリコン膜を成長させる第１の発明をした。鉄板を切断するとき接合の端が外部に露出しないように接合を絶縁膜で分離して膜を積層する第２の発明をした。高温で塗布材料を印刷する本発明によれば、鉄板の上の結晶半導体の太陽電池の連続製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明では、成膜処理のスループットの向上を図ることができ、同時に複数種類の処理が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、被処理材Ｓをキャリア３に保持した状態で搬送路Ｒに沿って搬送し、搬送路Ｒに沿って配置された複数のプロセスチャンバで所定の真空処理を行う装置であり、搬送路Ｒの角の部分にそれぞれ配置されている複数の方向転換チャンバ内でキャリア３に保持される被処理材Ｓの交換が行われる。 （もっと読む）

【課題】シール装置で基板や蒸着膜を傷つけることなく、高品質の蒸着膜を連続的に得られる連続真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋをその長さ方向に送ることで連続的に基板Ｋを真空容器６に通過させて、真空容器６の内部で連続的に基板Ｋに蒸着を行う連続真空蒸着装置であって、基板Ｋを真空容器６の内部から外部に導く下流側開口部に、基板Ｋを通過させるとともに真空容器６の内部を気密にし得るシール装置６０が設けられ、シール装置６０が、基板Ｋの表裏面との間に隙間を有して配置されたシール部６３と、シール部６３に保持されて隙間を密封する磁性流体６９とを備える。 （もっと読む）

【課題】基体ホルダー外周面に残留したダストが円筒状補助基体と円筒状基体の端面間の隙間から飛散することを防ぐことができる真空処理方法を提供し、画像欠陥の原因となる電子写真感光体の球状突起を低減することにある。
【解決手段】真空処理方法であって、チャッキング部材の一部と円筒状補助基体の円筒状基体とは反対側の端面とが接触することによりチャッキング部材が円筒状補助基体を加圧し、円筒状補助基体が円筒状基体を押圧して両者の端面同士を密着させる工程と、円筒状基体と円筒状補助基体の端面同士が密着した状態で、搬送容器内を真空排気する排気工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム被覆膜が基材表面に強固に密着してなる耐熱・耐腐食性部材を提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とした被覆膜によって、基材の少なくとも一部が覆われた部材。前記被覆膜が、その最表面に0.5原子％以上40原子％以下のフッ素を含有する窒化アルミニウム膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライコート法による成膜処理において、成膜対象である基板のセッティング性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、基板２５を保持する保持器具５０と、成膜室１１０において、保持器具５０を、取り付けられた基板２５が立った状態となるように固定する基台１１２とを備える。保持器具５０は、枠部５１と、枠部５１の互いに対向する長辺に沿って設けられた第１と第２の側辺支持部５２，５３と、枠部５１の底辺に沿って設けられた底辺支持部５４とを備える。第１と第２の側辺支持部５２，５３は、基板２５の長辺の一部を収容するスリットＳを有する。第１と第２の側辺支持部５２，５３は、基板２５が水平方向へと傾くことを抑制するとともに、基板２５が枠部５１から離間することを抑制する。底辺支持部５４は、基板２５が重力方向へ脱落することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、真空槽１０と被処理物としての各基板１８，１８，…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Ｗｐが供給される。このとき、各基板１８，１８，…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽１０を陽極とし、各基板１８，１８，…を陰極として、これらに直流電力Ｗａが供給される。これによって、各基板１８，１８，…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】小径で長尺な筒状の基材であっても、基材の内面を均一厚みのＤＬＣ膜で被覆することができる被覆部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、直流パルスプラズマＣＶＤ法により被覆部材を製造するためのものである。被覆部材の製造時には、円筒状の基材２００は、処理室３内で宙吊りにされる。宙吊り状態の基材２００は、その軸線Ｃが水平方向に延びるような姿勢にされている。プラズマ電源８をオンすることにより、隔壁２と基台５との間に直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させる。このプラズマの発生により、処理室３内において原料ガスがプラズマ化し、基材２００の内周面および外周面にＤＬＣ膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】凸凹が大きい立体的形状を含むような基材も含め、大気圧状態でも短時間で均一に被膜を形成することができる被膜形成装置及び被膜形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る被膜形成装置１及び被膜形成方法は、希釈ガス供給管２の内部に設けられた導電体の細棒部材が希釈ガス供給管２の内部を優れた共振系とするため、リング状共振器６からスリット６１を介して３６０°方向から照射されたマイクロ波により希釈ガス供給管２の内部に表面波プラズマを形成し、プラズマ化された希釈ガスが混合器７に導入され、原料ガスと混合されることにより、大気圧状態であっても原料ガスのプラズマ化が効率よく行われる。そして、プラズマ化された原料ガスを基材Ｓに噴射することにより、基材Ｓを均一に処理することができ、被膜形成が効率よくかつ安定して行われることになる。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜の強度を高めることができるとともに、小型化を図ることができるようにする。
【解決手段】本発明は、連続して搬送される被成膜基材Ｐに非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜形成部Ｅを有するロールコーター装置において、その非晶質炭素膜形成部Ｅに至る上記搬送経路αの上流側に、上記被成膜基材Ｐを加熱するための加熱機能部Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｇ，Ｈを配設したものである。 （もっと読む）

【課題】コーティング付き基材および同基材を作製する方法を提供する。
【解決手段】コーティングは、チタンオキシカーボナイトライドまたはチタンアルミニウムオキシカーボナイトライドの少なくとも１つの層を含み、該層は、酸素原子のチタン原子に対するパーセント比が約０．０１〜約０．０９の範囲内、アルミニウム原子のチタン原子に対するパーセント比が約０〜約０．１の範囲内にある。コーティングは、硬度のヤング率に対する比率が少なくとも０．０６である。基材は切削インサートとすることができる。上記コーティング付き基材を作製する方法も開示され、その方法では、チタンオキシカーボナイトライドまたはチタンアルミニウムオキシカーボナイトライドを含むコーティング層は、ガスの混合物を使用して、約７５０℃〜約９５０℃で基材に中温化学蒸着（ＭＴ−ＣＶＤ）により堆積され、水素ガスの窒素ガスに対する比率は５を超える。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一な炭素膜を、３次元形状の処理物に成膜する成膜装置，炭素膜の成膜方法及び炭素膜を提供すること。
【解決手段】本発明の炭素膜の成膜装置１は、プラズマＣＶＤ法によってワークＷの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜装置１であって、真空槽１０と、ワークを保持する第一の電極２と、第一の電極２と間隔を隔てた位置にもうけられ、かつ第一の電極２の外周に立設してもうけられた立設部３１を備えた原料ガスをイオン化する第二の電極３と、第一の電極２，第二の電極３のそれぞれに独立して電力を供給する電源装置２５，３５と、原料ガスを供給するノズル４２と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐絶縁性を向上させながらも、低電圧で安定的にプラズマ放電を行うためのプラズマ電極を提供する。
【解決手段】複数の貫通孔を有する金属基板２枚が平行に配設されたプラズマ電極１０であって、該金属基板１３，１４の対向する面には、ブラスト加工、エッチング、プレス、電鋳加工などの表面加工により１〜５００μｍの凹凸が形成され、その上にコーティング層１６が形成されており、前記２枚の金属基板に形成された貫通孔１１，１２は、その表面にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、Ｓｉ０_２などの絶縁膜１７が形成されている。コーティング層１６は、金属基板１３，１４の上にＢａＴｉＯ_３などの強誘電体薄膜が形成されたものであることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】金属塩化物原料を気化させた後、該気化した金属塩化物原料と、水素を含む還元ガスとを反応させて、対象物上にセラミックスを析出させる化学気相析出プロセスにおいて、従来副生物として廃棄されていた低級金属塩化物を回収し、これをもとの金属塩化物に戻して再利用できる化学気相析出プロセスを提供する。
【解決手段】セラミックスの析出反応に伴って排出された排ガス５から、固体又は液体として低級金属塩化物６を抽出する工程と、該低級金属塩化物６を非水溶性の溶媒１１に溶解させる工程と、前記低級金属塩化物６が溶解した溶液７を、加熱した後、塩素ガス８を吹き込み、前記低級金属塩化物６を元の金属塩化物１０に戻して前記金属塩化物原料１として再利用する工程とをさらに具える。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素とシリコン酸化物の特性を兼ね備えた非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜を均一且つ迅速に成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】対向配置された保持電極１と印加電極２を有する電極体１０との間に原料ガスを含む混合ガスＧ₀を供給し、大気圧雰囲気下において、必要に応じて電極体１０と保持電極１との間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極２に交流電圧を印加する。これにより、保持電極１に保持された被成膜体Ｗと電極体１０との間でグロー放電プラズマを発生させ、被成膜体Ｗに非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜を成膜する。原料ガスは、炭化水素系ガスと有機シラン系ガスと酸素源ガスとを含む。原料ガス中、有機シラン系ガス：酸素源ガス＝９９．９：０．１〜０．１：９９．９であり、且つ、炭化水素系ガス：有機シラン系ガス＋酸素源ガス＝１：９９〜９９：１の混合比で構成されている。 （もっと読む）

【課題】分子が分極を有しない原料ガスであっても、十分に加熱してから基板に供給することで、安定して基板上に蒸着膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置および蒸着膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガス加熱装置９で加熱された原料ガスＧを加熱室１３内に導入し、熱化学気相成長法により加熱室１３内の基板Ｋに蒸着させる熱ＣＶＤ装置であって、上記ガス加熱装置９が、上記加熱室１３内に導入する原料ガスＧに交番磁界を与え得る交番磁界発生用コイル３３と、上記交番磁界が与えられた原料ガスＧに電磁波を照射する電磁波発生用コイル３１とを備えるとともに、電磁波発生用コイル３１の軸心に、原料ガスＧを加熱室１３内に導入するガス導入管５を設け、このガス導入管５を通過する原料ガスＧに上記電磁波の電磁エネルギーを吸収させることで当該原料ガスＧを加熱する。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ被膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされた、少なくとも１種類の金属が含有されたＤＬＣ被膜であって、炭素同士の結合の割合および金属と炭素の結合の割合の合計に対して、金属と炭素の結合の割合が２０％以下であるＤＬＣ被膜。プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＤＬＣ被膜を製造するＤＬＣ被膜の製造方法であって、炭化水素と不活性ガスの導入雰囲気中で、金属ターゲットをスパッタリングしつつ炭化水素を解離させて、基材上に、前記金属を含有するＤＬＣ被膜を成膜するＤＬＣ被膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でしかも安価に製造可能であり、耐摩耗性を損なわずに導電性、除電性の高い非晶質炭素膜積層部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基材上に導電性炭素微粒子が分散固定されてなる非連続な微小領域２０と、導電性基板上の該領域以外に堆積された非晶質炭素膜からなる連続した領域３０とを有し、前記の導電性炭素粒子からなる微小領域２０の表面と、前記の非晶質炭素膜からなる連続した領域３０の表面とが、同一平面をなしていることを特徴とする非晶質炭素膜積層部材。 （もっと読む）