本発明は、源から、コーティングされる物品へ、アルミニウムと反応成分とを共転送および共堆積する処理の制御が改善された気相コーティング技術である。一つの方法は、反応成分源を供給する工程を含んでおり、反応成分源の少なくとも一部が反応成分の非ハロゲン化合物を含んでおり、また、アルミニウム源を供給する工程と、ハロゲン化合物活性化剤を供給する工程と、アルミニウムと反応成分とを含んでいる種が、上記金属性表面上に共堆積されてコーティングを形成する効果的な条件で、金属性表面を持つ物品と、反応成分源と、アルミニウム源と、ハロゲン化合物活性化剤とを加熱する工程とを含んでいる。
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【課題】支持台の上に基板を置き、基板を支持台から加熱するのでなく高温のガスを吹き付けることにより基板上の膜を高温アニールして膜を形成する、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成するときに基板と支持台の密着がゴミや空気、基板ゆがみのために不完全であった。このために、大面積基板の均一な再現性のある熱処理が可能でなかった。
【解決手段】支持台と基板の間に粘性材を挿入する。均一な再現性のある熱接触が可能となった。屈曲可能なシート状の樹脂基板でも高温ガスを吹き付ける熱処理が可能となった。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるＤＬＣ膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体１ａと、部品本体１ａの表面に形成された表面硬化層１ｂと、表面硬化層１ｂ上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜３と、表面硬化層１ｂとダイヤモンドライクカーボン膜３との間に設けられたチタン層２とを有する。 （もっと読む）

【課題】安価に密着強度の高い炭素被膜を形成することができるチタン系材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チタン製の基材１１の表層に炭素元素を固溶させて炭素固溶層１２を形成する工程と、該炭素固溶層１２の表面に炭素被膜１３を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】成膜処理時の成膜状況に応じてシート状基材を温度制御して、薄膜部材の品質をより向上させた薄膜部材の製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】成膜ロール６の胴部６０の外周表面６０ａにシート状基材２を密着させた状態で回転搬送させながら、シート状基材２の表面に薄膜を形成してシート状の薄膜部材を製造する薄膜部材の製造装置において、成膜ロール６は、シート状基材２の表面に成膜処理を行う成膜処理部４の対向位置に配設され、胴部６０の表面内側の軸心方向に沿って、かつ胴部６０の円周方向に配設された複数の媒体路６４・６４・・・と、成膜処理部４に対して近い回転位相部分と遠い回転位相部分とで、胴部６０の単位回転位相あたりの媒体路６４・６４・・・への温調媒体の供給量を変更して、前記胴部の外周表面の温度を所定の回転位相ごとに温調する温調機構と、を具備してなる。 （もっと読む）

【課題】電極への異物の付着に起因する不具合を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板の表面に膜を形成するプラズマ処理装置のリアクタは、原料ガスを噴射する噴射体を兼ねる噴射体電極と、基板を支持する支持体を兼ねる支持体電極とをチャンバの内部に収容した構造を有する。リアクタには、支持体電極と噴射体電極との対に直流パルス電圧を印加するパルス電源と、噴射体電極に処理ガスを供給する処理ガス供給回路とが接続される。噴射体電極の内部には、処理ガスの噴射孔が形成された対向面から支持面へ向かう方向（下方向）とは反対の方向（上方向）へ延在する側面に沿う冷媒の流路が形成される。冷媒の流路を形成することに代えて側面に冷却機構を取りつけてもよい。対向面を含まない本体と対向面を含む着脱体とに噴射体電極を分離可能とし、チャンバの外部で着脱体を洗浄してもよい。 （もっと読む）

酸化ストロンチウムルテニウムは、ルテニウム伝導体と酸化ストロンチウムチタン誘電体との間に有効な界面を提供する。酸化ストロンチウムルテニウムの形成は、酸化ストロンチウムを形成するための原子層堆積の使用と、その後の酸化ストロンチウムルテニウムを形成するための酸化ストロンチウムの焼鈍とを含む。酸化ストロンチウムの第１の原子層堆積は水を酸素源として使用して行われ、続いて、その後の酸化ストロンチウムの原子層堆積がオゾンを酸素源として使用して行われる。 （もっと読む）

半導体処理用のデバイス、方法、及びシステムがここで述べられている。半導体処理の幾つかの方法の実施形態は、構造体上にシリコン層を形成することと、シリコン層を通って構造体内に開口部を形成することと、抵抗可変材料がシリコン層上に形成されないように抵抗可変材料を開口部内に選択的に形成することとを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接着シート、かかる接着シートと被着体とを、低温下で効率よく接合し得る接合方法、および、接着シートと被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接着シートは、機能性基板２と、接合膜３とを有しており、被着体４に接着して用いられるものである。この接着シートが備える接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面３５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜３の表面３５に、被着体４との接着性が発現し得るものである。 （もっと読む）

【課題】固体表面の改質方法及び表面改質された基材を提供する。
【解決手段】基材の表面に、環状、枝状、又は直鎖構造からなる有機分子を共有結合を介して被覆し、分子膜を形成し、それにより、液体と固体表面の相互作用を著しく抑制して、前進接触角（θ_Ａ）と後退接触角（θ_Ｒ）の差（θ_Ａ−θ_Ｒ、ヒステリシス）を小さくすることで、液滴の滑落・滑水性、耐水性、固体表面からの液滴の除去性を向上させて耐食性あるいは防食性にして、ヒステリシスが５°以下の撥水性、超撥水性を示す表面に改質する、固体表面の改質方法、及びその表面改質された基材。
【効果】固体表面を極めて小さいヒステリシスを有する表面に改質することを可能とする固体表面の改質方法、及び動的接触角の差が極めて小さいため、塩水が表面に残存しにくい、優れた耐食性を示す基材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】平滑度の高く、高硬度で緻密な炭素膜の形成方法、前記炭素膜を保護膜として用いて記録密度を向上させ、生産効率を高めた磁気記録媒体の製造方法及び前記炭素膜の形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】カソード電極１０４と、アノード電極１０５と、基板ホルダ１０２と、を備えた成膜室１０１内を排気した後に、第２の導入管１１１から不活性ガスＡを導入して、カソード電極１０４の加熱を行うクリーニング工程と、不活性ガスＡの導入を止めて前記成膜室１０１内を排気した後に、第１の導入管１０３から導入した原料ガスＧを前記カソード電極１０４で加熱して、カソード電極１０４とアノード電極１０５との間で放電させ、カソード電極１０４又はアノード電極１０５と基板ホルダ１０２に支持された基板Ｄとの間で電圧を印加して基板Ｄ上に炭素膜を形成する成膜工程と、を有する炭素膜の形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の主方位面の一部を覆うマスク材１０２と、基板１０１の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜１０３とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜１０３は、マスク材１０２の上に形成され、ダイヤモンド薄膜１０３の結晶方位は基板１０１の結晶方位とそろっている。ダイヤモンド基板１０１に存在する貫通転位１０４ａは、マスク材１０２で覆われていない部分のダイヤモンド基板１０１の主方位面を介してダイヤモンド薄膜１０３まで貫通するが、貫通転位１０４ｂは、マスク材１０２によってダイヤモンド薄膜１０３への伝播が遮られるため、ダイヤモンド薄膜１０３の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上する。 （もっと読む）

【課題】単一のＳｉＣ超硬合金層、または少なくとも１つのＳｉＣ超硬合金層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆された物体、および物体を単一のＳｉＣ超硬合金層、または少なくとも１つのＳｉＣ超硬合金層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆する方法を提供する。
【解決手段】単一のＳｉＣ層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣから、ＳｉＣ多層構造体は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質ＳｉＣの混合物、またはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質炭素の混合物から形成する。被覆は、Ｈ₂および／または１種もしくは複数種の不活性ガス、一般式Ｓｉ_nＸ_2n、Ｓｉ_nＸ_2n+2もしくはＳｉ_nＸ_yＨ_z（ここで、Ｘはハロゲン元素、ｎ≧２）で表される１種または複数種のハロゲン化ポリシラン、ならびに１種もしくは複数種の炭化水素を含む混合ガスを用いて、熱ＣＶＤプロセスを介して行う。 （もっと読む）

【課題】該非晶質炭素被膜の初期摩擦係数の低減を含む初期馴染み性を向上させることができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、水素を含有した非晶質炭素被膜を成膜する工程と、前記非晶質炭素被膜の表面に紫外線を照射する工程と、を含む。 （もっと読む）

アルミニウム合金製、特にダイカスト・アルミニウム合金製の部品（１）を被覆する方法が記載され、前記方法は前記- washing the pre-treated parts (1) ; and部品（１）を前処理する工程；- washing the pre-treated parts (1) ; and前処理した前記部品（１）を洗浄する工程；及び前記部品上に少なくとも１つの第１層（３）及び少なくとも１つの第２層（５）を蒸着する工程を含み、前記第１及び第２層（３，５）の各層は可変相対的モル分率を有する２つの構成成分：１）金属材料、及び２）周期律表のIVA族の元素の酸化物に基づく材料の混合物から成る。前記方法によって製造された、アルミニウム合金製の部品（１）が更に記載される。 （もっと読む）

【課題】耐食性、耐傷性および導電性に優れた燃料電池セパレータの製造方法および燃料電池セパレータを提供する。
【解決手段】燃料電池セパレータ１の基材２にアルミニウム合金を用いて、基材２の上に純アルミニウムを蒸着して純アルミニウム層１１を形成し、該純アルミニウム層１１の上に純チタンを蒸着してチタン層１２を形成し、該チタン層１２の上に非晶質炭素を蒸着して非晶質炭素層１３を形成する。この非晶質炭素層１３により、基材２の腐食の原因である水の侵入を防いで耐食性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴを気相成長させる原料ガスを一定の流れで基板に供給できるメンテナンス性のよいリモートプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のリモートプラズマＣＶＤ装置Ｍは、処理すべき基板Ｓが載置される基板ステージ３を有する上方に開口したチャンバ本体１ａと、チャンバ本体の上面開口に着脱自在に装着される蓋体１ｂと、チャンバ本体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段７と、基板ステージ上の基板がプラズマに曝されないように基板上方に設けられた複数の透孔を有する板状の遮蔽部材８ｃとを備える。蓋体の下面周縁部に周方向の間隔を存して垂設した複数本の支持部材８ａと、これら支持部材の下端部に連結される支持フレーム８ｂとを有し、遮蔽部材の周縁部を支持フレームに遮蔽部材の熱膨張または熱収縮が許容されるように載置される。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】基板を流れる電流の局所集中を抑制し、基板端部の電流密度の上昇を緩和するとともに、基板に発生する熱による焼損などの不具合を防ぎ、安定した特性を有する薄膜を成膜することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】原料ガスが導入される反応容器１内に２つの電極を対向して配置し、２つの電極の一方に高周波電力を供給することによってプラズマを生成し、原料ガスを分解して２つの電極の間に搬送されてくる導電性を有する基板の表面に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置において、２つの電極の外側に位置する基板搬送方向の両側には、基板と接触して基板に流れる電流を反応容器１に流すための経路を兼ねる搬送ロール６が設置されているとともに、搬送ロール６は、基板の幅方向に３つに分割されて配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ−ＭｎＯｘをバリア膜に用いても歩留りの低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎ層以上の銅、又は銅合金配線４、８を有し、これらＮ層の銅、又は銅合金配線４、８のバリア膜としてＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜を使用する半導体装置の製造方法であって、第１層乃至第Ｎ−１層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜３は、セルフリミットがかかる前に成膜を完了させ、第Ｎ層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜７は、セルフリミットがかかるように成膜する。 （もっと読む）