【課題】ＣＶＤマスクとして用いられるＳｉＯ２層は熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けると、その構成要素であるＳｉやＯが窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、発光効率の低下と発光効率という問題があった。この、ＳｉＯ2層を用いたマスクパターンの熱的損傷に依る問題点を解決する構造，方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、第１の基板、第１の窒化物半導体膜及び第２の窒化物半導体膜を備えた窒化物半導体構造であって、前記第１の基板は、前記第１の窒化物半導体膜とは異なる材料からなり、前記第１の窒化物半導体膜は前記第１の基板上に成長され、前記第１の窒化物半導体膜上面は、凹部及び凸部が同一材料で形成されており、前記第２の窒化物半導体膜は、前記第１の窒化物半導体膜上面の前記凹部及び凸部上に成長する構造、及びその構造の製造方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長用基板上に直接ＧａＮ系半導体厚膜層を成長させるＧａＮ系半導体基板の製造方法により、ＧａＮ系半導体基板を生産性よく製造できる技術を提供する。
【解決手段】９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。
具体的には、１２００℃以上１４００℃以下で５〜２０時間保持するインゴットアニール処理を施されたＮＧＯ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】再成長層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ａを積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層１２ａ上に前記第一ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第二ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記再成長層１２ｄを形成する際の基板温度を、６００℃〜９００℃の範囲とすることを特徴とする半導体発光素子１の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】大規模、均一かつ高品質のグラフェン膜およびその作成方法を提供する。
【解決手段】結晶質基板１００上に触媒薄膜１０１を形成し、この触媒薄膜を加熱処理して高秩序で選択的に配向した結晶質触媒薄膜を形成し、ガス状炭素源を加熱し触媒薄膜を冷却することで、触媒薄膜上にグラフェン膜１０２が形成される。前記触媒薄膜の触媒材料はＮｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＲｅからなる群から選択された１つまたは複数の元素を含み、厚さは約１ｎｍから約２ｍｍの範囲である。 （もっと読む）

ウエハキャリア（１４０）は、中心軸（１４２）と、中心軸（１４２）と直交する略平坦な上面（１４１）と、ウエハ（５０）を収容するために上面（１４１）の下方に凹んだポケット（１４３）とを画定する本体を備えている。ウエハキャリア（１４０）の本体は、上面（１４１）の周囲に沿って上方に突出するリップ（１８０）を備えることができる。リップ（１８０）は、中心軸（１４２）から離れる半径方向外向き方向において平坦な上面（１４１）から上方に傾斜するリップ面（１８１）を画定している。ウエハキャリア（１４０）の本体は、処理装置（１０）のスピンドル（３０）上に、本体の中心軸（１４２）がスピンドル（３０）と同軸になるように取り付けられている。リップ（１８０）は、ウエハキャリア（１４０）の上面（１４１）の全体にわたるガス流のパターンを改良することができる。
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【課題】凹凸を有する基板上に均一な結晶を成長させる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基板の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる結晶成長方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基板の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させる。このように、バッファ層の堆積レートＲｔとバッファ層の平均の厚さＴを適切に管理することにより、バッファ層の上に形成された窒化物半導体結晶の表面モフォロジーの良好な平坦性が実現できるとともに、結晶欠陥であるピット発生数Ｎｐをきわめて小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】成長途中に生じる凹部を縮小させ、バルク状でかつ結晶性の高い窒化物半導体単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法による窒化物半導体単結晶の製造方法であって、種基板１との界面の裏側に主面および凹部を有する第１の窒化物半導体単結晶部２を前記種基板１上に成長させる工程と、前記凹部内にマスク４を設ける工程と、前記マスク４を覆うように前記第１の窒化物半導体結晶部２上に第２の窒化物半導体結晶部を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】超伝導体の特性劣化を防ぎ、超伝導体の理想的な特性を実現する。
【解決手段】原子層堆積法を用いて超伝導体１２の表面に酸化膜１３を形成する。これにより、自然酸化膜１５を除去し、緻密で均一な酸化膜１３が形成されるので、超伝導体１２の電磁場照射環境での特性劣化を防ぎ、超伝導体１２の理想的な特性を実現することができる。また、緻密な酸化膜１３により、大気中の酸素による超伝導体１２の経年劣化を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ピットの拡大を防ぎかつクラスターの発生を抑制して高品質の窒化物半導体を得ることを可能にする。
【解決手段】不活性ガスからなる第１キャリアガスを用いて基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）を含む第１半導体層を第１成長温度で成長させる工程と、前記不活性ガスと、この不活性ガスよりも少量の水素とを含む第２キャリアガスを用いて、前記第１半導体層上に、前記第１成長温度よりも高い第２成長温度でＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）を含む第２半導体層を成長させる工程と、
前記第２キャリアガスよりも水素の含有量の少ない第３キャリアガスを用いて、前記第２半導体層上に、前記第２成長温度で、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（０≦ｚ＜１、ｚ＜ｘ）を含む第３半導体層を成長させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】反応室を開放することなく、かつ、整流板上部の空間容積を変動させることなく、整流板とウェーハの距離を近づけて成膜処理を行うことができ、生産性、膜厚均一性を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、反応室１１と、反応室１１壁面に設けられ、ウェーハｗの搬入出を行うためのゲート１６と、ガスを内部に導入するための導入口１２ｃと、ガスを整流状態で排出するための整流板１２ｄと、所定の内部容積を有するガス供給ユニット１２ａを備えるガス供給機構１２と、ガス供給ユニット１２ａを、整流板１２ｄの下面がゲート１６の位置より下方となるように移動させることが可能な上下駆動機構１３と、ガスを排出するためのガス排出機構１５と、ウェーハｗを保持するための支持部材１７と、ウェーハｗを所定の温度に加熱するためのヒータ２０ａ、２０ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及びそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、連続成長した窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ²以上から６００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記基板表面は、０個／ｃｍ²以上から２００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記窒化物半導体自立基板の内部のインバージョンドメインよりも前記基板表面に到達するインバージョンドメインの密度が少ない。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド薄膜構造は、基板と、基板の主方位面の一部を覆うマスク材と、基板の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜は、マスク材の上に形成され、ダイヤモンド薄膜の結晶方位は基板の結晶方位とそろっており、基板の主方位面の一部にストライプ状の溝が形成され、マスク材は、ストライプ状の溝を覆うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをあらゆる角度に対して均等な流量で噴出でき、サセプタの対面においては原料ガスの分解、結晶化を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ２の対面が内部に冷媒を流通する手段を有し、原料ガス導入部が円板状の仕切り１２，１２”により上下方向に仕切られた構成からなる複数のガス噴出口１３を備え、該ガス噴出口１３の少なくとも１つが複数の柱状の仕切り１４により円周方向に仕切られた構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法において、リアクタの割れを抑制し、高品質な単結晶体を得ることが可能な単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガス５の供給方向と対向した下面に第１の開口２ａと、上面に前記第１の開口２ａよりも小さい第２の開口２ｂと、内壁面に種基板４を設置するための斜面２ｃと、を有し、前記第２の開口２ｂから前記第１の開口２ａに向かって先細りとなる錐台形状を示す貫通孔３を具備するサセプタ１に対して、前記第１の開口２ａから前記原料ガス５を前記種基板４に供給し、前記種基板４を通過した前記原料ガス５を、前記第２の開口２ｂから前記サセプタ１の外に放出させる。これにより、サセプタ１の外周に設けられたリアクタ７に原料ガス５が流れることが抑制されるため、リアクタ７の割れが低減し、結果として長時間の単結晶体成長が可能となるので、バルク状の高品質な単結晶体が得られる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材１上に炭化タンタル被覆膜２を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材１表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、中温化学蒸着処理を用いて基体をコーティングする方法を提供する。
【解決手段】本発明は、１つ以上の基体を反応室において反応温度まで加熱し、約１〜３０％のハロゲン化水素と所定量の炭素窒素源、金属ハロゲン化合物、Ｈ₂、及び任意のＮ₂とから構成される蒸着処理気体を反応室に導入して、この１つ以上の基体の表面上に浸炭窒化物含有コーティング層を蒸着する中温化学蒸着処理によって、少なくとも１つの基体を浸炭窒化物含有コーティングでコーティングする方法を含む。また、本発明は、蒸着処理気体を反応室に導入する間、反応室における温度勾配を維持する中温化学蒸着処理によって、少なくとも１つの基体を浸炭窒化物含有コーティングでコーティングする実施の形態も含む。 （もっと読む）