【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内における反応ガスの圧力を４５０Ｐａ〜１３３３２Ｐａとし、当該プラズマＣＶＤ装置の第１の電極と第２の電極の間隔を１ｍｍ〜２０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下として、前記第１の電極に６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することにより、第１の電極および第２の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い密着性と耐摩耗性を有する切削工具等の表面被覆部材を提供する。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｏ_３質セラミックスからなる基体６の表面に、第１層としてＡｌ_２Ｏ_３層７を被覆した構成からなり、Ａｌ_２Ｏ_３層７がα型結晶構造で、かつＡｌ_２Ｏ_３層７の表面から測定したＸ線回折分析において（１１６）面に帰属されるピークが最強ピークである切削工具１等の表面被覆部材であり、高い密着性と耐摩耗性を有する。 （もっと読む）

薄膜を形成するための蒸着反応器および方法。蒸着反応器は、円の孤に沿って配列された、第１の部分から第３の部分を備える。第１の部分は、第１の部分内の凹部に物質を注入するための少なくとも１つの第１の注入部を有する。第２の部分は、第１の部分に隣接しており、第１の部分の凹部に連通可能に接続された凹部を有する。第３の部分は、第２の部分と隣接しており、第２の部分の凹部と連通可能に接続された凹部と、蒸着反応器から物質を排出するための排出部とを有する。
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【課題】処理空間の水平面方向におけるプラズマ密度を均一化させることが可能なプラズマ処理装置及びこれに用いる天板を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による天板は、平面アンテナ部材のスロットから放射されるマイクロ波を処理容器内へ透過させて導入するためのプラズマ処理装置用の天板であって、前記天板の前記処理容器内を臨む面側において、前記天板の中心部を中心とした二重以上の円周の上に複数の凹部が形成され、前記天板の凹部が形成された部分を伝搬するマイクロ波と、伝搬するマイクロ波の伝搬モードの種類の数が異なるように、前記天板の凹部が形成されていない部分の厚さとが夫々設定されている。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素上のグラフェン・バッファ層の活性化のための方法およびデバイスを提供する。
【解決手段】炭化ケイ素層上に形成された１つ以上のグラフェン層を有する構造を電気的に活性化させる方法は、炭化ケイ素層と１つ以上のグラフェン層の最下層との間に配置された酸化シリコン層を形成するように構造に酸化プロセスを行うことによって最下層グラフェン層を電気的に活性化するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に均一な膜厚の薄膜を簡便な方法で高品質に形成することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ガス導入口１７から導入されて基板２０と天板部１５の間に向かう原料ガスをリング部材１３によって天板部１５側に誘導する。これにより、原料ガスは基板２０と天板部１５の間では天板部１５の基板側の面に沿って流れる。このとき、その流れから原料ガスの一部が基板２０側に拡散し基板２０表面に到達する。これにより、基板２０表面の近傍に原料ガスの均一な濃度分布が生じ、基板２０表面に均一な膜厚の薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱されるプロセスチャンバーの壁の表面温度に局所的に再現可能な方法で影響を及ぼす。
【解決手段】本発明は、反応炉ハウジングの中に配置された加熱可能なボディ（２）と、ボディ（２）から間隔を空けて配置されており、ボディ（２）を加熱するための加熱デバイス（４）と、ボディ（２）から間隔を空けて配置された冷却デバイス（５）とを備えるＣＶＤ反応炉に関する。加熱可能なボディと加熱デバイスと冷却デバイスとは、加熱デバイス（４）とボディ（２）の間の空間を横切って加熱デバイス（４）からボディ（２）に熱を移動させ、ボディ（２）と冷却デバイス（５）の間の空間を横切ってボディ（２）から冷却デバイス（５）に熱を移動させるように配置される。熱処理中または連続する処理ステップの間に、冷却および／または加熱デバイス（４、５）とボディ（２）との間の空間に制御ボディ（６）を挿入することができる。 （もっと読む）

（０００１）配向された別の基板（１）上の第ＩＩＩ属金属窒化物から形成される、小さい機械的応力を有する半導体構造、および、（０００１）配向された別の基板（１）上の第ＩＩＩ属金属窒化物から形成される半導体構造における内部機械応力を減少させる方法。方法は、第１の窒化物層（２）を形成するために別の基板（１）上に窒化物を成長させるステップ、取り除かれる体積間の層の残りの部分における機械的応力の緩和を提供するための、第１の窒化物層（２）の上側面から予め定められた深さまでその体積を選択的に取り除くことによって第１の窒化物層（２）をパターン化するステップ、および、第１の窒化物層（２）上に連続した第２の窒化物層（８）（第２の窒化物層（８）は、半導体構造の内部の第２の窒化物層（８）の下で取り除かれる体積から空所（７）を囲む）が形成されるまで追加的な窒化物を成長させるステップ、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる基板表面の温度を均一にする。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、被形成体が載置される保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部材を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】ショットキーコンタクト特性が優れており、かつ、良好なデバイス特性を有する半導体素子を実現することができるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上に、少なくともＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層を形成し、チャネル層の上に、少なくともＩｎとＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層を、表面近傍部におけるＩｎ組成比が表面近傍部以外の部分におけるＩｎ組成比よりも小さくなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、625〜800℃の温度で化学蒸着によって切削工具インサート上に結晶質α−Al₂O₃層を堆積する方法による切削工具に関する。
【解決手段】本発明の方法は、X+Y+Z≧1及びZ>0好ましくはZ>0.2であり、0.1〜1.5μmのTiC_XN_YO_Zの層を堆積する工程、0.5〜3vol％のO₂好ましくはCO₂とH₂またはO₂とH₂を含有するガス混合物中で任意に0.5〜6vol％のHClの存在する中において約0.5〜4分の短い時間625〜1000℃で前記層を処理する工程、及び40〜300ミリバールの処理圧力と625〜800℃の温度で、処置した前記層を、H₂中に2〜10vol％のAlCl₃と16〜40vol％のCO₂とを含有するガス混合物と、0.8〜2vol％の硫黄含有剤好ましくはH₂Sとに、接触させることによって前記Al₂O₃層を堆積させる工程を含む。本発明は、本発明のα−Al₂O₃層の少なくとも1層の被膜を有する切削工具インサートも含む。 （もっと読む）

【課題】テラスエッジ部上の結晶欠陥を低減し、かつ表面平坦性に優れたｍ面ＧａＮ結晶を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０表面には、長手方向をｍ軸方向とする帯状の凹部１１が、ストライプ状に配置されて複数形成されている。凹部１１は、サファイア基板１０の主面に平行な底面１１ａと、向かい合う２つの側面１１ｂで構成されている。側面１１ｂは平面状である。テラス１０ａの幅ｘは２０μｍ以下、凹部１１の底面１１ａの幅ｙは１５μｍ以下、凹部１１の深さｚは５０ｎｍ以上、サファイア基板１０の主面に対して凹部１１の側面１１ｂのなす角度θは５０〜９０°、である。このサファイア基板１０上に結晶成長させたｍ面ＧａＮは、結晶欠陥が少なく結晶性に優れ、かつ表面平坦性に優れている。 （もっと読む）

【課題】途中でガス排出エレメントを交換またはクリーニングすることなしに、連続するプロセスステップにおいてサセプタに支持される１つ以上の基板の上に汚染のない半導体層を堆積させる。
【解決手段】プロセスガスは、ガス注入エレメント（８）の流路を通ってプロセスチャンバー（１）の中にキャリアガスとともに導入される。キャリアガスは、実質的にサセプタ（２）に並行にプロセスチャンバー（１）を通って流れて、ガス排出エレメント（７）を通って排出される。分解生成物が、少なくとも基板（２１）の表面上と、サセプタ（２）の下流の端（２’）から間隔（Ｄ）でサセプタ（２）の下流に配置されたガス排出エレメント（７）の表面上との領域において被膜を形成するために成長する。間隔（Ｄ）は、ガス排出エレメント（７）の被膜から第２のプロセス温度で蒸発する分解生成物が対向流拡散によって基板（２１）に到達することを防ぐために十分に大きい。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。サファイア基板１０は、中間層１１を成長させる主面が、当該サファイア基板１０のｍ軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板１０のｍ軸に対し傾斜している。また、前記III族窒化物層１２を成長する工程においては、第一の薄膜層１２aの上にマスクを形成してから第２の厚膜層１２ｂを形成してもよく、これにより第一の薄膜層１２aと第２の厚膜層１２ｂの間の結合強度を低下させ、比較的小さな応力で下地基板１０を容易に剥離し、III族窒化物層１２の自立基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】配向基板上に高速、安価で容易にエピタキシャル薄膜を成長させる。
【解決手段】配向基板上に、燃焼化学蒸着法（ＣＣＶＤ）などを用いてペロブスカイト系誘電層を形成する。ＣＣＶＤ装置１００の供給端１０２に供給される前駆物質は、別の供給口１０６から供給される酸素と反応し、生成物を基板Ｓに堆積させる。コンデンサにおける誘電体としては、ＭｇＯ単結晶基板を用い、有機金属化合物を前駆物質としてＳｒＴｉＯ_３を形成するほか、ＢａＳｒＴｉＯ_３形成技術などを得る。 （もっと読む）

【課題】基材とダイヤモンド膜との界面で剥離が生じにくいダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド被覆工具は、基材と、基材の表面を被覆したダイヤモンド膜とを含むダイヤモンド被覆工具であって、基材の表面は、算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが１μｍ以上１００μｍ以下であり、ダイヤモンド膜は、基材と接する部分から結晶成長方向に伸びる空隙を複数有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材上にエピタキシャル成長させた窒化物半導体層を剥離する窒化物半導体自立基板の製造において、成長させた窒化物半導体層を簡易な方法で容易に剥離させることができ、欠陥の少ない高品質の窒化物半導体自立基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】好ましくは４００μｍ以上の厚さを有し、少なくとも、表面に凹凸１１を形成した、サファイア、Ｓｉ、ＳｉＣのいずれかを材質とする基材１０を準備し、前記基材１０の凹凸１１が形成された表面上に窒化物半導体層１２を前記基材厚以上の厚さでエピタキシャル成長させた後、前記基材１０から剥離させることにより窒化物半導体自立基板１３を製造する。 （もっと読む）

基板上に材料を堆積及び結晶化する方法が開示され、特定の実施態様において、その方法は、堆積され、吹きつけられる種及びエネルギー輸送種を有するプラズマの生成を含んでもよい。第一の期間の間、基板にバイアス電圧は印加されず、プラズマ堆積を通じて種が基板上に堆積する。第二の期間の間、基板に電圧が印加され、堆積した種に向かって及び内部にイオンが引き付けられ、それにより堆積した層が結晶化する。このプロセスを十分な厚みが得られるまで繰り返すことができ、他の実施態様では、バイアス電圧又はバイアスパルス継続時間を変更して、生ずる結晶化の量を変えることができる。他の実施態様において、ドーパントを用いて、堆積した層をドープしてもよい。
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【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。
【解決手段】基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に形成された炭化アルミニウム層１２とを備える。炭化アルミニウム層１２の下地基板１１と反対側の面には、炭化アルミニウム層１２の｛１−１００｝面１２１が露出している。
炭化アルミニウム層の｛１−１００｝面１２１は、下地基板１１の主面１１０に対して傾斜している。 （もっと読む）