【課題】留まりを向上するエピタキシャル膜および発光素子を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜３０は、基板３２と、基板３２上に形成された第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上に形成された活性層３５と、活性層３５上に形成された第２導電型クラッド層とを備えている。第１および第２導電型クラッド層の少なくとも一方がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ層（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）であり、厚みのばらつきが６％以内である。 （もっと読む）

【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａと第２ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する工程を具備し、第２ｎ型半導体層１２ｂを形成する工程において、基板１１の温度を、前記発光層１３を形成する際の前記基板１１の温度未満の低温にして、前記第２ｎ型半導体層１２ｂに前記第１ｎ型半導体層１２ａを超える高濃度でＳｉをドープする半導体発光素子１の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】工具基体表面に対し、すぐれた密着性を有し、ＣＦＲＰ、Ａｌ合金等の難削材の高速切削加工で、すぐれた耐剥離性、耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金からなる工具基体表面に、ＷＣ層からなる下地層とダイヤモンド層からなる上部層とを蒸着形成したダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具において、電界放出型走査電子顕微鏡を用いて、下地層、上部層の各結晶粒の（１１１）面の法線が基体表面の法線に対してなす傾斜角を測定し、傾斜角度数分布グラフを作成した場合、ＷＣ層については、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該角度範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の７０％以上の割合を占め、また、ダイヤモンド層については、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該角度範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の８０％以上の割合を占める。 （もっと読む）

合成環境内にて基板上でダイヤモンド材料を合成するための化学蒸着(CVD)方法であって、以下の工程：基板を供給する工程；原料ガスを供給する工程；原料ガスを溶解させる工程；及び基板上でホモエピタキシャルダイヤモンド合成させる工程を含み；ここで、合成環境は約0.4ppm〜約50ppmの原子濃度で窒素を含み；かつ原料ガスは以下：a)約0.40〜約0.75の水素原子分率H_f；b)約0.15〜約0.30の炭素原子分率C_f；c)約0.13〜約0.40の酸素原子分率O_fを含み；ここで、H_f＋C_f＋O_f＝1；炭素原子分率と酸素原子分率の比C_f:O_fは、約0.45:1＜C_f:O_f＜約1.25:1の比を満たし；原料ガスは、存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の原子分率が0.05〜0.40で水素分子H₂として添加された水素原子を含み；かつ原子分率H_f、C_f及びO_fは、原料ガス中に存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の分率である、方法。 （もっと読む）

【課題】工程数の少ない手法でギャップ間距離が小さく、さらに様々な電極形状が調製可能であるナノギャップ電極の製造方法を得る。
【解決手段】先端が９０度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。基板上に１０〜１００μｍのサイズのポリマー又はセラミックスビーズを均一に展開し、この上に電極材料をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により被覆し、このビーズを除去することにより基板上に三角錐の電極材料を残存させ、この三角錐の電極材料にレーザー光を照射し、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成し、該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】段差などの乱れが少ない平坦な劈開面が得られるIII族窒化物半導体基板及びそ
の製造方法を提供する。
【解決手段】直径２５ｍｍ以上、厚さ２５０μｍ以上のIII族窒化物半導体基板であって
、前記III族窒化物半導体基板の外縁から５ｍｍ以内の外周部における少なくとも前記外
縁側の部分は、前記III族窒化物半導体基板の主面内の応力が引張応力であり、且つ前記III族窒化物半導体基板の前記外縁側の部分よりも中心側の部分に比べて相対的に引張応力が大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内における筺体内壁や治具等の表面にデポが付着しても、それに起因した破損や破断を生じることなく、そのデポを簡易に除去することを可能とした化合物半導体製造装置および化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＮＨ_３ガス、ＨＣｌガスのいずれか一つ以上のガスを加工対象の基板１０が配置されたチャンバ１内に供給するように設定されており、かつ前記ガスが供給されるチャンバ１内の少なくとも内壁表面および／または前記基板１０の一部分に接触するホルダ１１のような治具の少なくとも表面および／または当該チャンバ１内に配置された構造物の少なくとも表面を、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以上１００μｍ以下のＩｒ（イリジウム）金属からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室に接続された複数のガス供給管の前記反応室内の複数の出口からIII族原料ガスとＶ族原料ガスとを前記反応室内に供給して前記反応室内に配置された基板上に窒化物系半導体層を成膜する気相成長方法であって、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを互いに異なる出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント以上の窒化物系半導体を含む第１半導体層を成長させる工程と、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを混合して同じ出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント未満の窒化物系半導体を含む第２半導体層を成長させる工程と、を備えた気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマに晒されても表面が削れないように加工されたプラズマ処理装置用のアルミナ部材を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、内部にてプラズマが励起される処理容器１０と、前記処理容器内にプラズマを励起するために必要な電磁波を供給するマイクロ波源と、前記処理容器内に設けられたアルミナ部材３０と、を有し、前記アルミナ部材の少なくともプラズマに晒される表面は、窒化アルミニウムの膜にてコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】発光面積を大きくすることができて発光効率の高い棒状構造の半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体素子の製造方法は、ｎ型の半導体コア７の先端面７Ａだけでなく側面７Ｂにもｐ型の半導体層１０を形成するので、ｐｎ接合の面積を大きくでき、発光面積を大きくすることができ発光効率を向上できる。また、触媒金属６を用いてｎ型の半導体コア７を形成するので、ｎ型の半導体コア７の成長速度を速くできる。このため、半導体コア７を長くでき、ｎ型の半導体コア７の長さと比例関係になる発光面積を一層大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上の化合物半導体層上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】有機金属気相成長法によってＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を基板４０上に順次積層してなる化合物半導体層を形成する際に、反応容器内に、その結晶成長面が上を向くように前記基板４０を取り付け、該基板４０の上方であって結晶成長面と対向する側に複数の溝６３とともにアルミナ粒子を用いたブラスト処理により溝６３よりも微細な凹部が形成された保護部材６０を取り付け、反応容器の内部に原料ガスの供給を行う。 （もっと読む）

【課題】反応室の内部に設けられる石英製の部材の損傷を防止しつつ、石英製の部材から剥がれた反応生成物が被形成体に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】本実施形態の発光素子の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法を用いて基板上にIII族窒化物半導体層を形成するものである。そして、本実施形態の発光素子の製造方法は、第１組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０１）、清掃工程（Ｓ１０２）、第２組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０３）、及びチップ化工程（Ｓ１０４）を含んで構成されている。ここで、第１組目のウェハ群の製造工程において、ＭＯＣＶＤ装置の反応室に設けられる保護部材に反応生成物が付着する。そして、清掃工程において、ブラスト処理を用いて保護部材に付着する反応生成物の除去を行う。これにより、保護部材の受ける損傷を抑制しつつ、第２組目のウェハ群の製造工程において、ウェハへの反応生成物の混入が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータは、通電により発熱する発熱体を備える。発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。各成膜温度は、１４００℃±５０℃、１６００℃±５０℃、１８００℃±５０℃、２０００℃±５０℃とすることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１の硬質材料複合層を含む単層又は多層の層系で被覆された、金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの被覆物品、並びにこのような物品の被覆法に関する。本発明は、このような物品のために、単層又は多層であってかつ少なくとも１の硬質材料複合層を有する層系であって、該複合層が主相として立方晶ＴｉＡｌＣＮ及び六方晶ＡｌＮを含み、かつ平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴とする層系を開発するという課題に基づく。前記課題には、このような被覆を廉価に製造するための方法の開発も包含される。本発明による硬質材料複合層は、主相として立方晶ＴｉＡｌＣＮ及び六方晶ＡｌＮを含んでおり、その際、該立方晶ＴｉＡｌＣＮは、≧０．１μｍの結晶子サイズを有する微晶質ｆｃｃ−Ｔｉ_1-xＡｌ_xＣ_yＮ_z（ここで、ｘ＞０．７５、ｙ＝０〜０．２５であり、かつｚ＝０．７５〜１である）であり、かつその際、該複合層は粒界領域内にさらに非晶質炭素を０．０１％〜２０％の質量割合で含有している。被覆は、本発明によれば、ＬＰＣＶＤ法で７００℃〜９００℃の温度でかつ１０²Ｐａ〜１０⁵Ｐａの圧力で、付加的なプラズマ励起なしで行われる。本発明による硬質材料層は、平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴としており、かつ特にＳｉ₃Ｎ₄及びＷＣ／Ｃｏ刃先交換型切削チップ及び鋼部材上の摩滅防止層として使用可能である。
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【課題】デポ膜の剥がれを防止し、生産性向上させることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基反応炉１０内に基板１２を保持するサセプタ１４が設けられ、導入部１８から、原料ガスを反応炉１０内に導入することにより基板１２上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）膜をＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル成長させる気相成長装置において、基板１２と対向するように反応炉１０の内壁に取り付けられている天板３０（防着板）の基板１２側の表面に、ＧａＮ膜とＡｌＮ膜が交互に積層された多層膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い密着性と耐摩耗性を有する切削工具等の表面被覆部材を提供する。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｏ_３質基体６の表面に被覆層８が被着形成され、被覆層８のうちの基体６の表面には、基体６側の第１Ａｌ_２Ｏ_３層７ａと上層の第２Ａｌ_２Ｏ_３層７ｂとの２層のＡｌ_２Ｏ_３層７が順に形成されており、第１Ａｌ_２Ｏ_３層７ａを構成するＡｌ_２Ｏ_３結晶を基体６の表面に対して平行な方向から見たときの平均結晶幅が、第２Ａｌ_２Ｏ_３層７ｂを構成するＡｌ_２Ｏ_３結晶を基体６の表面に対して平行な方向から見たときの平均結晶幅よりも小さい切削工具１等の表面被覆部材であり、高い密着性と耐摩耗性を有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥のない堆積膜を低コストで形成することができる堆積膜形方法を提供する。
【解決手段】少なくとも上部又は下部に補助基体を設けた円筒状基体の表面にシリコン原子を母材とする非晶質材料からなる機能性膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、円筒状基体に補助基体を取り付けた状態で両者の表面を同一条件で連続して切削加工をおこなう工程と、前記円筒状基体に前記補助基体を取り付けた状態で機能性膜の形成をおこなう工程をおこなう。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶｛００１｝面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により２種類の元素Ａ、Ｂからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素ＡおよびＢに起因する積層欠陥を、表面に平行な＜１１０＞方向にそれぞれ等価に生じさせながら化合物単結晶を成長させる工程（Ｉ）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ａに起因する積層欠陥を、反位相領域境界面と会合消滅させる工程（II）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ｂに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程（III）と、反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程（IV）と、を有し、工程（IV）は、工程（II）および（III）と並行して、又は、工程（II）および（III）の後に行う。 （もっと読む）

【目的】
電流密度分布を均一化し、均一な発光強度分布及び高い発光効率の得られる、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 （もっと読む）